希土類金属錯体の電界発光に関する基礎研究

稀土金属配合物电致发光基础研究

• 批准号: 06241206
• 负责人: 城戸 淳二
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Yamagata University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06241206/
• 关键词: 電界発光; 希土類錯体; ユウロピウム; テルビウム

希土類金属錯体の電界発光特性を、錯体を発光中心とする積層型有機電界発光素子を作製することにより検討した。使用した錯体はトリス(ジベンゾイルメタナト)(モノフェナントロリン)Eu(III)と、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)Tb(III)である。これらの錯体の真空蒸着膜は、配位子の構造変化については未確認であるが、中心金属から特有の輝線スペクトルが見られた。素子構造は陽極には透明電極のインジウムースズ酸化物(ITO)、陰極にはマグネシウム:銀共蒸着膜を使用し、ホール輸送層として芳香族アミン(TPD)、電子輸送層としてアルミ錯体(Alq)を使用して、ITO/TPD/希土類錯体層/Alq/Mg:Agの有機三層型構造とした。有機層のトータル膜厚を1000Å、TPD層を400Åを一定にした素子において、Eu錯体層の膜厚を300Åとした素子からは三価Euイオン特有の赤色の発光が見られ、ホールと電子が有機層中へ電極から注入されEu錯体層中で再結合、錯体を励起していることが確認できた。錯体層を200Å以下とした素子では、Alqからの発光も見られたことから、この素子におけるキャリア再結合領域はTPD/Eu錯体界面から約200Å以上300Å以下と広い範囲に存在することが示唆されたので、この錯体が電子輸送性とホール輸送性を有することが考えられる。また、同様の素子構造でTb錯体を使用した場合には550nm付近のTb特有の輝線状の発光に加え400〜420nm付近のTPDの発光が見られた。これはTb錯体の配位子であるフェナントロリンが励起した場合に中心金属であるTbイオンへ励起エネルギーが移動せず、隣接して存在するTPDへ移動しTPDを励起するためと考えられる。さらに錯体層を電子輸送性の低分子色素と共蒸着した場合の電界発光特性についても検討し、共蒸着材料とのイオン化ポテンシャルや電子親和力が発光特性に大きく影響することがわかった。

The light emitting properties of rare earth metal complexes and the light emitting centers of the complexes are discussed. Use the wrong body to remove ()()Eu(III), remove ()Tb(III). The vacuum evaporation film of the complex and the structural transformation of the ligand have not been confirmed yet. The electron structure includes an anode, a transparent electrode, an ITO layer, a cathode, a Ag co-evaporated film, an ITO/TPD layer, an electron transport layer, an Alq layer, and an ITO/TPD/Alq/Mg:Ag organic trilayer structure. The organic layer has a film thickness of 1000 nm, the TPD layer has a film thickness of 400 nm, and the Eu fault layer has a film thickness of 300 nm. The red light emission characteristic of the Eu fault layer is visible, and the electrons are injected into the organic layer. The Eu fault layer is re-combined and excited. The electron transport property of the TPD/Eu fault interface ranges from about 200 ° C to 300 ° C. In the case of Tb dislocation, the same element structure is used, and the light emission characteristic of Tb near 550nm is added to that of TPD near 400 ~ 420nm. This is why when the ligand of the Tb complex is activated, the TPD activation element in the central metal moves for six seconds, and the adjacent TPD activation element exists. The electron transport properties of the electron transport layer and the electron affinity of the co-evaporated material have a great influence on the light emission properties of the electron transport layer and the co-evaporated material