CVD法によるITO透明導電性薄膜の合成

CVD法合成ITO透明导电薄膜

• 批准号: 02205067
• 负责人: 丸山 敏朗
• 金额: $ 1.09万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02205067/
• 关键词: 酸化インジウム; 酸化錫; 透明導電膜; 薄膜; 化学気相成長法; 熱,分解反応; 酢酸インジウム; 2エチルヘキサン酸インジウム

酢酸インジウムと酢酸第一錫を用いたITO薄膜の合成方法を明らかにした。この系は反応温度が300℃と低いところに特色がある。さらに原料として新たにてエチルヘキサン酸インジウムを用いることにより、In_2 O_3薄膜の低温合成を可能ならしめた.この原料に対する錫のド-ピング剤として塩化第二錫を用いて、反応温度400℃で導電性の優れたITO膜を合成する方法を明らかにした。低抗事の最小値(2.9×10^<ー4>Ωcm)は原子比sn/In=0.08で与えられ、膜厚430mmの膜の表面抵抗は6.9Ω/□となる。また、膜の透過率は、波長550nm以上で80%以上である。ほかに、Snド-プが結晶の(400)面の配向性を強め、結晶粒径を増大させることなどを明らかにした。以上の研究と並行して、2エチルヘキサン酸インジウム原料に対するフッ素のド-ピング剤としてフッ化錫を用いればこれまでCVD法では困難とされていたフッ素のド-ピングが可能となることを明らかにし、導電性の優れたIn_2O_3=F(FIO)膜の合成法を示した。抵抗率の最小値(2.89×10^<ー4>Ω・cm)は反応温度400℃で与えられ、膜厚57.8nmの膜の表面抵抗は50Ω/□となる.また膜の透過率は可視域の大部分(波長470〜700nm)で85%以上である.ほかに、反応温度400℃以上での抵抗率の増加は不十分なフッ素のド-ピングに基づくキャリア濃度の低下に起因するものであり、反応温度400℃以下での抵抗率の増加は不十分な結晶成長に基づくHall移動度の減少によるものであること、フッ素添加による光学的エネルギ-ギャップの変化は認められないこと、わずかのフッ素添加が成膜速度を速め、結晶の(400)面の配向性を強めることなどを明らかにした.

The first sulfuric acid was synthesized by the synthesis method of ITO film. The temperature is 300 ℃, the temperature is low, and the temperature is low. It is possible that the low temperature synthesis of In_2 OB3 thin films may be due to the formation of new raw materials. The method of synthesis of ITO film was proved by the temperature of 400 ℃ and the temperature of 400 ℃. Low resistance "minimum" (2.9x10 ^ & lt; 4mmgt; Ω cm) "atomic ratio sn/In=0.08" and "film thickness" 430mm "film" surface resistance "6.9Ω

项目成果

Toshiro Maruyama: "FluorineーDoped Tin Dioxide Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition" Journal of Applied Physics. 67. 4282-4285 (1990)

Toshiro Maruyama：“化学气相沉积制备的氟掺杂二氧化锡薄膜”应用物理学杂志 67. 4282-4285 (1990)。

丸山 敏朗: "CVD法による透明導電性薄膜の合成" ケミカルエンジニヤリング. 36. 154-163 (1991)

Toshiro Maruyama：“CVD法合成透明导电薄膜”《化学工程》36. 154-163 (1991)。

Toshiro Maruyama: "IndiumーTin Oxide Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition from Metal Acetate" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L355-L357 (1990)

Toshiro Maruyama：“通过金属醋酸盐化学气相沉积制备氧化铟锡薄膜”，《日本应用物理学杂志》29。L355-L357（1990）。

Toshiro Maruyama: "FluorineーDoped Indium Oxide Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 29. L1705-L1707 (1990)

Toshiro Maruyama：“化学气相沉积制备的掺氟氧化铟薄膜”，日本应用物理学杂志 29。L1705-L1707 (1990)