ナノメータ微粒子薄膜ブリッジ接合を用いた単電子デバイスの研究

纳米颗粒薄膜桥接单电子器件研究

基本信息

  • 批准号:
    08247210
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.96万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

微小トンネル接合の2次元アレイとしてモデル化される金属微粒子薄膜の寸法を、電荷ソリトンの寸法に比べて十分小さくすると、1次元アレイあるいは単接合のように明確な単一電子トンネル効果が期待でき、単一電子デバイスの動作温度を飛躍的に増加させることができる。本研究では金属微粒子薄膜をナノメータ寸法のブリッジ型素子に加工し、電界効果型の単電子トランジスタを作製し、これらの高感度センサ、論理回路、新機能デバイスへの応用を目指した。本年度では以下の結果を得た。1.走査トンネル顕微鏡によりNbN,Pd,Au,NbN/BN Cermet等の各種の薄膜の微粒子構造を観察し、微粒子粒径が小さく均一な微粒子薄膜の探索を行った。その結果、Pd微粒子薄膜が良好な微粒子構造を有することが明かとなった。2.Pd微粒子薄膜を用いたブリッジ素子を作成し、低温における電子伝導特性を調べた。これより、粒界微小トンネル接合のチャージングエネルギーを導出し、構造から得られる理論値と良く一致することを示した。さらに、低温における電子伝導特性が、正負の電荷ソリトンの結合に起因した電荷KT効果に支配されることを示した。3.NbN微粒子薄膜を用いたナノメータ微粒子薄膜ブリッジ素子を作製し、これらの低温での電子伝導特性ならびにゲート電界印加効果を調べた。これにより、本素子が単電子トンネル接合の擬1次元的な電子伝導特性を持つことを明らかにした。しかしながら、得られた電界効果の大きさは、理論から期待される大きさに比べて小さいことがわかった。この理由として、接合パラメータの分布効果と薄膜周辺の固定電荷の存在が考えられる。そのため、数値シミュレーションにより2次元アレイの電子伝導特性のパラメータ分布効果を調べ、固定電荷の存在により電界効果の振幅が劇的に減少することを見出した。
The size and charge distribution of metal particle thin films for micro-particle bonding are very small compared with those for single-particle bonding. The size and charge distribution of single-particle thin films for micro-particle bonding are very small compared with those for single-particle bonding. The operation temperature of single-particle bonding is expected to increase. In this study, the metal particle thin film is used for the processing of thin film elements, the control of electronic phase, the high sensitivity of the circuit, the logic circuit, and the application of new function elements. The following results were achieved during the year. 1. To investigate the structure of fine particles in various thin films such as NbN,Pd,Au,NbN/BN Cermet, etc., and to explore the fine particle thin films with small and uniform particle sizes. As a result, Pd particle thin films have good particle structure. 2. Pd particle thin films are made of thin films of Pd particles, and their electron conduction characteristics are modulated at low temperatures. The structure of the structure is very small. In addition, the electron conduction characteristics at low temperatures, the combination of negative and negative charges, and the effect of charge KT on the electron conduction characteristics are shown. 3. NbN fine particle thin films are used to prepare fine particle thin films, and the electron conduction characteristics at low temperatures are modulated. The electron conduction properties of the electron bond in the first dimension are different. The power of the universe is greater than the power of the universe. The power of the universe is greater than the power of the universe. The reason for this is that the distribution of the junction and the existence of fixed charges at the periphery of the film are examined. The distribution of electron conduction characteristics in two-dimensional space is modulated, and the amplitude of electron conduction characteristics in two-dimensional space is reduced due to the existence of fixed charges.

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
M.Sugahara,X.-Y.Han,H.-F.Lu,A.Ito,S.Maejima,S.-B.Wu,H.Gao,K.Uno,N.Haneji,H.Kaneda and N.Yoshikawa: "Anomalous Effect in La_<2-X>Sr_XCuO_4 of Doping Level x=1/4^n" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 1221-1224 (1996)
M.Sugahara、X.-Y.Han、H.-F.Lu、A.Ito、S.Maejima、S.-B.Wu、H.Gao、K.Uno、N.Haneji、H.Kaneda 和 N
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    0
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N.Yoshikawa,H.Kimijima,N.Miura and M.Sugahara: "Single-Electron-Tunneling Effect in Nanoscale Granular Microbridge" Japanese Journal of Applied Physics. 36(掲載予定). (1997)
N. Yoshikawa、H. Kimijima、N. Miura 和 M. Sugahara:“纳米级颗粒微桥中的单电子隧道效应”,《日本应用物理学杂志》36(待出版)。
  • DOI:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
N.Yoshikawa,Y.Jinguu,H.Ishibashi and M.Sugahara: "Complementary Digital Logic Using Resistively Coupled Single Electron Transistor" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 1140-1145 (1996)
N.Yoshikawa、Y.Jinguu、H.Ishibashi 和 M.Sugahara:“使用电阻耦合单电子晶体管的互补数字逻辑”日本应用物理学杂志。
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    0
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H.Su,N.Yoshikawa and M.Sugahara: "Study of electrical conduction properties of NbN thin films using NbN/MgO/NbN double tunnel junctions" Superconductor Science & Technology. 9. A152-A155 (1996)
H.Su、N.Yoshikawa 和 M.Sugahara:“使用 NbN/MgO/NbN 双隧道结研究 NbN 薄膜的导电特性”超导科学
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