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減圧MOCVDによるAlGaAs混晶成長の機構に関する研究

低压MOCVD生长AlGaAs混晶机理研究

基本信息

批准号：
61114001
负责人：
津田穣
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1986
资助国家：
日本
起止时间：
1986 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

MOCVDによるA1GaAs混晶成長に関して、原料ガスの熱分解による活性反応種の生成過程、活性反応種の結晶表面との反応過程、ならびに結晶のエピタキシャル成長過程についての基礎的理解を得ることは、実用性の大きいこの種の混晶の成長技術を確立する上で極めて重要な課題である。今年度は、このうち原料ガスの熱分解による活性反応種の生成過程を明らかにするため、アルキルガリウムおよびアルキルアルミニウムのうちから、A1GaAs混晶成長に用いられている、トリメチルガリウム(TMG)及びアルミニウム(TMA)、トリエチルガリウム(TEG)及びアルミニウム(TEA)を選んで、その熱分解反応素過程を量子化学的方法により調べた。量子化学的理論計算によって得られた各種熱分解反応の活性化エネルギーΔ【E^0】から、エチル化合物はメチル化合物より15kcal/molも低い活性化エネルギーで分解反応を起こすことがわかった。その理由はエチル化合物ではエチル基の末端の水素原子がGa原子に転移しエチレン分子が解離する分子分解反応が起り易いためであった。メチル化合物では分子分解は起こらず、ラジカル分解反応のみが起こる。次に、熱分解の理論的反応速度を調べるため、反応物質と遷移状態の分子分配関数を計算し、これと活性化エネルギーΔ【E^0】とから活性化標準状態ギブス自由エネルギーΔ【G^(0+)】を求めた。得られたTMGのラジカル分解の反応速度式は実験で求められている式にほぼ一致した。理論計算の結果を用いて、MOCVD反応器で測定されたTMG及びTEGの分解温度とさらに精密な方法で測定されたTMG及びTEGの結合解離温度の予測を行った。TEGはTMGよりも100度〜160度も低温で分解するが理論値はその実測値をほぼ定量的に再現した。この結果、TMG及びTEGの熱分解はそれぞれ全く異なる機構、即ち前者はラジカル機構、後者は分子機構で起こることが確証された。

MOCVD thermogravimetric A1GaAs mixed crystal growth process, raw material thermal decomposition process, active anti-chemical generation process, active anti-crystal surface anti-crystallization process, temperature change crystal growth process. The understanding of the basic understanding of the growth process of mixed crystal growth technology plays an important role in important issues. This year, the decomposition of raw materials for this year, the decomposition of carbon dioxide, the formation of anti-carbon compounds, the formation process of carbon dioxide, carbon dioxide, The purpose of this paper is to analyze the methods of quantum chemistry for the decomposition of antiserotins by using the methods of quantum chemistry (TEG) and the methods of quantum chemistry (TEA). The theory of quantum chemistry calculates that the decomposition of each component is inactivation, activation, activation, 15kcal/mol, low activation, decomposition, anti-decomposition. The reason for this is that at the end of the compound, the water atom, the Ga atom, the atom, the molecule, the dissociation, the molecular decomposition, the antimolecular decomposition, the water atom, the molecule, the molecule. The molecular decomposition of the compound is caused by molecular decomposition and the reverse decomposition of the compound. In the second, the reverse of decomposition theory, the calculation of molecular distribution, the calculation of molecular Get the TMG formula, the inverse speed formula, the speed formula, the speed The theoretical calculation results show that the temperature TMG and the decomposition temperature of the TEG are determined by the precision method of measuring the temperature of the temperature, the decomposition temperature of the TEG and the temperature of the separation of the TMG and the TEG. TEG TMG temperature 100C ~ 160C, decomposition temperature, temperature and temperature. The results, TMG and TEG analysis show that the whole organization, that is, the former organization, and the latter, the molecular organization, start to make sure that they are in operation.