セラミックスにおける相変態と相界面の電子顕微鏡内その場観察

使用电子显微镜原位观察陶瓷中的相变和相界面

• 批准号: 09242216
• 负责人: 黒田 光太郎
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09242216/
• 关键词: 相変態; 相界面; 透過電子顕微鏡法(TEM); 分析電子顕微鏡法(AEM); 電子エネルギー損失分光(EELS); TEM断面観察; 集束イオンビーム(FIB)加工; その場観察実験

酸化物セラミックスにおける相変態を微視的レベルで動的に観察し、とくに酸素の相変態における役割を調べる。酸素の構造空孔を介しての拡散現象が相変態に及ぼす影響を調べるために、微視的レベルでの酸素の分析が必要になる。また、アモルファス半導体の結晶化においては、水素などのガス成分が関与している場合がある。これらの相変態においては電顕像による微細構造の変化の観察とともに、電子エネルギー損失スペクトル(EELS)による結合状態の変化を観測することが必要である。ガス成分が相変態に関与している場合として、薄膜トランジスタ(TFT)中のシリコンナイトライド(SiNx)に接するアモルファスシリコン(a-Si)の界面近傍での照射損傷について調べた。それは電顕観察中に発生し、高分解能電顕観察から結晶化が生じた領域であることが分かった。損傷部分のEELSスペクトルには窒素のKエッジが観察された。電顕観察中に、下地であるシリコンナイトライドから窒素が拡散しすることが影響していると考えられる。酸化物セラミックスの相変態については、プラズマ溶射によって作成されたムライト皮膜(3Al_2O_3・2SiO_2)の電顕内その場加熱実験を行った。急冷によってアモルファスである部分の結晶化について観察を行い、加熱せずに電子線照射によって結晶化が生じることが観察された。これにはビームヒ-ティングが影響していると考えられる。一方、強い電子線照射下での加熱実験では、結晶化温度以上でもアモルファスのまま存在し、さらに高温しても結晶化せずに溶融することが観察された。このような相変態挙動を加熱した高温試料のEELSで調べることを行いつつある。

The phase change of the acid compound is observed in the Weishi app. It is necessary to analyze the dispersion phenomenon of structural voids in acid and its phase change and influence on Weishi app. In the case of crystallization of semiconductor, the composition of water element is related to crystallization. The phase change of the electron image, the microstructure change of the electron image, the electron loss of the electron image (EELS) and the combination of the electron image and the microstructure change of the electron image are necessary. In the case of phase change of the composition, the irradiation damage near the interface of the thin film TFT (SiNx) and the thin film TFT (a-Si) is detected. In the field of crystallization, there is a high decomposition energy. The damage part of the EELS was detected. The electric field is in the middle of the ground, and the electric field is in the middle of the ground. The phase transition of the acidizing compound was studied by means of field heating in the electro-thermal process of the (3Al_2O_3·2SiO_2) film. Quenching, heating, electron beam irradiation, crystallization, observation This is the first time I've ever seen you. When heated under intense electron beam irradiation, the crystallization temperature is higher than the crystallization temperature, and the melting temperature is higher than the crystallization temperature. The temperature of the sample is adjusted by heating.

项目成果

K.Kuroda: "Characterization of Hetero-interfaces in Thin-Film Transistor by Cross-Sectional Transmission Electron Microscope" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.466. 67-72 (1997)

K.Kuroda：“通过截面透射电子显微镜表征薄膜晶体管中的异质界面”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.466。

K.Kuroda: "Application of Focused Ion Beam Milling to Cross-Sectional TEM Specimen Preparation of Industrial Material including Heterointerfaces" Thin Solid Films. (in press). (1998)

K.Kuroda：“聚焦离子束铣削在工业材料（包括异质界面）横截面 TEM 样品制备中的应用”固体薄膜。