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電子状態制御による特定ラジカルの生成と固体表面反応機構に関する量子化学的研究

电子态控制特定自由基产生及固体表面反应机理的量子化学研究

基本信息

批准号：
02214204
负责人：
津田穣
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、シランプラズマ中に発生する種々のラジカル種の生成素過程を量子化学的計算によって明らかにすることによって、ラジカル活性種の起源となる分子の電子状態を決定し、特定ラジカルの選択的生成のための基礎的デ-タを得ると共に、生成した活性ラジカル種とシリコン表面との相互作用ならびにその結果生ずる表面反応のメカニズムを量子化学的方法によって明らかにしようとするものである。今年度は、最終年度であるので、これまでの成果をもとに、『プラズマにより生成した活性ラジカル種とシリコン表面との相互作用ならびにその結果生ずる表面反応のメカニズム』の解明を目的として、シリコン表面を表すモデル化合物として、Si原子が4つ連なった分子を考え、関連する反応素過程についてのポテンシャルエネルギ-変化をab initio SCF MO法により求める研究を行った。その結果、(1)アルモファスシリコン膜表面の活性化は、表層のシリレン鎖上の同一Si原子からの水素分子脱離により起こること、(2)水素脱離後生成するシリレンは、隣接したSi原子の水素があると、その水素が転移しジシレン構造を作ること、(3)このジシレン構造にはシリルラジカルは反応するが、シランは反応しないことがらかった。これらの結果を実験条件にあてはめて考えると、反応場である基板表面温度の高低によって表面層成長に関与できる反応種が限定されること、即ち、プラズマ成長反応と熱成長反応との相違が、表面活性化反応の相違として明確に示せることがわかった。以上のように、シラン系プラズマ中での膜成長過程の特質について重要な知見を得ることができ、本研究計画の目的は十分に達成されたと考えられる。

In this study, the calculation of quantum chemistry for the production of many kinds of biopoietin in the process of quantum chemistry, the calculation of quantum chemistry. The results show that the method of quantum chemistry is based on the method of quantum chemistry. the results show that the method of quantum chemistry is effective. The results of this year's and the most recent years of the year, the results of this year, the most recent years, the results of this year, the most recent years of the year, the results of this year, the most recent years of the year, the results of this year, the most recent years of the year, the results of this year, the most recent years of the year, the results of this year, the most recent years of the year, the results of this year, the most recent years, the results of this year, the During the process, the ab initio SCF MO method is required to improve the performance of the study. The results were as follows: (1) the surface of the membrane was activated, the same Si atom was isolated from the water molecule on the surface of the membrane, and the water molecule was isolated. (2) after the water was separated, it was formed after the separation of the water. The results showed that: (1) the surface of the membrane was activated, the water was separated from the water molecule, the water molecule was separated from the water molecule, (2) the water was separated, the water was made, and the water was transferred. (3) No, no, no. The results show that the surface temperature of the substrate depends on the temperature of the substrate, the growth of the surface and the growth of the substrate, that is, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate and the temperature of the substrate. The above information is very important in the process of film growth, and the purpose of this study is very important.