走査型トンネル顕微鏡によるバリスティックホットエレクトロンデバイスの基礎研究

利用扫描隧道显微镜进行弹道热电子器件的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    18560328
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.55万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

THzオーバーの遮断周波数が期待される将来の超ヘテロ接合によるホットエレクトロントランジスタの基本特性を、走査型トンネル顕微鏡(STM)の応用技術である弾道電子放出顕微鏡(BEEM)を用い、走査探針(エミッタ)、半導体表面の極薄膜金属(ベース)、半導体(コレクタ)からなる擬似三端子極微細ホットエレクトロン素子を構成し、、極微小エミッタから電子が放出されることによる量子回折効果のデバイス電流転送効率への影響、ベース・コレクタ走行層中のバリスティック伝導特性を詳細に調べ、ホットエレクトロントランジスタによるTHzを超える動作の可能性確認を目的としている。このためには基礎技術であるBEEMの注入効率の改善、ノイズの削減、そして測定値の安定化を行う必要があった。BEEM注入効率の改善については、ベース金属の薄膜化を行い、幕圧3nmまでの平坦な薄膜蒸着を実現することで従来の約6倍の注入効率を得た。測定ノイズの削減に関して、素子の高抵抗化、測定手法の改善、装置への供給電圧の安定化を行うことでバックグラウンドノイズを20fA以下まで削減した。また、蒸着された金表面の凹凸の影響で測定値がばらつく問題に対しては、測定された膜厚から数値補正を行う事で測定値を均一化する手法を提案した。理論研究では、トランスミッション形式を用い、最もトランスコンダクタンスの大きなホットエレクトロンエミッタ構造が熱電子放出型であることを明らかにし、さらにエミッタに高ドーピング濃度のキャップ層を設けることで、バンド構造の非放物線性によりエミッタ充電時間を高速化できることを明らかにした。
THz オ ー バ ー の interrupt cycle for が expect さ れ る future の super ヘ テ ロ joint に よ る ホ ッ ト エ レ ク ト ロ ン ト ラ ン ジ ス タ の basic characteristics を, walkthroughs ト ン ネ ル 顕 micro mirror (STM) の 応 technology で あ る 弾 way electronic release 顕 micro mirror (BEEM) を い, walkthroughs probe (エ ミ ッ タ) の very thin film of metal, semiconductor surface (ベ ー ス), semiconductor (コ レ ク タ) か ら な る quasi three terminal extremely subtle ホ ッ ト エ レ ク ト ロ ン を constitute し,, tiny エ ミ ッ タ か ら electronic が release さ れ る こ と に よ る quantum inflexion unseen fruit の デ バ イ ス current planning to send working rate へ の influence, ベ ー ス · コ レ ク タ direction layer の バ リ ス テ ィ ッ ク 伝 guide features detailed に を べ, ホ ッ ト エ レ ク ト ロ ン ト ラ ン ジ ス タ に よ る THz を super え る action の possibility to confirm を purpose と し て い る. Based technology で こ の た め に は あ る BEEM の injection の improve working rate, ノ イ ズ の cuts, そ し て on determination of numerical の stabilization line を う necessary が あ っ た. BEEM injection rate of unseen の improve に つ い て は, ベ ー ス の film line を い, metal curtain 圧 3 nm ま で の flat な film steamed を be presently す る こ と で 従 の is about 6 times の injection rate of unseen を た. Determination of ノ イ ズ の cut に masato し て, plain child の high resistance measurement technique, の improvement, device へ の supply electricity 圧 の stabilization line を う こ と で バ ッ ク グ ラ ウ ン ド ノ イ ズ を below 20 fa ま で cut し た. ま た, steamed さ れ の た gold surface concave and convex の influence on determination of で numerical が ば ら つ く problem に し seaborne て は, determining さ れ た film thickness か ら the numerical correction を doeth う で on determination of numerical homogenization す を る technique proposed を し た. Theoretical research で は, ト ラ ン ス ミ ッ シ ョ ン form を い, most も ト ラ ン ス コ ン ダ ク タ ン ス の big き な ホ ッ ト エ レ ク ト ロ ン エ ミ ッ が タ structure type thermionic release で あ る こ と を Ming ら か に し, さ ら に エ ミ ッ タ に high ド ー ピ ン グ concentration の キ ャ ッ プ を designed け る こ と で, バ ン ド tectonic の non linear に put things よ り エ ミ ッ Youdaoplaceholder0 charging time を high-speed で る る とを とを bright ら る に た た た.

项目成果

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专利数量(0)
Transfer efficiency in ballistic electron emission microscopy taking diffraction of emitted hot electrons into account
考虑发射热电子衍射的弹道电子发射显微镜的传输效率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Katakura;K. Wada;A. Yamamoto;Z. Ogumi;片倉勝己;Keiju Matsui;久保田拓也,京兼純,平田憲司,沢田英夫;Keiju Matsui;久保田拓也,京兼純,平田憲司,沢田英夫;松井景樹;平田憲司,京兼純,久保田拓也,沢田英夫,池田壽文;平田憲司,京兼純,沢田英夫,池田壽文;N.Machida et al.
  • 通讯作者:
    N.Machida et al.
Minimum emitter charging time for heterojunction bipolar transistors
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

町田 信也其他文献

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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  • 批准号:
    13750303
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 2.55万
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    10750501
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    1998
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    $ 2.55万
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    1998
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    $ 2.55万
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  • 批准号:
    07750934
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 2.55万
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    06750700
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 2.55万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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  • 批准号:
    05750620
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 2.55万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
超急冷法によるイオン-電子混合伝導性ガラスの作製と電気化学素子への応用
超急冷法制备离子电子混合导电玻璃及其在电化学器件中的应用
  • 批准号:
    04750679
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.55万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
銅イオン伝導性ガラスの合成と電気伝導特性
铜离子导电玻璃的合成及导电性能
  • 批准号:
    03750583
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 2.55万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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