Investigation of growth mechanism of single-crystalline thin film on single-crystalline substrate with different crystal orientation

不同晶向单晶衬底上单晶薄膜的生长机理研究

基本信息

  • 批准号：
    16H04545
  • 负责人：
    Doi Toshiya
  • 金额：
    $ 11.15万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Possibility of material cost reduction toward development of low-cost second-generation superconducting wires
  • DOI：
    10.7567/jjap.56.103101
  • 发表时间：
    2017-09
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    A. Ichinose;S. Horii;T. Doi
  • 通讯作者：
    A. Ichinose;S. Horii;T. Doi
電磁鋼板を基材とした酸化物中間層成膜プロセスの改善及びYBCO薄膜の作製
氧化物中间层沉积工艺改进及以电工钢板为基材制备YBCO薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    田所 朋;樋口 甲太郎;堀井 滋;土井 俊哉;一瀬 中
  • 通讯作者：
    一瀬 中
配向Cuテープを基材に用いたYBCO線材の導電性中間層の 抵抗率評価
以取向铜带为基材的YBCO线导电中间层电阻率评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    土井俊哉，川山巌，濱田剛;井上靖也,一瀬中
  • 通讯作者：
    井上靖也,一瀬中
導電性中間層を用いたYBCO線材のクエンチ発生時における電流回避挙動の解析
使用导电中间层的 YBCO 线发生失超时的电流避免行为分析
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    村本 周平;井上 靖也;太田 圭佑;川山 巌;土井 俊哉
  • 通讯作者：
    土井 俊哉
Development of YBa2Cu3O7 coated conductors using an electromagnetic steel tape
使用电磁钢带开发 YBa2Cu3O7 涂层导体
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    N. Terao;K. Higuchi;S. Horii;A. Ichinose;T. Doi
  • 通讯作者：
    T. Doi
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    章彦 田中;Tanaka Akira;俊哉 土井;Doi Toshiya;Iwasaki Ikumi;育美 岩崎;Hakuraku Yoshinori;善則 白樂;仁 北口;Kitaguchi Hitoshi;高橋 健一郎;Takahashi Ken;聰 波多;Hata Satoshi
  • 通讯作者：
    Hata Satoshi
Greatly enhanced flux pinning properties of fluorine-free metal organic decomposition YBCO films by co-addition of halogens (Cl, Br) and metals (Zr, Sn, Hf)
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    0
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    Motoki Takanori;Ikeda Shuhei;Nakamura Shin-ichi;Honda Genki;Nagaishi Tatsuoki;Doi Toshiya;Shimoyama Jun-ichi
  • 通讯作者：
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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  • 资助金额：
    $ 11.15万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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