权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

積層界面の評価と界面反応過程の解明

层压界面的评估和界面反应过程的阐明

基本信息

批准号：
02232101
负责人：
菊田惺志
金额：
$ 31.04万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は計画研究の第3班として組織されている。班全体の方向として3年間の研究期間の前半は主として界面評価法のハ-ドウェア-とソフトウェア-両面の開発を行ない。後半にそれを駆使して埋れた界面の評価を行なうこととしており、計画に従い順調に進捗している。(1)放射光軟X線を利用してX線定在波法の実験を行なうための界面構造評価装置を完成させた。超高真空中で半導体結晶表面に金属を基着させつつ、回折条件下で蛍光X線あるいはオ-ジェ電子の収量変化から解析される。はじめにAl(III)/Si(III)界面について調べている。(2)界面形成の初期過程をX線表面回折法で解析した。Ag/Si(III)√<3>×√<3>超構造のAg原子の配置を3次元的に決定し、GaとSbについても解析を進めている。(3)界面に誘起される歪み場を超高分解能で評価するための平面波X線トポグラフィ装置を整備する一方、トポグラフ像のシミュレ-ションプログラムを作成した。(4)Bi/SiのSTM観察を行ない、Biの吸着サイトを決定した。またS/GaAs表面のSTM/STS観察では2×1パタ-ンがみられるGaーS結合と思われる表面状能でバンドギャップ内に準位が存在しないという結果を得た。(5)高分解能電子顕微鏡による界面の断面観察用試料の作成技術の開発を行なうとともに、Si結晶中のデルタド-ピングについて調べている。(6)Si(III)表面上のAgのエピタキシャル成長過程を同軸型直衝突イオン散乱分光法により調べた。成長モ-ドは温度,物質供給速度と時間に依存して物質の供給に律速された成長,拡散に律速された再結晶と運動学的に律速された核発生の間を移行することがわかった。(7)高速イオン散乱法のシミュレ-ションを行ない,界面近傍の原子変位の定量解析を可能にした。(8)低抗率が低く,熱的安定性のよい導電性酸化物SrVO_3をSi基板上にエピ成長させ,後方散乱チャネリング法で結晶性を評価した。

The third shift of the study was organized in this project. During the first half of the 3-year study period, the study focused on the development of the interface evaluation method. The second half of the plan is to make sure that the interface is properly evaluated. (1)The use of soft X-ray radiation in the determination of wave law and the implementation of the interface structure evaluation device were completed. In ultra-high vacuum, the surface of semiconductor crystal is characterized by metal base deposition and electron deposition under the condition of reflection. Al(III)/Si(III) interface (2)The initial process of interface formation was analyzed by X-ray surface reflection method. Ag/Si(III)√ <3>×√ <3>Superstructure of Ag atom configuration is determined by three-dimensional, Ga Sb is determined by three-dimensional analysis. (3)Interface induced distortion field super-high resolution energy evaluation of the plane wave X-ray device to prepare a side, a side image of the system to create (4)Bi/Si STM inspection, Bi adsorption STM/STS observation of S/GaAs surface is 2×1, and the surface energy is 2 × 1. (5)Development of sample preparation technology for interface observation of high-resolution electron micromirrors and silicon crystals (6) The growth process of Ag on Si(III) surface is in-line type direct collision and scattered spectroscopy. Growth-temperature, material supply rate and time dependence, material supply rate, growth, dispersion rate, recrystallization rate, kinematic rate, nuclear generation rate and migration rate. (7)The high speed scattering method can be used for quantitative analysis of atomic positions near the interface. (8)Low resistivity, thermal stability and conductivity of SrVO_3 on Si substrate growth, rear scattering method of crystallization evaluation