高エネルギー光を利用する機能性ラジカルの発生と反応機構

高能光功能自由基的产生及反应机理

• 批准号: 05237221
• 负责人: 伊吹 紀男
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Kyoto University of Education
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05237221/
• 关键词: ケイ素化合物; 真空紫外光分解; ラジカル生成; 電子励起状態; 蛍光分光; 蛍光励起スペクトル

SiCl_4,SiHCl_3およびSi_2Cl_6の化合物を、10.22および11.85eVの真空紫外光で光分解すると、340および560nmに最大強度をもつブロードな発光バンドが観測された。340nmの蛍光はSiCl_2(A^1B_1→X^1A_1)遷移^<1)>である。560nmのバンドについては、SiCl_4およびSiH_2Cl_2を準安定アルゴン、Ar(^3P_<2.0>)、で励起した場合にはSiCl_2(^3B_1→^1A_1)の三重項遷移であると帰属^<2)>されている。しかし、直接光解離ではまだ観測されていない。そこで、SiH_2Cl_2を真空紫外光で分解したところ、SiCl_2(A^1B_1)およびSiHCl(A^1A″)ラジカルからの発光は観測されたが、560nmのブロードなバンドは検出できなかった。SiCl_4について、シンクロトロン放射光を用いて蛍光励起スペクトルを測定したが、560nmのバンドが三重項SiCl_2であることを示唆する結果は得られなかった。以上の測定において、560nmの発光はSiCl_4,SiHCl_3およびSi_2Cl_6で観測されたことにより電子励起SiCl_3^*あるいはSiCl_2(^3B_1)の可能性がある。その決定のためには発光の寿命測定、高分解蛍光分光、LIF測定などを行う必要がある。引用文献1)N.Washida,Y.Matumi,T.Hayashi,T.Ibuki,A.Hiraya,and K.Shobatake,J.Chem.Phys.83,2769(1985).2)H.Sekiya,Y.Nishimura,and M.Tsuji,Chem.Phys.Lett.176,477(1991).

SiCl_4,SiHCl_3