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バイオミメティック成長法によるナノ・マイクロデバイス異種結合界面構造解析

仿生生长法分析纳米/微米器件异质键合界面结构

基本信息

批准号：
01J01257
负责人：
白幡直人
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2003
项目状态：
已结题

项目摘要

1.酸化物セラミック超薄膜の新規パターン化析出法の開発パターン化酸化物セラミックス超薄膜の開発は,MRAMやMOS-FET,絶縁膜への応用の立場から,開発が急務であります.我々は,分子の自己集積能を利用して,これを成し遂げました.具体的には,アルキル基を有する塩化スズ(BTT)と四塩化スズ(TC)を用いることによって,溶液中におけます分子の立体相互作用に起因する加水分解速度の違いを利用した方法であります.数ナノ〜100nmの膜厚範囲で,制御良くパターン化析出させるために適当であることが明らかとなりました.2.自己組織化を利用した酸化スズマクロセンサーアレイの開発近年のマイクロセンサー開発への要求に応え,我々は,分子の自己組織化を利用した酸化スズ薄膜のパターン化成長を維持しながら水素ガス応答性を有する酸化スズ薄膜の析出に成功しました.3.糖末端1-アルケンを用いたSi基板上への位置選択固着化とチップへの適応性原子スケールで平滑な糖のパターン化固着に成功しました.基板と共有結合により固着化しているため,市販アレイに比べ,再利用が可能であります.加えて,パターン化が可能であるため,複数の物質をオン・チップ化することが可能であるため,新たな糖アレイへの応用だけでなく,糖の特異吸着を利用した有機/無機ハイブリッド材料への展開が期待できます.4.水素終端Si表面への酸化物薄膜の形成方法SiO_2/Siへの酸化物パターン化析出は,我々を含め数多くのプロセスが報告されていますが,エピ成長へ不可欠なH : Si上への報告例はほとんどありません.我々は,溶液という穏和な環境から,水素終端表面へダイレクトに酸化物薄膜成長プロセスを構築しました.これは,プレカーサの加水分解を利用した方法であり,断面TEMやRAS測定により,ペアなSi上へ薄膜が直接形成していることを確かめました.以上の研究業績は,項目11に示す雑誌論文中で公表されている以外に,現在投稿中(準備中を含む)論文5編に記載されております.

1. A New Method for the Development of Ultrathin Films of Acidic Compounds by Chemical Precipitation Method; The Development of Ultrathin Films of Acidic Compounds by Chemical Precipitation Method; The Development of Ultrathin Films of Acidic Compounds by MRAM, MOS-FET, Insulating Films; The Application of MRAM, MOS-FET, Insulating Films; The Development of Ultrathin Films by Chemical Precipitation Method; I am not, molecules and their own accumulation of energy to use, and the success of this project. Specific methods for the use of BTT and TC in solution are discussed. 2. Self-organization and utilization of the film thickness range of several ~ 100nm, and the development of the film thickness range of several ~ 100 nm. The molecular self-organization is utilized to maintain the growth of the acidified thin film, and the precipitation of the acidified thin film is successful. 3. The position of the sugar terminal on the Si substrate is selected and fixed successfully. The substrate has a combination of fixation and reuse. 4. Method of forming acid film on Si surface by precipitation of SiO_2/Si oxide I have a number of reports on how to grow and how to report. The solution and the environment are different, and the acid film growth on the surface of the water terminal is constructed. The method of hydrolysis is used to determine the formation of Si thin films directly. The above research achievements are not only listed in the first part of the paper, but also recorded in the fifth part of the paper.