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プラズマ局所構造に伴う電位形成とエネルギ-分布の制御

控制与等离子体局部结构相关的电势形成和能量分布

基本信息

批准号：
02214102
负责人：
佐藤徳芳
金额：
$ 8.96万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度では、これまで確立した電子温度制御の手法をメタンーアルゴン直流放電プラズマに適用し、電子温度を大幅に変化させたときの特性の解明が東北大グル-プで行われた。電子温度はホロ-陰極内のピンの長さで制御される。電子温度が0.3eVと極めて低くなると、メタンの分解で生成された水素の負イオンの発生が増大し、電子密度は電子の付着によって低減するすることが分かった。炭化水素薄膜の生成に重要なメチルラジカルの測定も行われ、分解されたメタン密度のおよそ1%程度の生成が観測され、ピンの長さに依存して増加していくことが分かった。異なった電子温度をもつプラズマ中で生成された薄膜のラマン分光分析の結果、グラファイトからアモルファスカ-ボンまでの広い膜質をもつ成膜が明らかにされた。ホイスラ-波を使った高密度高周波放電プラズマ中の電子温度と炭化水素ラジカル密度の制御が名古屋大グル-プで行われた。高周波の周波数や位相速度を増加させると高エネルギ-電子成分が増大することが分かった。炭化水素ラジカル密度やアモルファスカ-ボン薄膜の堆積率は電子密度や温度とともに増加し、低気圧放電領域で毎時90ミクロンの高速成膜が達成された。マイクロ波の伝搬や減衰に関する測定が大阪大グル-プで行われた。電子サイクロトロン共鳴を使った水素プラズマ中では、共鳴領域での急激な電子温度の増加がその場所でのマイクロ波の強い吸収による減衰と一致することが分かった。反応ガスやイオンの温度測定が高分解能をもつファブリペロ-型干渉系で行われ、leV以下の低い温度をもつ中性粒子やイオンが観測された。アモルファスシリコンの光学ギャップや赤外吸収スペクトラムの測定により、共鳴領域でのプラズマの空間構造に関係した膜質の変化が起こることが明らかにされた。

This year, we have established a method of electronic temperature control, which is applicable to DC power supply, and an explanation of the characteristics of electronic temperature control. The electron temperature is controlled by the temperature of the cathode. The electron temperature decreases from 0.3 eV to 0.5 eV, the electron density decreases from 0.5 eV to 0.5 eV, and the electron density decreases from 0.5 eV to 0.5 eV. The formation of carbonized water film is important for the determination of the density of the film, and the decomposition of the film depends on the length of the film. The results of spectroscopic analysis of thin films produced in different electron temperatures show that the film quality of thin films formed in different electron temperatures is not stable. High density high frequency high frequency The frequency and phase velocity of high frequency waves increase, and the electronic component increases. The deposition rate of carbon dioxide thin films is achieved by increasing the electron density and temperature, and by increasing the film deposition rate at 90 ℃ in the low pressure region. The measurement of wave attenuation is carried out in Osaka. The electron resonance causes the electron temperature to rise rapidly in the resonance field, and the absorption of the electron wave decreases in the resonance field. The temperature of the reaction mixture is measured at a high decomposition energy and a low temperature below leV. The optical structure of the resonance field and the spatial structure of the resonance field are related to the change of the film quality.