水素結合型遷移金属錯体に基づく分子性導体の開発

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水素結合を伴った電荷移動錯体は電子とプロトンの相互作用により種々の興味ある物性が期待される.このような考えに金属元素のレドックス特性を導入した新しいプロトン-電子連動系の開発を行っている.金属錯体を用いることによりM-MあるいはM-Lの大きな分子間相互作用が得られると考えられる.本年度は先ず,ドナー分子としてエチレンジアミノグリオキシム(H_2deag)を配位子とする遷移金属錯体(1:M=Ni,Pd,Pt)を合成した.次いで,これらの塩酸塩からTCNQとの電荷移動錯体を合成した.得られたTCNQ錯体ハ元素分析の結果から,いずれも遷移金属錯体とTCNQが1:1の組成であることがわかった.パラジウム錯体については,拡散法により板状の単結晶を得ることができた.錯体(M=Pd)の単結晶のX線結晶構造解析から,遷移金属錯体とTCNQは分離積層型でstackingしており,これら二種のカラム間に水素結合が存在していることがわかった.また,隣接する遷移金属錯体がカラム間にもオキシム酸素を介した水素結合の存在が認められた.電気伝導度測定から,金属的挙動は示さなかったが,比較的高い伝導度を有することが分かった.赤外スペクトルの温度依存性の実験から,低温でTCNQ分子が二量化したとして解釈できる結果を得た.今後,この金属元素を含む高い伝導度を持つ電荷移動錯体の高圧化での物性測定を予定している.