Nanostrukturierung von Oberflächen mit direkter Extraktion der Ionen aus Plasmaquellen

这是一种自主性、自主性、自主性和自主性。这是一种既不同于人，又不能量化的机械师，也是人类社会的一部分。在Forschergruppe Periode和Forschergruppe sind herzu wichtige beiträge gleistet Worden中。这句话的意思是：“我不知道怎么做才好，但我不能这么做。”这是一种新的理论和方法，它是一种新的理论，是一种新的理论。他妈的，我不是在做实验，而是在做实验。在此基础上，提出了一种新的解决方案：i)在严格的控制下，给出了相应的相图，并估计了它们的性能。在卡斯卡德的卡斯卡德结果，沃尔定义了一名机械师，这是一名技工。(Ii)这是一种不同的、不同的、不同的结构。他说：“我不会把你的家庭隔离在一起。”从德国和德国的金属系统中，我们可以得到更多的信息，而不是更多的信息。他说：“我不会给你戴手套，我不会让你失望的。他说：“这是一项非常重要的工作，我们将为您提供更多的服务。”

Die selbstorganisierte Entstehung von periodischen Oberflächenmustern durch niederenergetischen Ionenbeschuss resultiert aus dem Zusammenspiel vielfältiger Mechanismen auf und unterhalb der Oberfläche. Ziel der Forschergruppe ist diese Mechanismen zu identifizieren und zu quantifizieren und damit ein Verständnis des Musterbildungsprozesses zu erlangen. In der ersten Periode der Forschergruppe sind hierzu wichtige Beiträge geleistet worden. Ersten wurde festgestellt, dass nicht nur Prozesse an der Oberfläche sondern auch Defekterzeugung und Defektdynamik unterhalb der Oberfläche wichtig sind. Zweitens konnte deutlich gezeigt werden, dass bisherige experimentelle Ergebnisse aufgrund von unkontrolliert deponierten und implantierten Fremdatomen nicht akkurat genug sind um mit Vorhersagen theoretischer Modelle verglichen werden zu können. Damit ergibt sich die Notwendigkeit die experimentelle Datenbasis zu verbessern. Die zweite Periode dieses Teilprojektes soll wie folgt dazu beitragen:i) Unter streng kontrollierten Bedingungen sollen die Phasendiagramme der Musterbildung auf Si gesputtert mit Si+ Ionen und Ge gesputtert mit Ge+ Ionen als Funktion der Energie und Einfallswinkel bestimmt werden. Dadurch sind die Mechanismen, die aus den nuklearen Stößen in der Stoßkaskade resultieren, wohl definiert. Die Phasendiagramme sollen mit Stabilitätsanalysen der theoretischen Teilprojekte verglichen werden und dominante Mechanismen identifiziert werden.ii) Der Einfluss von mischbaren Fremdatomen auf die Musterbildung und die Identifizierung zusätzlicher kollisionärer Mechanismen durch das Deponieren bzw. Implantieren von Fremdatomen soll durch Untersuchungen der Musterbildung auf Si mit Ge+ und auf Ge mit Si+ Ionen untersucht werden. Aufgrund der guten Mischbarkeit von Si und Ge sind hierbei die Ausbildung von sekundären Phasen sowie die Segregation der Fremdatome nicht zu erwarten. Dennoch könnte eine laterale Konzentrationsmodulation zusätzlich zu der Musterbildung auftreten und diese beeinflussen.iii) Und schließlich soll der komplexe Fall der Musterbildung mit metallischen Fremdatomen, die mit dem Si sekundäre Phasen bilden (Silizide) oder entmischen können, untersucht werden. Dies soll ebenfalls mittels Beschuss von Si und Ge Oberflächen mit Ionenstrahlen ausgewählter Metalle durchgeführt werden. Aufgrund der besonderen Bedeutung sollen dazu Fe, als vorwiegend auftretendes Fremdatom beim Sputtern, Ga als Ionen der fokussierten Ionenstrahlen und Bi als Vergleich zum TP9 (Bischoff/Heinig) für komplementäre Untersuchungen zur neuartigen Musterbildung durch Clusterionen eingesetzt werden.