積層界面の評価と界面反応過程の解明

本研究は計画研究の第3班として組織されている。班全体の方向として3年間の研究期間の前半は主として界面評価法のハ-ドウェア-とソフトウェア-両面の開発を行ない。後半にそれを駆使して埋れた界面の評価を行なうこととしており、計画に従い順調に進捗している。(1)放射光軟X線を利用してX線定在波法の実験を行なうための界面構造評価装置を完成させた。超高真空中で半導体結晶表面に金属を基着させつつ、回折条件下で蛍光X線あるいはオ-ジェ電子の収量変化から解析される。はじめにAl(III)/Si(III)界面について調べている。(2)界面形成の初期過程をX線表面回折法で解析した。Ag/Si(III)√<3>×√<3>超構造のAg原子の配置を3次元的に決定し、GaとSbについても解析を進めている。(3)界面に誘起される歪み場を超高分解能で評価するための平面波X線トポグラフィ装置を整備する一方、トポグラフ像のシミュレ-ションプログラムを作成した。(4)Bi/SiのSTM観察を行ない、Biの吸着サイトを決定した。またS/GaAs表面のSTM/STS観察では2×1パタ-ンがみられるGaーS結合と思われる表面状能でバンドギャップ内に準位が存在しないという結果を得た。(5)高分解能電子顕微鏡による界面の断面観察用試料の作成技術の開発を行なうとともに、Si結晶中のデルタド-ピングについて調べている。(6)Si(III)表面上のAgのエピタキシャル成長過程を同軸型直衝突イオン散乱分光法により調べた。成長モ-ドは温度,物質供給速度と時間に依存して物質の供給に律速された成長,拡散に律速された再結晶と運動学的に律速された核発生の間を移行することがわかった。(7)高速イオン散乱法のシミュレ-ションを行ない,界面近傍の原子変位の定量解析を可能にした。(8)低抗率が低く,熱的安定性のよい導電性酸化物SrVO_3をSi基板上にエピ成長させ,後方散乱チャネリング法で結晶性を評価した。

本研究は計画研究の第3班として組織されている。班全体の方向として3年間の研究期間の前半は主として界面評価法のハ-ドウェア-とソフトウェア-両面の開発を行ない。後半にそれを駆使して埋れた界面の評価を行なうこととしており、計画に従い順調に進捗している。(1)放射光軟X線を利用してX線定在波法の実験を行なうための界面構造評価装置を完成させた。超高真空中で半導体結晶表面に金属を基着させつつ、回折条件下で蛍光X線あるいはオ-ジェ電子の収量変化から解析される。はじめにAl(III)/Si(III)界面について調べている。(2)界面形成の初期過程をX線表面回折法で解析した。Ag/Si(III)√<3>×√<3>超構造のAg原子の配置を3次元的に決定し、GaとSbについても解析を進めている。(3)界面に誘起される歪み場を超高分解能で評価するための平面波X線トポグラフィ装置を整備する一方、トポグラフ像のシミュレ-ションプログラムを作成した。(4)Bi/SiのSTM観察を行ない、Biの吸着サイトを決定した。またS/GaAs表面のSTM/STS観察では2×1パタ-ンがみられるGaーS結合と思われる表面状能でバンドギャップ内に準位が存在しないという結果を得た。(5)高分解能電子顕微鏡による界面の断面観察用試料の作成技術の開発を行なうとともに、Si結晶中のデルタド-ピングについて調べている。(6)Si(III)表面上のAgのエピタキシャル成長過程を同軸型直衝突イオン散乱分光法により調べた。成長モ-ドは温度,物質供給速度と時間に依存して物質の供給に律速された成長,拡散に律速された再結晶と運動学的に律速された核発生の間を移行することがわかった。(7)高速イオン散乱法のシミュレ-ションを行ない,界面近傍の原子変位の定量解析を可能にした。(8)低抗率が低く,熱的安定性のよい導電性酸化物SrVO_3をSi基板上にエピ成長させ,後方散乱チャネリング法で結晶性を評価した。