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酸化物超伝導体薄膜の原子層成長

氧化物超导薄膜的原子层生长

基本信息

批准号：
05224106
负责人：
川合真紀
金额：
$ 1.02万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05224106/
关键词：
酸化物高温超伝導体分子線エピタキシー人工格子

项目摘要

平成5年度の研究では、酸化物超伝導体の母結晶である無限層化合物SrCuO_2の原子層単位での形成を実現すると同時に、SrCuO_2中に周期的に二重Sr層の導入を行い、人工的に超構造を構築し、その伝導物性を検討した。一原子層単位での物質合成には基板となる結晶表面を目的とする物質合成に適した状態にする必要がある。前年度までに、基板となるチタン酸ストロンチウム単結晶の表面構造を明かにしており、その情報を手がかりに、無限層化合物の原子層単位での形成を実現した。また、一原子層単位での成長制御法により、二重Sr層を含む無限層(SrCuO_2)薄膜を形成した。無限層m層毎にSr二重層を含む構造をn回繰り返し積層した薄膜を((SrCuO_2)_mSr)_nと表すと、m≧8の範囲では超構造が形成できた。形成された薄膜の抵抗の温度変化を測定したところ、超構造を有する薄膜では、80Kおよび110K付近に抵抗異常が観測された。この異常な振舞いは、測定電流に依存し、測定電流20muA(10A/cm^2)以上では観測されなかった。抵抗異常は単純な無限層構造では観測されず、二重Sr層を含む超構造でのみ観測されたことから、二重Sr層を含む無限層構造に特有な振舞いであると考えられる。

In the research of Heisei 5 years, the formation of atomic layer units of SrCuO_2, the construction of artificial superstructures and the investigation of electrical conductivity were carried out. A single atomic layer is necessary for the synthesis of matter. In the previous year, the surface structure of the substrate and the crystal structure of the substrate were clearly understood, and the information was at hand, and the formation of atomic layer units of infinite layer compounds was realized. In addition, a single atomic layer growth method is used to form a double Sr layer containing an infinite layer (SrCuO_2) thin film. Infinite layers, m layers, Sr double layers, n layers, n layers, thin films, m layers, m layers, n layers, m layers, The temperature change in the resistance of the formed films was measured. For films with superstructures, abnormal resistance near 80K and 110K was measured. This abnormal vibration is dependent on the measured current, and the measured current is more than 20muA(10A/cm^2). The resistance anomaly is characterized by pure infinite layer structure, double Sr layer structure, double Sr layer structure and infinite layer structure.