酸化物超伝導体を用いた電荷量子三端子素子の研究
氧化物超导体电荷量子三端器件研究
基本信息
- 批准号:02226214
- 负责人:
- 金额:$ 4.22万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1990
- 资助国家:日本
- 起止时间:1990 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
非常に微小な超伝導接合で生じると考えられるジョセフソン効果と双対な電荷量子効果を利用して、超伝導三端子素子を実現することが本研究の目的である。前年度までの研究では、金属微粒子超伝導体を用いた電界効果トランジスタ型の試料を作製し、微粒子接合の電界効果の基礎特性を明らかにした。これらの素子をBi系酸化物超伝導体を用いて実現すべく、現在研究を続けている。Bi系酸化物超伝導体薄膜はマグネトロンスパッタ法により成膜した。得られた膜はc軸配向した低T_O相の多結晶膜である。膜厚が数百A^^゚以上の場合、これらの膜はasーgrownでT_<oend>〜60Kの超伝導特性を示した。これらの膜について、まず超伝導転移特性を調べた。その結果、超伝導特性を示す膜の転移特性は、磁束量子に対するコスタリルッツーサウレス効果に支配され、膜がジョセフソン接合の2次元アレイ的に振舞うことがわかった。一方、膜厚が非常に薄い場合には膜は超伝導特性を示さず、抵抗値は2次元ホッピングモデルあるいは半導体モデルに従い、低温で急激に増加した。この様な抵抗の増加は、微粒子が金属的なものであるとすれば、粒界における電荷輸送機構に関連していると考えられる。次に超伝導特性を示さないBi系薄膜の電界効果を調べるために、電界効果トランジスタ型の試料を作製し、4.2KにおけるBi系薄膜のコンダクタンスの電界依存性を調べた。これよりゲ-ト電圧の印加に対して、Bi系薄膜のコンダクタンスが非周期的な変調を受けることがわかった。これらの電界効果が生じる原因としては、酸化物超伝導体の導伝面の層状構造に起因した効果や、ジョセフソン効果と双対なPQT効果などが考えられる。これらの機構を明らかにするため現在実験を進めている。
The purpose of this study is to investigate the generation of very small superconducting junctions and the realization of double-pair charge quantum effects. In the past year, the research on the preparation of metal particle superconductors and the basic characteristics of metal particle superconductors has been carried out. The present research on the application of Bi-based superconductors in the field of electron transfer has been carried out. Bi-based superconductors are produced by a process known as a film forming process. The results show that the c-axis alignment of the film is lower than that of the polycrystalline film. When the film thickness is several hundred A^^or more, the film is grown at T_<oend>~ 60K and the superconducting characteristics are shown. The film has a high conductivity and high conductivity. The results show that the transition characteristics of the film are dominated by the magnetic beam quantum response and the two-dimensional transition characteristics of the film quantum response. For example, when the film thickness is very thin, the film conductivity is displayed, and the resistance value is increased under high temperature. The resistance of these particles increases, and the particles are related to the charge transport mechanism of the metal. Second, the conductivity characteristics of Bi-based thin films were investigated. The electrical properties of Bi-based thin films were tuned at 4.2 K. For example, the voltage of the Bi-based thin film is not periodic. The reason for the occurrence of this electric field effect is due to the layered structure of the conductive surface of the acidified superconductor. This is the first time that I've seen this.
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Sugahara: "StructureーParameter Dependence of Modality of Macroscopic Quantum Effect in Superconductor Function(II)" Japanese Journal of Applied Physics. 30. 263-273 (1991)
M.Sugahara:“超导函数中宏观量子效应模态的结构参数依赖性(II)”日本应用物理学杂志 30. 263-273(1991)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Akeyoshi: "Dual Temperature Dependence of Conductivity Found in BiーSrーCaーCuーO Thin Film" Physica B. 165. 1613-1614 (1990)
T.Akeyoshi:“Bi-Sr-Ca-Cu-O 薄膜中电导率的双重温度依赖性”Physica B. 165. 1613-1614 (1990)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Sugahara: "Charge and Flux Fluctuation and New Macroscopic Quantum Effect in Weakly Linked Superconductor Functions" Physica B. 165. 937-938 (1990)
M.Sugahara:“弱关联超导函数中的电荷和通量涨落以及新的宏观量子效应”Physica B. 165. 937-938 (1990)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Akeyoshi: "Transition Properties of 2D Granular Thin Films of BiーSrーCaーCuーO" to be published on IEEE Transactions on Magnetics. MAGー27. (1991)
T.Akeyoshi:“Bi-Sr-Ca-Cu-O 的二维颗粒薄膜的过渡特性”将发表在 IEEE MAG-27 上。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Sugahara: "Prospect of ChargeーQuantum FieldーEffect Transistor Using Superconductor" Proceeding of 9th Symposium on Future Electron Devices. 59-64 (1990)
M.Sugahara:“使用超导体的电荷量子场效应晶体管的展望”第九届未来电子器件研讨会论文集59-64(1990)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
菅原 昌敬其他文献
菅原 昌敬的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('菅原 昌敬', 18)}}的其他基金
ナノメータ微粒子薄膜ブリッジ接合を用いた単電子デバイスの研究
纳米颗粒薄膜桥接单电子器件研究
- 批准号:
08247210 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
酸化物超伝導体を用いた電荷量子三端子素子の研究
氧化物超导体电荷量子三端器件研究
- 批准号:
03210216 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
酸化物超伝導体を用いた電荷量子三端素子の研究
氧化物超导体电荷量子三端器件研究
- 批准号:
01644514 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
位相結合回路によるジョセフソン論理回路の研究
基于相位耦合电路的约瑟夫森逻辑电路研究
- 批准号:
56203007 - 财政年份:1981
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
準粒子流制御形膜厚可変超伝導マイクロブリッジの研究
变厚度准粒子流控制超导微桥研究
- 批准号:
X00040----520708 - 财政年份:1980
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
ブリッジ形ジョセフソン素子を用いたシフトレジスク
使用桥式约瑟夫森元件的移位电阻
- 批准号:
X00090----255116 - 财政年份:1977
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
計算機応用に適したジョゼフソン素子構造の研究
适合计算机应用的约瑟夫森器件结构研究
- 批准号:
X00090----155115 - 财政年份:1976
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
超電導多層膜交流電力ケーブルの交流特性に関する研究
超导多层交流电力电缆交流特性研究
- 批准号:
X00090----955077 - 财政年份:1974
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
大電流高電圧クライオトロン
大电流高压低温管
- 批准号:
X46095-----85537 - 财政年份:1971
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
相似海外基金
Bi系酸化物超伝導体高品質薄膜を用いた超伝導三端子素子の電界効果に関する研究
高品质铋基氧化物超导薄膜超导三端器件电场效应研究
- 批准号:
05750288 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
位相制御形超伝導三端子素子に関する研究
相控超导三端器件研究
- 批准号:
03750326 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
超伝導三端子素子の基礎研究
超导三端器件基础研究
- 批准号:
02952162 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (Research Fellowship)
高温酸化物超伝導体を注入電極に用いた超伝導三端子素子の製作
高温氧化物超导体作为注入电极制备超导三端器件
- 批准号:
02855102 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 4.22万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)














{{item.name}}会员




