酸化物超伝導体を用いた電荷量子三端素子の研究
氧化物超导体电荷量子三端器件研究
基本信息
- 批准号:01644514
- 负责人:
- 金额:$ 4.35万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1989
- 资助国家:日本
- 起止时间:1989 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
rf-2極スパッタ法によってBi系高温超伝導体薄膜を作製し、その基礎特性を調べた。膜厚の異なる試料の抵抗の温度依存性は、その面抵抗の値によって2つに分類されることを見いだした。面抵抗の値が臨界値(理論的にはRc〓6.45KΩ)よりも小さい試料では低温で超伝導転移を示すが、臨界値よりも大きい場合には急激な抵抗の上昇を示す。これらの両者の薄膜に関して電気的特性を調べた結果、前者の超伝導転移を示す膜に於いては、金属超伝導体の超薄膜で観測される様に熱的に励起されたボルテックスの対破壊によるKosterlitz-Thouless(K-T)転移が観測された。これは微粒子の2次元配列を反映したものであり、微粒子間の接合はJosephson接合になっているものと考えられる。これに対し、後者の超伝導転移を示さない薄膜に於いては、前者とは電気的に全く双対な関係にある特性が観測されている。これはボルテックスに関するK-T転移とは双対な電荷ソリトンの対-破壊に関するK-T転移が観測されており、この場合には2次元配列した微粒子間の接合は、Josephson接合とは双対な関係にある位相量子トンネル(PQT)接合となっているものと考えられる。Josephson接合のアレイであるSQUIDに磁界を印加した場合には、各々の接合間の臨界電流の変化のためにSQUID端子間の電圧が磁界に対して周期的な変化をするが、これと双対な作用として、PQT接合のアレイに電界を印加するとアレイ端子間電流が周期的な変化を示すことが予想される。この電界量子効果を利用するため、PQT接合のアレイとなっていると考えられる薄膜をチャネル部に用いたFET構造を持つ三端子を試作しその特性を調べた。現段階では微粒子間の粒界が不明瞭であることや、微粒子径のばらつきのために期待する応答を得るに至っていない。しかし、今後これらのパラメ-タを調整することにより新しい量子効果である電荷電子効果を用いた電子デバイスを作製していく計画である。
The rf-2 pole スパッタ method is produced by Bi-based high-temperature superconductor thin film, and the basic characteristics of the RF-2 pole are adjusted. The film thickness is different and the sample resistance is temperature dependence, and the surface resistance is different and the temperature dependence is different. The critical value of surface resistance (theoretical Rc is 6.45KΩ) is small and the sample is low Temperature exceeds the value of the guide switch, and the critical value indicates the rise of the critical value. The characteristics of the thin film and the electric conductor are the results, the former is the superconductor and the film is the same, and the metal superconductor is the ultrathin film and is measured.れる様に热に日出されたボルテッスの対breaker壊によるKosterlitz-Thouless(K-T)転动が観measurementされた. The 2-dimensional arrangement of fine particles reflects the reflection, and the joint between the fine particles is the Josephson joint.これに対し, the latter's のsuper-guided change をshows さない film に in いては, and the former とは电気's に全く双対な Relationship にあるcharacteristics がmeasurement されている.これはボルテックスに关するK-T転movable とは双対なcharge ソリトンの対-Broken Pass するK-T転movable が観measurement されており、このoccasion には 2-dimensional matching The connection between the column particles, the Josephson connection and the relationship between the two pairs of particles, the phase quantum technology (PQT) connection and the connection between them. Josephson joint's のアレイであるSQUID Magnetic boundary をInca した occasion には, critical current between each 々の joint の変化 のためにSQUID Terminal のelectrical pressure が Magnetic boundary に対The な変化をするが of the して cycle, the これと双対なeffect として, and the PQT bonding のアレイにThe electrical circuit is connected to the current cycle between the terminals and the current cycle is changed.この电界quantum effectをutilizationするため、PQT joint のアレイとなっていると考えられThe thin film をチャネルに adopts a いたFET structure and has a three-terminal を trial production and a しそのcharacteristics are adjusted. At this stage, the particle boundaries between microparticles are unclear, and the diameter of microparticles is expected to be determined.しかし、From now on これらのパラメ-タをAdjustmentすることにより新しいQuantum Effectであるcharged electronic effectをproduced by いた电デバイスをしていく planである.
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Akeyoshi,N.Yoshikawa,T.Akiyama and M.Sugahara: "FET Structure with Channel Composed of Highly Resisive Thin Film of BSCCO." Extended Abstracts of Future Electron Device(FED)High Tc Superconductor-Electronic Device(HiTcSc-ED).(2nd Workshop). 247-252 (198
T.Akeyoshi、N.Yoshikawa、T.Akiyama 和 M.Sugahara:“通道由 BSCCO 高阻薄膜组成的 FET 结构”。
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T.Akeyoshi,N.Yoshikawa,K.Ichihara and M.Sugahara: "Conduction Properties and Electronic Field Effect of Granular Thin Films of Bi-Sr-Ca-Cu-O." Extended Abstracts of International Superconductivity Electronics Conference(ISEC'89). 334-337 (1989)
T.Akeyoshi、N.Yoshikawa、K.Ichihara 和 M.Sugahara:“Bi-Sr-Ca-Cu-O 颗粒薄膜的导电特性和电子场效应”。
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菅原 昌敬其他文献
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