磁性酸化物およびその人工格子の単結晶薄膜の生成と表面、界面の物性

磁性氧化物及其人工晶格单晶薄膜的形成以及表面和界面的物理性质

基本信息

  • 批准号:
    01604569
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.47万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

前年度はサファイヤのC面を基板とした酸化鉄薄膜の成長と磁性について検討したが、本年度はMgO(100)面に成長した薄膜の研究を行なった。薄膜作製条件として基板温度、酸素圧を変化させると、Fe、Fe_3O_4、Fe_<3-x>O_4のエピタキシャル薄膜が得られた。サファイヤC面の基板ではα-Fe_2O_3が生成する領域でFe_<3-x>O_4が得られ、基板面の対象性により生成する結晶が異なることがわかった。ミスマッチが0.2%と小さく、4軸X線回折によって面内と面間の格子常数を測定すると面内では格子はMgOと同じ値でFe_3O_4のバルク値より大きく、逆に面に垂直方向では小さい値を示した。結晶は弾性歪を受け、このためスピン軸は垂直方向成分が多くなっている。1.8kまで作動する内部転換電子メスバウア効果(CEMS)用カウンタ-の作製に成功し、それを用いて基板との界面、あるいは表面5Åの厚さにのみ^<57>Fe(〜0.1/μg)を含むFe_3O_4膜について室温、液体窒素、液体ヘリウム温度で測定した結果、表面の電子状態について次のような結晶を得た。(1)Fe_3O_4の最表面までFe^<2+>が存在し、(2)フェベ-転移が内部と同じように生じているが、(3)Fe_3O_4(100)表面のFe^<2+>は(111)表面より少なくなっている。これは結晶表面の構造の差によるもので(111)面の最表面は酸素の原子層で終り、Fe^<2+>が安定であるのに対し、(100)面は酸素と鉄の原子層で終り、吸着酸素などの影響が現われたものである。(4)表面のFeの内部磁場の値は結晶内部の値とほとんど同じであった。以上の結果は表面の電子状態が内部と同じであることを示し、これは従来いわれてきたものとはかなり異なっている。本研究の結果は結晶本来の性質とみなすことができる。微粒子の表面磁性の内部磁場がバルクよりかなり低くなるのは、結晶状態や吸着分子などによりきれいな表面でないための2次元的な原因によるものと考えている。
In the past year, the growth and magnetic properties of Fe thin films on MgO(100) surface were studied. The preparation conditions of the thin film include substrate temperature, acid pressure, Fe, Fe_3O_4 and <3-x>Fe_2O_4. The α-Fe_2O_3 formation region of the substrate on the C-plane is Fe_2O_4 <3-x>formation region, and the crystal formation region on the substrate surface is Fe_2O_4 formation region. 4-axis X-ray reflection: In-plane and in-plane lattice constant: In-plane lattice MgO: In-plane lattice constant: Fe_3O_4: In-plane lattice constant: In-plane lattice constant: In-plane The crystal has a vertical axis and a vertical axis. 1.8k internal electron transfer failure effect (CEMS) was successfully fabricated using a thin film, including a thin film of <57>Fe_3O_4 (~ 0.1/μg) with a thickness of 5 μ m on the substrate and a thin film of Fe_3O_4 on the surface. (1)Fe Fe^&lt;2+&gt; exists on the outermost surface of Fe_3O_4,(2) Fe ^&lt;2+&gt; exists on the inner surface of Fe_3O_4(100),(3) Fe^&lt;2+&gt; exists on the surface of Fe_3O_4(111). The structure of the crystal surface is different, and the atomic layer of the (111) surface is different. Fe^&lt;2+&gt; is stable, and the atomic layer of the (100) surface is different. The influence of adsorption of acid is different. (4)The internal magnetic field of Fe on the surface is different from that of the crystal. The above results show that the electronic state of the surface is the same as that of the surface. The results of this study are contrary to the intrinsic properties of crystals. The internal magnetic field of surface magnetism of micro-particles is low, crystalline state and adsorption molecule are low, surface magnetism is high, and the cause of 2-D magnetism is low.

