ゼロ磁化ハーフメタル実現に向けたダブルペロブスカイト単結晶薄膜の作製
双钙钛矿单晶薄膜的制备以实现零磁化半金属
基本信息
- 批准号:13J09038
- 负责人:
- 金额:$ 1.54万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
パルスレーザー堆積法を用いて、新たな物性を有する種々のダブルペロブスカイト型材料の探索を進めた。パルスレーザー堆積法によって蒸着された酸素欠損Sr2MgMoO6薄膜について、これまで使用していたSrTiO3基板に代わり、より格子整合の優れたGdScO3基板を用いて、基板の格子定数の依存性を調べた。その結果、酸素欠損Sr2MgMoO6薄膜はSrTiO3基板上には格子整合しなかったが、GdScO3基板上では面内の格子定数が一致しており、薄膜がコヒーレント成長していることが明らかになった。また前者に比べて後者は結晶性が向上すると同時に電気抵抗率が低下することを見出した。酸素欠損したSr2MgMoO6薄膜の電気抵抗率の温度依存性を解析したところ、電気伝導の形態がVariable range hoppingで説明できることを見出した。これは電気伝導を担うMoの4d軌道がMgによって空間的に分断されていることに由来すると考えられる。この結果は、Sr2MgMoO6薄膜のMg/Moのディスオーダーの増加も電気抵抗率の低下につながることを示唆する。また、上記以外のダブルペロブスカイト探索の一環として、Sr2CrRuO6薄膜の合成に着手した。パルスレーザー堆積法は一般に原料から薄膜への化学組成の転写に優れる手法といわれているが、この系においては薄膜中のRuの量が著しく低下することが判明した。このため減量中のRuの量を過剰にすることで、Ru/Cr比を1:1に近づけることができた。今後の課題として、酸素欠損の抑制や秩序構造の制御など、さらなる製膜条件の最適化が課題である。
A new type of material has been developed by using the method of stacking. In the case of SrTiO3 substrate, the lattice integration of SrTiO3 substrate is optimized by the method of deposition, and the lattice number dependence of substrate is adjusted. As a result, the acid-deficient Sr2MgMoO6 thin film is integrated into the lattice on the SrTiO3 substrate, the number of lattices in the plane on the GdScO3 substrate is consistent, and the thin film grows rapidly. The former is more crystalline than the latter, and the electrical resistivity is lower. Analysis of temperature dependence of electrical resistivity of Sr2MgMoO6 thin films due to acid deficiency, description of electrical conductivity and Variable range hopping The 4d orbitals of Mo and Mg are separated from each other. The results show that the Mg/Mo ratio of Sr2MgMoO6 thin films increases and the resistance to electrical current decreases. In addition to the above, the synthesis of Sr2CrRuO6 thin films has been explored. In general, the method of Ru deposition is to determine the optimum chemical composition of the raw materials and the amount of Ru in the thin films. The Ru/Cr ratio is 1:1. The future problems include: the suppression of acid deficiency, the control of order structure, and the optimization of film formation conditions.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Sr2MgMoO6-δ thin films fabricated using pulsed-laser deposition with high concentrations of oxygen vacancies
采用脉冲激光沉积制备的高浓度氧空位 Sr2MgMoO6-δ 薄膜
- DOI:10.1063/1.4886136
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:K. Shigematsu;A. Chikamatsu;T. Fukumura;S. Toyoda;E. Ikenaga and T. Hasegawa
- 通讯作者:E. Ikenaga and T. Hasegawa
Metallic transport and large anomalous Hall effect at room temperature in ferrimagnetic Mn4N epitaxial thin film
- DOI:10.1063/1.4893732
- 发表时间:2014-08
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Xiao Shen;A. Chikamatsu;K. Shigematsu;Y. Hirose;T. Fukumura;T. Hasegawa
- 通讯作者:Xiao Shen;A. Chikamatsu;K. Shigematsu;Y. Hirose;T. Fukumura;T. Hasegawa
SrRu0.5Cr0.5O3エピタキシャル薄膜の作製及び物性評価
SrRu0.5Cr0.5O3外延薄膜的制备及物理性能评价
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Katayama;A. Chikamatsu;Y. Hirose;H. Kumigashira;T. Fukumura;and T. Hasegawa;山田 佳補,近松 彰,重松 圭,福村 知昭,長谷川 哲也
- 通讯作者:山田 佳補,近松 彰,重松 圭,福村 知昭,長谷川 哲也
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