混晶半導体における個々の原子からのトンネル物性

混合晶体半导体中单个原子的隧道特性

• 批准号: 07225210
• 负责人: 朝日 一
• 金额: $ 1.02万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07225210/
• 关键词: 半導体; 走査トンネル顕微鏡; トンネル物性; ナノ構造; 量子細線; 量子ドット; 分子線エピタキシ-; 透過電子顕微鏡

1.GaAs(100)微傾斜面上にガスソースMBE法によりサブモノレイヤー(0.3,0.5,0.7ML)のInAsを成長しSTM(走査トンネル顕微鏡)観察/STS(走査トンネル分光)測定を行ない、そこでのトンネル特性について調べた。GaAs領域、InAs領域でトンネル電流の立ち上がる電圧位置には大きな差は無かったが、電流の立ち上がり角は異なることが見い出された。そして、それらはモノレイヤー数には存在しないことを見い出し、III-V混晶半導体において原子レベルの個々の原子の識別の可能性のあることを明らかとした。2.(100),(311),(411)の3種の面方位の異なるGaAs基板上にガスソースMBE法により、(Inp)n(Gap)m単周期超格子を成長した。透過電子顕微鏡(TEM)観察により、(100)面上では細線構造が、(311),(411)面上ではドット状構造が形成されることが明かとなった。その大きさは、10^〜20nmの周期の細線、または、10^〜20nmの周期の格子状に配置されたドットであり、このように自己形成された構造を利用すれば、密度の高い量子細線、量子ドット構造が形成可能であることが分かった。(100)面上に形成した細線構造に対してSTM観察を行ない、TEM像と同様の明暗の細線状の構造が観測された。更に、細線状構造の様々の位置で、STS測定を行ない、各場所でのバンドギャップエネルギーが求められた。その分布より自己形成された細線構造の組成変調の様子が分かり、この方法が混晶半導体ナノ構造におけるバンドギャップの分布の様子をナノメータレベルで観測、測定する手法として適していることを明らかとした。

On the micro-slope of 1.GaAs, the MBE method is used to determine the characteristics of the long-term STM (0.3, 0.5, 0.7 ML). The observation

项目成果

S. J. Kim: "Substrate orientation dependence of lateral composition modulation in (GaP)n(InP)n strained short period superlattices grown by gas source MBE" Inst. Phys. Conf.,. (in press). (1996)

S. J. Kim：“气源 MBE 生长的 (GaP)n(InP)n 应变短周期超晶格中横向成分调制的衬底取向依赖性”Inst.

J. H. Noh: "Possibility for the discrimination of submonolayer InAs and GaAs grown on tilted GaAs substrate" Jpn. J. Appl. Phys.,. 35(in press). (1996)

J. H. Noh：“区分在倾斜 GaAs 衬底上生长的亚单层 InAs 和 GaAs 的可能性”Jpn。