金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態
金属富勒烯在金属/半导体表面的吸附结构和电子态
基本信息
- 批准号:07213202
- 负责人:
- 金额:$ 1.02万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1995
- 资助国家:日本
- 起止时间:1995 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
当初予定していたアルカリ金属をドープしたSc_2@C_<84>etcの研究及びGaAs(001)面上のC_<60>等の研究は昨年度末に完了し、論文として発表済みであるためそれらを参照して頂くとする。ここでは本年度を中心として行った我々のグループによる、高性能FI-STM装置を利用した化合物半導体SiC(0001)に適用して行った研究結果を以下に報告する。SiC表面はin situ Siビームエッチング法即ちSi(gas)=>Si(ad)Si(ad)+SiO_2=>2SiO(gas)で清浄化した。清浄化して得られる表面は表面上のSi濃度が少ないときは<@D83@>D8x<@D83@>D8構造になり、逆に多い場合は3x3構造になることが判明した。前者の場合室温でC_<60>を吸着させると1モノレイヤー以下では小クラスタを形成し、被覆量を増大すれば3次元的クラスターを形成する。表面温度を上昇させると450℃でC_<60>は表面から離脱するが、第1層は残存する。また温度を上昇させたときにC_<60>が秩序配列を示すことはなかった。他方3x3構造表面の場合は1モノレイヤC_<60>を吸着させたとき秩序構造が実現した。そして1モノレイヤ以上になるとより秩序化は進みfcc(111)面の配列と類似のものとなった。このC_<60>層を850℃で熱処理するとSiCの核形成が生じ、さらに高温(900-1000℃)ではSiC表面の秩序化を促進した。従ってSiCのホモエピタキシャル成長の前駆体分子としての役割をC_<60>が果たす作用のあることが判明した。以上の結果は"Adsorption of C_<60> on 6H-SiC(0001) surface by scanning tunneling microscopy"として論文作成を準備中です。
At the end of last year, the research on Sc_2@C_<84>etc. and GaAs(001) surface <60>was completed. This year's research results for the application of compound semiconductor SiC(0001) to high-performance FI-STM devices are reported below. Si(gas)=>Si(ad)Si(ad)+SiO_2=>2SiO(gas) The Si concentration on the surface is less than that in the case of the structure <@D83@>D8x<@D83 @>D8, and the Si concentration on the surface is less than that in the case of the structure <@D83@> 3x3. In the former case, the temperature of C_<60>(2) is 1 ℃, the temperature of C_(3) is 1 ℃, the temperature of C_(2) is 1 ℃, the temperature of C_(3) is 1 ℃, the temperature of C_(2) is 1 ℃, the temperature of C_(3) is 1 ℃, and the temperature of C_(3) is 1 ℃. The surface temperature rises to 450℃, <60>and the first layer remains. The temperature rises and falls<60>. Other 3x3 structural surface cases are 1<60>. The order of the above is the same as that of the fcc(111) plane. Heat <60>treatment at 850℃ promotes the nucleation of SiC, and high temperature (900-1000℃) promotes the order of SiC surface. The role of precursor molecules in the growth of SiC is clearly identified<60>. These results are "Adsorption of C_<60>on6H-SiC (0001) surface by scanning tunneling microscopy".
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Q.K.Xue: "Adsorption and film growth of C60 on the GaAs(001)2x6 surface by molecular-beam epitaxy" Phys.Rev.B53. 1985-1989 (1996)
Q.K.Xue:“通过分子束外延在 GaAs(001)2x6 表面上吸附和生长 C60 薄膜”Phys.Rev.B53。
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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- 通讯作者:
H.Shinohara: "An oriented cluster formation of endohederal Y@C82 metallofullerenes on clean surfaces" J.Phys.Chem.99(38). 13769-13771 (1995)
H.Shinohara:“内嵌 Y@C82 金属富勒烯在清洁表面上的定向簇形成”J.Phys.Chem.99(38)。
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
X. D. Wang: "Reconstructed Sc_2C_<84> Monolayer on The Ag (111) 1x1 Surface" Phys. Rev. B. 52. 2098-2101 (1995)
X.D. Wang:“Ag (111) 1x1 表面上重建的 Sc_2C_<84> 单层” Phys。
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- 影响因子:0
- 作者:
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渡辺 洋右其他文献
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