Nanostrukturierung von Oberflächen mit direkter Extraktion der Ionen aus Plasmaquellen

Die selbstorganisierte Entstehung von periodischen Oberflächenmustern durch niederenergetischen Ionenbeschuss resultiert aus dem Zusammenspiel vielfältiger Mechanismen auf und unterhalb der Oberfläche. Ziel der Forschergruppe is diese Mechanismen zu identifizieren und zu quantifizieren und damit ein Verständnis des Musterbildungsprozesses zu埃尔兰根.在第一个时期，研究小组的工作是非常重要的沃登。首先，这不仅仅是一个过程，一个上翼也是一个动态的过程。两个德国人都有韦尔登，这种不受控制的依赖和实施自由的实验结果并不足以证明这一点，因为它是用前一种理论模型来解释韦尔登的。但它不能使实验数据建立在正确的基础上。第二阶段的研究课题主要有：i）加强对生物体的控制，必须解决Si+ Ionen和Ge+ Ionen的培养阶段的能量和能量损失函数的估算问题，即韦尔登离子和Ge+ Ionen的培养阶段。Dad是机械师，他们从核电站里出来，结果是肯定的。通过对理论模型的稳定性分析，可以解决相位差问题，从而可以识别出韦尔登和韦尔登的主要机理。通过对Si和Ge+以及Si和Ge+离子的培养结果进行韦尔登，可获得植入体。由于Si和Ge之间的良好关系，他们在第二阶段的教育中并没有受到种族隔离的影响。Dennoch könnte eine laterale Konzentrationsmodulation zusätzlich zu der Musterbildung auftreten und diese beeinflussen.iii）Und schließlich soll der komplexe Fall der Musterbildung mit metallischen Fremdatomen，die mit dem Si sekundäre Phasen bilden（Silizide）oder entmischen können，untersucht韦尔登.这些都是通过韦尔登的离子辐射对Si和Ge Oberflächen进行处理而获得的。通过对Fe、Ga、Bi等离子体的聚焦离子辐射和TP 9（Bischoff/Heinig）离子束的测试，可以通过韦尔登的离子束来完成对新的生物培养的补充。

Die selbstorganisierte Entstehung von periodischen Oberflächenmustern durch niederenergetischen Ionenbeschuss resultiert aus dem Zusammenspiel vielfältiger Mechanismen auf und unterhalb der Oberfläche. Ziel der Forschergruppe ist diese Mechanismen zu identifizieren und zu quantifizieren und damit ein Verständnis des Musterbildungsprozesses zu erlangen. In der ersten Periode der Forschergruppe sind hierzu wichtige Beiträge geleistet worden. Ersten wurde festgestellt, dass nicht nur Prozesse an der Oberfläche sondern auch Defekterzeugung und Defektdynamik unterhalb der Oberfläche wichtig sind. Zweitens konnte deutlich gezeigt werden, dass bisherige experimentelle Ergebnisse aufgrund von unkontrolliert deponierten und implantierten Fremdatomen nicht akkurat genug sind um mit Vorhersagen theoretischer Modelle verglichen werden zu können. Damit ergibt sich die Notwendigkeit die experimentelle Datenbasis zu verbessern. Die zweite Periode dieses Teilprojektes soll wie folgt dazu beitragen:i) Unter streng kontrollierten Bedingungen sollen die Phasendiagramme der Musterbildung auf Si gesputtert mit Si+ Ionen und Ge gesputtert mit Ge+ Ionen als Funktion der Energie und Einfallswinkel bestimmt werden. Dadurch sind die Mechanismen, die aus den nuklearen Stößen in der Stoßkaskade resultieren, wohl definiert. Die Phasendiagramme sollen mit Stabilitätsanalysen der theoretischen Teilprojekte verglichen werden und dominante Mechanismen identifiziert werden.ii) Der Einfluss von mischbaren Fremdatomen auf die Musterbildung und die Identifizierung zusätzlicher kollisionärer Mechanismen durch das Deponieren bzw. Implantieren von Fremdatomen soll durch Untersuchungen der Musterbildung auf Si mit Ge+ und auf Ge mit Si+ Ionen untersucht werden. Aufgrund der guten Mischbarkeit von Si und Ge sind hierbei die Ausbildung von sekundären Phasen sowie die Segregation der Fremdatome nicht zu erwarten. Dennoch könnte eine laterale Konzentrationsmodulation zusätzlich zu der Musterbildung auftreten und diese beeinflussen.iii) Und schließlich soll der komplexe Fall der Musterbildung mit metallischen Fremdatomen, die mit dem Si sekundäre Phasen bilden (Silizide) oder entmischen können, untersucht werden. Dies soll ebenfalls mittels Beschuss von Si und Ge Oberflächen mit Ionenstrahlen ausgewählter Metalle durchgeführt werden. Aufgrund der besonderen Bedeutung sollen dazu Fe, als vorwiegend auftretendes Fremdatom beim Sputtern, Ga als Ionen der fokussierten Ionenstrahlen und Bi als Vergleich zum TP9 (Bischoff/Heinig) für komplementäre Untersuchungen zur neuartigen Musterbildung durch Clusterionen eingesetzt werden.