高速の電子励起脱離法による結晶表面欠陥の生成・消滅過程の動的観察
高速电子激发解吸法动态观察晶体表面缺陷的形成与湮灭过程
基本信息
- 批准号:02205078
- 负责人:
- 金额:$ 1.54万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1990
- 资助国家:日本
- 起止时间:1990 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
物質の表面には固体の内部の性質と異なった新しい電子状態が表面の原子配列に対応して局在しいてる.この電子状態を制御して,それに新しい機能性を持たせることが期待されている.固体の表面に分子線蒸着によって表面構造の制御をするとき,表面に到来した原子,分子が表面原子との間で生じる電子的な相互作用を知るため簡単化したシステムで実験的に研究することを目的としている.1.開発中の電子励起イオン脱離法(TOFーESD)による水素の検知器をさらに改良して,表面の現象を動的に観察できるようにした.従来、半導体表面は比較的不活性で10^<ー9>Torr台の真空中でも長時間清浄面を保つと云われてきたが,本装置による時間変化の観察では表面に吸着する水素や水及び微量の炭化水素からプロトンを検知することで1x10^<ー10>Torrでも20〜30分の間に汚染が進行していることが判明した.このことは機能性材料の発展の鍵になる.また清浄なシリコン表面に水素は簡単に吸着し,吸着量によって,モノハイドライドからダイハイドライドさらにトリハイドライドへと進行しシリコンの表面を腐食していくと考えられていたが,Si(111)面には吸着しにくく,Si(100)面では吸着しやすく,また,微傾斜面では大きな吸着特性の違いがあることが判明した.現象の詳細は現在解析中である.また,水素吸着後は,従来から云われていたように,Si(100)2x1の超格子は欠落し,Si(111)7x7はデルタ7x7に変化していることがRHEED観察で確認された.2.今後の計画として,半導体表面では水素による終端化がその上への酸化膜や金属膜の成長に影響することが知られてきた.ここで開発した水素の検知機能を持つTOFーESDは水素の高感度検知と定量が可能なので予め既定量の水素で終端化しておき,シリコン表面上へのシリコンまたはゲルマニウムの成長様式を研究する.
The surface of a substance is different from the internal properties of a solid. The electronic state is different from the atomic arrangement of the surface. The electronic state is controlled, and new functionality is expected. A study of molecular linear evaporation on the surface of a solid is carried out in order to improve the detection of surface phenomena by electron excitation and desorption (TOF ESD). The semiconductor surface is relatively inactive for 10^<-9>Torr in vacuum, and the surface is kept clean for a long time. In this device, the time-varying observation of the surface adsorption of water and trace amount of carbonized water is detected, and the contamination is detected between 1x10^<-10>Torr and 20 ~ 30 minutes. The key to the development of functional materials. The surface of the crystal is corroded by the adsorption of water on the Si(111) plane, the adsorption on the Si (100) plane, and the adsorption on the slightly inclined plane. Detailed analysis of phenomenon. 2. In the future, it is planned to investigate the influence of water termination on the growth of acid film and metal film on the semiconductor surface. The detection function of water element in TOF ESD is maintained. The high sensitivity detection and quantification of water element in TOF ESD is possible. The quantitative detection and quantification of water element in TOF ESD is possible.
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Nakayama,T.Takenaka,H.Maeda,H.Fujita and K.Ueda: "Surface Wave excitation spectroscopy of InGaAs/GaAs(001) Grown by alternate molecularーbeam epitaxy" J.Electronic Materials. 19. 801-808 (1990)
H.Nakayama、T.Takenaka、H.Maeda、H.Fujita 和 K.Ueda:“通过交替分子束外延生长的 InGaAs/GaAs(001) 的表面波激发光谱”J.Electronic Materials。 1990)
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Ueda and A.Takano: "Intial oxidation study of titanium by dymamic measurement of TーOーF,electron stimulated desorption" Vacuum. 41. 11-12 (1990)
K.Ueda 和 A.Takano:“通过动态测量 T-O-F 进行钛的初始氧化研究,电子刺激解吸”真空。 41. 11-12 (1990)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
A.Takano and K.Ueda: "A study of oxygen adsorption process on titanium single erystal surface by electron stimulated desorption" Surface Science. (1991)
A.Takano 和 K.Ueda:“电子刺激解吸对钛单晶表面氧吸附过程的研究”表面科学。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Ueda,S.Kodama and A.Takano: "A Study of Hydrogen Adsorption on the Silicon Single Crystal Surfaces by Electron Stimulated Desorption (TOFーESD)" Surface Science. (1991)
K.Ueda、S.Kodama 和 A.Takano:“通过电子刺激解吸 (TOF-ESD) 对硅单晶表面氢吸附的研究”表面科学 (1991)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Ueda and A.Takano: "A study of the initial adsorption processes of oxygen on the Ti(10 <10>^^^ー) surface by TーOーF type electron Stimulated desorption" SpringerーSeries in Surface Science. 19. 385-389 (1990)
K.Ueda 和 A.Takano:“通过 TーOーF 型电子刺激解吸研究氧在 Ti(10 <10>^^^ー) 表面上的初始吸附过程”Springerー系列表面科学。 19. 385-389 (1990)
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