II-VI及びV-VI族半導体マイクロクラスターの光励起効果

最近注目を注びでいるC_<60>の遠赤外スペクトル及びラマン散乱の温度依存性を詳細に調べた。又、それらの酸素の添加効果を調べたことろ、非常に大きな酸素添加効果がみられることがわかった。また、最近注目されているポーラスシリコンの発光現象の研究を行った。p-Si及びn-Siの両方で陽極化成法によりポーラスシリコンを製作し、そのルミネッセンスの強度の経時特性を調べたところ、非常に大きな光照射効果があることがわかった。また、ポーラスシリコンに超音波をかけると表面の粒子が分離してくる。これらの微粒子のポリマー中に埋め込んだ膜の光発光特性を調べた。真空中の場合と酸素のある場合とでホトルミネッセンスの発光スペクトルのシフトがみられ、酸化過程が大きな役割をしていることが示唆される。また、Si,Ge及びSrをスパッター法でSiO_2中に作ると発光特性を示す膜が得られる。これを測定し、ポーラスシリコン等の発光特性とくらべることを行った。ポーラスシリコンでは酸素の役割が大きいことがわかる。マイクロクリスタルCdSをGeO_2ガラス中に分散させた系で加圧しながらラマン散乱を測定し、相転移のサイズ効果をみることを行った。現在のところ、岩塩構造への相転移と共鳴効果のラマン散乱への寄与の分離を確立することが待たれる状態である。ゼオライト中に閉じ込めたSeのラマン散乱の温度依存性を測定すると、アモルファスSeともあきらかに異なったふるまいを示しており、閉じ込められたSeの状態の研究として興味がある。今後これらの研究を一層進める予定である。

最近注目を注びでいるC_<60>の遠赤外スペクトル及びラマン散乱の温度依存性を詳細に調べた。又、それらの酸素の添加効果を調べたことろ、非常に大きな酸素添加効果がみられることがわかった。また、最近注目されているポーラスシリコンの発光現象の研究を行った。p-Si及びn-Siの両方で陽極化成法によりポーラスシリコンを製作し、そのルミネッセンスの強度の経時特性を調べたところ、非常に大きな光照射効果があることがわかった。また、ポーラスシリコンに超音波をかけると表面の粒子が分離してくる。これらの微粒子のポリマー中に埋め込んだ膜の光発光特性を調べた。真空中の場合と酸素のある場合とでホトルミネッセンスの発光スペクトルのシフトがみられ、酸化過程が大きな役割をしていることが示唆される。また、Si,Ge及びSrをスパッター法でSiO_2中に作ると発光特性を示す膜が得られる。これを測定し、ポーラスシリコン等の発光特性とくらべることを行った。ポーラスシリコンでは酸素の役割が大きいことがわかる。マイクロクリスタルCdSをGeO_2ガラス中に分散させた系で加圧しながらラマン散乱を測定し、相転移のサイズ効果をみることを行った。現在のところ、岩塩構造への相転移と共鳴効果のラマン散乱への寄与の分離を確立することが待たれる状態である。ゼオライト中に閉じ込めたSeのラマン散乱の温度依存性を測定すると、アモルファスSeともあきらかに異なったふるまいを示しており、閉じ込められたSeの状態の研究として興味がある。今後これらの研究を一層進める予定である。