光CVD法による酸化亜鉛薄膜の合成

光化学气相沉积法合成氧化锌薄膜

基本信息

  • 批准号:
    63550707
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1988
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1988 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

有機金属化学気相成長(MOCVD)法によって、ジメチル亜鉛と二酸化炭素または酸素とから酸化亜鉛薄膜を形成する際の光照射の効果について実験的に研究し、以下の点を明らかにした。1.基板温度200℃以上で、C軸配向性の強い多結晶薄膜が形成される。2.光照射によって成膜速度を増加させることができる。3.基板加熱なしの光化学反応のみによっては成膜できない。すなわちMOCVD法の律速過程は変化せず、反応の活性化エネルギーは大きく変化しない。4.結晶化の転移温度も光照射によって変化せず、膜の表面形態、結晶の質、電気的特性などに対してもきわだったプラスの効果はない。5.光照射による膜の抵抗率の変化は、光照射による成膜速度の変化に対応し、化学量論比のズレによるものと考えられる。6.波長184.9nmの光は成膜を遅らせる働きをし、253.7nmの光は成膜を加速する方向に作用する。7.成膜速度およびそれに対する光照射の効果は、反応器の形状に強く依存する。縦型反応器では光照射により成膜が加速される。一方、横型反応器では逆に光照射により成膜速度が低下する。以上のうち、6と7の興味深い知見については、さらに研究を堀り下げその機構を解明することが必要であると考えられる。
The effect of light irradiation on the formation of lead oxide films by organic metal chemical vapor deposition (MOCVD) is studied. The following points are discussed. 1. When the substrate temperature is above 200℃, the strong polycrystalline thin film with C-axis alignment is formed. 2. Light irradiation increases the film formation rate. 3. Substrate heating and photochemical reaction MOCVD process speed change, reaction and activation process change. 4. Crystallization temperature, light irradiation, surface morphology, crystal quality, electrical properties, etc. 5. The change of film resistance under light irradiation, the change of film formation rate under light irradiation, the change of chemical ratio, and the change of film formation rate under light irradiation 6. 184.9 nm light film formation direction, 253.7 nm light film formation direction 7. The film formation rate depends on the shape of the reflector. A type of reflector accelerates film formation by light irradiation. A square, horizontal reflector is the opposite of the light irradiation, film formation speed is low. The above is the most interesting and profound knowledge, and the research is necessary to explain the organization.

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
丸山敏朗: ケミカル・エンジニヤリング. 32. 30-35 (1987)
丸山敏郎:化学工程。32. 30-35 (1987)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
丸山敏朗: ケミカル・エンジニヤリング. 33. 20-25 (1989)
丸山敏郎:化学工程。 33. 20-25 (1989)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Toshiro Maruyama;Akinobu Nakai: Japanese Journal of Applied Physics. 28. (1989)
Toshiro Maruyama;Akinobu Nakai:日本应用物理学杂志。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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