フッ素-炭素クラスター錯体の生成とπ電子系の物性制御、機能発現
氟碳簇合物的生成、π电子体系物理性质的控制及功能表达
基本信息
- 批准号:06224211
- 负责人:
- 金额:$ 0.7万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1994
- 资助国家:日本
- 起止时间:1994 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
1.C_<60>F_Xの電子構造の決定:C_<60>F_Xの電子分光(XPS,UPS,XANES)によって,C_<60>F_X結晶の電子構造が明らかにされた。C_<60>F_<40>を例にとると、C_<60>へのフッ素付加によって価電子帯の上端部およびフェルミ準位はそれぞれ2.2eV,1.5eV,π^*LUMO-bandの底は1.5eV深くなる。C_<60>F_Xの電気化学的性質:C_<60>F_Xを正極とするリチウム電池の起電力は約4Vであり、C_<60>のそれよりも1Vも高くなる。Li/C_<60>F_Xセルのボルタンメトリーから得られた可逆的な一電子,二電子,三電子還元電位はいずれもC_<60>のそれよりも貴な方へシフトする。これらの電気化学的性質は、1.で述べたフッ素付加によるC_<60>のエネルギーバンドの変化を、直接的に反映していることが、明らかにされた。C_<60>F_Xの単結晶作製とX線構造解析:結晶育成温度200〜220℃でC_<60>F_X(x=44,46)の単結晶作製に成功した。プリセションカメラと4軸X線回折実験から、C_<60>F_Xは空間群Fm3mで格子定数17.16Åの面心立方構造をとることが明らかにされた。C_<60>とフッ化物ルイス酸との電荷移動錯体:C_<60>とAsF_5/F_2またはSbF_3,SbF_5/F_2反応系を用いた0〜200℃の反応で深青色錯体結晶(C_<60>)_X AsF_6および深緑色結晶C_<60>(SbF_6)_Xを得た。いずれの結晶もfccで格子定数は14.2Å程度である。格子定数と結晶系に大きな変化がみられないことからAsF^-_6やSbF^-_6がC_<60>fcc格子間隙中にド-ピングされていると考えられる。XPSスペクトルから、これらの結晶はC_<60>が電子供与体である電荷移動錯体であることが明らかにされ、薄膜で物性を測定中である。
1. <60>The electronic structure of C_F_X is determined by <60>XPS,UPS,XANES<60>. For example, C_<60>F, C<40>_<60>F, C_F The <60>electrochemical properties of C_ F_X are as follows: the starting power of C_<60>F_X electrode is about 4V, and that of C_F_X electrode is about <60>1V. Li/C_<60>F_X is a reversible one-electron, two-electron, three-electron reduction potential<60>. The electrical and chemical properties of these substances are: 1. The chemical properties of these substances are directly reflected in the chemical properties of these <60>substances C_<60>F_X(x=44,46) single crystal preparation and X-ray structural analysis: crystal growth temperature 200 ~ 220℃ <60>single crystal preparation was successful 4-axis X-ray retroflexion, C_<60>F_X space group Fm3 m, lattice constant 17.16 m, Fcc structure. C_<60><60>(AsF_5)/F_2 and SbF_3/SbF_5/F_2 are the charge transfer complexes <60>of C_ (AsF_6) and C_<60>(SbF_6)_X. The number of crystals in the lattice is 14.2. The lattice number and crystal system are changed from AsF^-_6 to SbF^-_6 to C_<60>fcc lattice gap. XPS <60>electron donor, charge transfer, thin film, physical properties measurement
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Touhara et al.: "Fluorinations of Fullerenes C60 and C70,the Nature of C-F Bonds and Electrochemical Characteritics of C60Fx and C70Fx-Li Cells" Trans.Mat.Res.Soc.Jpn.14B. 1173-1176 (1994)
H.Touhara 等人:“富勒烯 C60 和 C70 的氟化、C-F 键的性质以及 C60Fx 和 C70Fx-Li 电池的电化学特性”Trans.Mat.Res.Soc.Jpn.14B。
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F.Okino et al.: "Crystal Structure of Fluorinated Fullerenes" Trans.Mat.Res.Soc.Jpn.14B. 1205-1207 (1994)
F.Okino 等人:“氟化富勒烯的晶体结构”Trans.Mat.Res.Soc.Jpn.14B。
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- 影响因子:0
- 作者:
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