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分析電子顕微鏡を用いた固有拡散係数測定法の開発

开发使用分析电子显微镜的本征扩散系数测量方法

基本信息

批准号：
09242232
负责人：
堀田善治
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

これまでの研究で著者らはNi/NiAlの拡散対界面には拡散熱処理中にγ'相が生成・成長し、このγ'相は1273Kより高温域では2乗則に従ってγ相側に成長しγ相と同一方位を有することを明らかにした。また、1273K以下ではγ相とβ相の両側に4乗則で成長し、いずれの相とも同一方位関係はないことを示した。高温域でのγ'相の成長挙動から、γ相に単結晶を用いることによってγ'相の単結晶製造が可能であることが示唆されることから、本研究では、γ'相単結晶化の可能性を高温度で長時間熱処理することで検討した。さらに、本研究では低温側で何故4乗則に従って成長するのか、γ'相内の組織観察を行うとともに、Corcoranらの解析を基に検討した。単結晶Niを用いた場合、予想通り単結晶のγ'相が拡散対界面に形成された。熱処理初期では単結晶γ'相の成長速度は小さかったが、途中で成長速度が増し、単結晶製造に都合のよい条件が得られることが確認された。低温域での熱処理では、Niに単結晶を用いたにもかかわらず、γ'相内に多数の結晶粒界が観察された。低温域でのγ'相成長に対する4乗則は粒界拡散支配の結晶粒成長によるものであることが示された。

In this study, the Ni/NiAl diffusion interface was formed and grown at 1273K. In the high temperature region, the Ni/NiAl diffusion interface was formed and grown at the same orientation. Below 1273K, the gamma phase and the beta phase are in the same orientation. In this study, the possibility of γ'phase crystallization at high temperature for a long time was discussed. In this study, we discuss the mechanism of growth and tissue analysis in the low temperature side and the analysis of Corcoran. In the case of single crystal Ni, it is expected that the γ'phase of single crystal will form a dispersion interface. At the beginning of heat treatment, the growth rate of single crystal γ'phase was small, and the growth rate was increased in the middle of heat treatment. The conditions for single crystal production were confirmed. Heat treatment in the low temperature range is not suitable for Ni crystals. Most of the crystals in the γ-phase are observed. The growth of γ'phase in the low temperature region is also related to the growth of crystalline grains dominated by grain boundary dispersion.