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Fujii: "CEMS Study of the Growth and Properties of Fe_3O_4 Films" J.Cryst.Growth.
T.Fujii:“Fe_3O_4 薄膜的生长和性能的 CEMS 研究”J.Cryst.Growth。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Fujii: "Depth Selective Mossbauer Spectroscopic Study of Fe_3O_4 Epitaxial Films" J.Appl.Phys.
T.Fujii:“Fe_3O_4 外延膜的深度选择性穆斯堡尔光谱研究”J.Appl.Phys。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T. Fujii: "Preparation and characterization of (111)-oriented Fe_3O_4 films deposited on sapphire" J. Appl. Phys., 66, 3168-3172 (1989).
T. Fujii:“沉积在蓝宝石上的 (111) 取向 Fe_3O_4 薄膜的制备和表征”J. Appl。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

坂東 尚周其他文献

坂東 尚周的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('坂東 尚周', 18)}}的其他基金

高温超伝導の科学:高温超伝導体の合成プロセスと新物質探索
高温超导科学:高温超导体的合成过程及新材料的寻找
  • 批准号:
    04240108
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
新高温超伝導酸化物の化学設計とプロセッシング・第1班(新物質・新組成・相図班)
新型高温超导氧化物的化学设计与加工-第1组(新材料、新成分、相图组)
  • 批准号:
    03211101
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
新高温超伝導酸化物の化学設計とプロセッシング・第1班(新物質・新組成・相図班)
新型高温超导氧化物的化学设计与加工-第1组(新材料、新成分、相图组)
  • 批准号:
    02227102
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
新高温超伝導酸化物の化学設計とプロセッシング.第1班(新物質.新組成.相図班)
新型高温超导氧化物的化学设计和加工第一组(新材料、新成分、相图组)。
  • 批准号:
    01645002
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
磁性酸化物人工超格子単結晶膜の作製と物性
磁性氧化物人工超晶格单晶薄膜的制备及物理性能
  • 批准号:
    63604562
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
蒸着法による人工格子薄膜の生成と物性
气相沉积法人工晶格薄膜的制备及其物理性能
  • 批准号:
    56430013
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)

相似海外基金

イオン液体を介した真空プロセスによるハライドペロブスカイト単結晶薄膜の創製
离子液体真空工艺制备卤化物钙钛矿单晶薄膜
  • 批准号:
    24KJ2036
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
10mm級大面積の単結晶薄膜ハライドペロブスカイト実現に向けた結晶成長技術の開発
开发晶体生长技术实现10mm级大面积单晶薄膜卤化物钙钛矿
  • 批准号:
    24K08273
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
SBIR Phase II: Roll-to-Roll Manufacturing of Highly Crystalline Thin Film Semiconductor Substrates for Flexible Electronics
SBIR 第二阶段:用于柔性电子产品的高结晶薄膜半导体基板的卷对卷制造
  • 批准号:
    2026115
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
SBIR Phase I: Roll-to-Roll Manufacturing of Highly Crystalline Thin Film Semiconductor Substrates for Flexible Electronics
SBIR 第一阶段:用于柔性电子产品的高结晶薄膜半导体基板的卷对卷制造
  • 批准号:
    1819961
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Standard Grant
EAPSI: Environmental Testing of Multi-Crystalline Thin Film Solar Cells
EAPSI:多晶薄膜太阳能电池的环境测试
  • 批准号:
    1714058
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Fellowship Award
Investigation of growth mechanism of single-crystalline thin film on single-crystalline substrate with different crystal orientation
不同晶向单晶衬底上单晶薄膜的生长机理研究
  • 批准号:
    16H04545
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Crystalline thin film growth in anisotropic mixtures: a combined approach by experiment, theory and simulation
各向异性混合物中的晶体薄膜生长:实验、理论和模拟相结合的方法
  • 批准号:
    271660218
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Research Grants
Fabrication of layered Bi oxide single crystalline thin film with anomalous valence by developing reductive solid phase epitaxy
还原固相外延制备层状反常价态氧化铋单晶薄膜
  • 批准号:
    26600091
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
ゼロ磁化ハーフメタル実現に向けたダブルペロブスカイト単結晶薄膜の作製
双钙钛矿单晶薄膜的制备以实现零磁化半金属
  • 批准号:
    13J09038
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ガラス基板上への層状酸化物単結晶薄膜の作製
玻璃基板上层状氧化物单晶薄膜的制备
  • 批准号:
    21360319
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了