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新しい発想に基く希土類金属を添加したULSI電極配線用Al合金の開発に関する研究

基于新思路的添加稀土金属超大规模集成电路电极布线用铝合金的开发研究

基本信息

批准号：
02650498
负责人：
伊藤太一郎
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至 1992
项目状态：
已结题

项目摘要

Al-希土類金属(RE)合金を電極配線として使う場合、基板SLとREとの固相反応も考えておく必要があり、また最近SLとの格子ミスフィットの小さいREシリサイドが(111)SL上にエピタキシャル成長することで注目をあびている。そこで、本年はエルビウム(Er)をSL(100)上に蒸着し、固相反応によってREシリサイドとした結果を報告する。Y1(100)SLの場合に類似して、600℃以上でアニールするとX線回折では(1T00)の非常に強い配向を持つことが判明した。構造は六方晶ErSi_<2-x>である。これを透過電子顕微鏡観察すると、〜100nm程度の領域に分割されており、高倍率で観察すると格子ジマを明瞭に観察することができた。制限視野回折像をとると、2種類の面からの回折が存在することが判明した。すなわち、基板SLとErSL_<2-x>との間に次の方位関係が成立する。(1T00)ErSi_<2-x> 11(100)SL、〔000^2〕ErSi_<2-x>11〔022^^-〕SL とそれを〔1T00〕Ersi_<2-X>のまわりに90°回転させたものとの2種類の方位を有する領域の混在する、いわゆるダブルドメインを形成している。ErSi_<2-x>(1T00)とSL(100)との間には格子定数から求まる格子のミスマッチに大きな異方性があり、エピタキシャル成長するとき、ミスマッチの大きい方向の弾性歪を緩和するためにダブルドメイン構造をとったものと考えられる。格子のミスマッチが小さくなるように〔1T0〕方向にオフしたSL基板を用いるとシングルドメイン(単結晶)ErSi_<2-x>にむかう傾向がみうけられた。

Al-rare earth metal (RE) alloy electrode wiring and other cases, substrate SL and RE solid phase reaction test, the need for the nearest SL lattice, small RE solution,(111)SL on the top of the growth of the attention. This year, the results are reported for the first time on SL(100). In the case of Y1(100)SL, it is similar to the above 600℃, and the X-ray reflection is very strong. The structure is hexagonal ErSi<2-x>_. This is the first time that the electron microscope has been used to detect the light. Limit the field of vision, and determine the existence of two types of reflection. The azimuth relationship between SL and SL_<2-x>is established. (1T00)ErSi_<2-x>11(100)SL,[000^2] ErSi_<2-x>11 [022^-] SL,[1T00] ErSi_ 11,[022^-] SL,[1T00] ErSi_11,[022 ^-] SL,[022 ^-] SL,[1T00] ErSi_11,[02] ErSi_11,[<2-X>02 ErSi_<2-x>(1T00) and SL(100) are the two types of structures in the space between them. In the direction of [1T0], the substrate is used in the middle of the crystal<2-x>.