Nanostrukturierung von Oberflächen mit direkter Extraktion der Ionen aus Plasmaquellen

Die selbstorganisierte Entstehung von periodischen Oberflächenmustern durch niederenergetischen Ionenbeschuss resultiert aus dem Zusammenspiel vielfältiger mechanmenesaufundunterhalbder Oberfläche。[1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][3]。在德国东部时期，德国Forschergruppe sind hierzu wichtige Beiträge geleistet worden。德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：德语：Oberfläche(1)在此基础上，提出了一种新的理论，即理论模型，即理论模型，即理论模型，即理论模型。Damit ergit see die not endigkeit die experimentelle Datenbasis zu verbessen。1)在强控制条件下，采用基于Si+ Ionen、Ge+ Ionen、Ge+ Ionen、能量函数、Ge+ Ionen、Ge+ Ionen、Ge+ Ionen、Ge+ Ionen、Ge+ Ionen、Ge+ Ionen和Ge+ Ionen的建模方法。Dadurch sind Mechanismen, die aus den nuklearen Stößen in der Stoßkaskade resultieren，将会定义。Die phasendiagram sollen mit Stabilitätsanalysen der theortischen Teilprojekte verglichen werden and dominante mechanisidentifizierwerden。（ii）《德国经济发展与发展》，《德国经济发展与发展》，《德国经济发展与发展》，zusätzlicher kollisionärer《德国经济发展与发展机制》。Implantieren von Fremdatomen出售了一种名为Untersuchungen der mussterbilung of Si mit Ge+和auf Ge mit Si+ Ionen untersucht werden的产品。在此基础上，研究人员发现，在此基础上，研究人员发现，在此基础上，研究人员发现，在此基础上，研究人员发现，在此基础上，研究人员发现：Dennoch könnte eine横向konconcentration调制zusätzlich zu der musterbiltion autretretion and disease beinsen。iii) Und schließlich soll der complexe Fall der Musterbildung mit metallischen Fremdatomen, die mit dem Si sekundäre Phasen bilden（硅化）oder entmischen können, untersucht werden。die soll ebenfalls mittelels Beschuss von Si und Ge Oberflächen mit Ionenstrahlen ausgewählter Metalle durchgefhrt werden。Aufgrund der besonderen sollen dazu Fe, als vorwigend auftretendes Fremdatom bespterm， Ga - alonder fokussierten Ionenstrahlen和Bi - alsvergleich zum TP9 (Bischoff/Heinig) f<e:1> r komplementäre Untersuchungen zur neuartigen Musterbildung durch Clusterionen engesetzt werden。

Die selbstorganisierte Entstehung von periodischen Oberflächenmustern durch niederenergetischen Ionenbeschuss resultiert aus dem Zusammenspiel vielfältiger Mechanismen auf und unterhalb der Oberfläche. Ziel der Forschergruppe ist diese Mechanismen zu identifizieren und zu quantifizieren und damit ein Verständnis des Musterbildungsprozesses zu erlangen. In der ersten Periode der Forschergruppe sind hierzu wichtige Beiträge geleistet worden. Ersten wurde festgestellt, dass nicht nur Prozesse an der Oberfläche sondern auch Defekterzeugung und Defektdynamik unterhalb der Oberfläche wichtig sind. Zweitens konnte deutlich gezeigt werden, dass bisherige experimentelle Ergebnisse aufgrund von unkontrolliert deponierten und implantierten Fremdatomen nicht akkurat genug sind um mit Vorhersagen theoretischer Modelle verglichen werden zu können. Damit ergibt sich die Notwendigkeit die experimentelle Datenbasis zu verbessern. Die zweite Periode dieses Teilprojektes soll wie folgt dazu beitragen:i) Unter streng kontrollierten Bedingungen sollen die Phasendiagramme der Musterbildung auf Si gesputtert mit Si+ Ionen und Ge gesputtert mit Ge+ Ionen als Funktion der Energie und Einfallswinkel bestimmt werden. Dadurch sind die Mechanismen, die aus den nuklearen Stößen in der Stoßkaskade resultieren, wohl definiert. Die Phasendiagramme sollen mit Stabilitätsanalysen der theoretischen Teilprojekte verglichen werden und dominante Mechanismen identifiziert werden.ii) Der Einfluss von mischbaren Fremdatomen auf die Musterbildung und die Identifizierung zusätzlicher kollisionärer Mechanismen durch das Deponieren bzw. Implantieren von Fremdatomen soll durch Untersuchungen der Musterbildung auf Si mit Ge+ und auf Ge mit Si+ Ionen untersucht werden. Aufgrund der guten Mischbarkeit von Si und Ge sind hierbei die Ausbildung von sekundären Phasen sowie die Segregation der Fremdatome nicht zu erwarten. Dennoch könnte eine laterale Konzentrationsmodulation zusätzlich zu der Musterbildung auftreten und diese beeinflussen.iii) Und schließlich soll der komplexe Fall der Musterbildung mit metallischen Fremdatomen, die mit dem Si sekundäre Phasen bilden (Silizide) oder entmischen können, untersucht werden. Dies soll ebenfalls mittels Beschuss von Si und Ge Oberflächen mit Ionenstrahlen ausgewählter Metalle durchgeführt werden. Aufgrund der besonderen Bedeutung sollen dazu Fe, als vorwiegend auftretendes Fremdatom beim Sputtern, Ga als Ionen der fokussierten Ionenstrahlen und Bi als Vergleich zum TP9 (Bischoff/Heinig) für komplementäre Untersuchungen zur neuartigen Musterbildung durch Clusterionen eingesetzt werden.