InNをベースとした長波長円偏光半導体レーザ創製に関する研究

基于InN的长波长圆偏振半导体激光器的研制

• 批准号: 19032006
• 负责人: 朝日 一
• 金额: $ 4.86万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19032006/
• 关键词: 窒化物半導体; スピンエレクトロニクス; 光物性; 結晶工学; MBE

本研究では、InN窒化物半導体の潜在能力を活かし、長波長かつ円偏光の発光デバイスの創製を目指すものであり、そのためにInN, InGaNに遷移金属または希土類元素を添加して室温強磁性半導体を創製する。本年度は、プラズマ励起M3E法によりInCrN, GaGdNの低温成長、GaGdN/GaN超格子構造、GaDyN, InGaGdNの結晶成長とその評価を中心に研究を進め、次の成果を得た。(1)遷移金属Cr添加InCrNの成長においては、350℃と低温で成長することにより、CrがInサイトを置換したInCrNが成長できることが分かった。(2)強磁性半導体GaGdNと非磁性半導体GaNからなるGaGdN/GaN超格子構造を成長し、相対的にGaGdN層が薄い場合にキャリア誘起による磁気モーメントの増大が観測された。(3)GaGdNを300℃の低温で成長することにより、Gd濃度を12.5%まで増加させることが可能となり、磁化の増大が観測された。GaGdN低温成長中にSiを共添加することにより、キャリア誘起強磁性の効果で更に磁化を増大させられることが分かった。(4)希土類原子Dy添加を添加したGaDyNでは、室温での強磁性、PL発光を観測すると共に、MCD測定においてGaNバンド端でのMCD信号の増大が観測された。(5)InGaNにGdを添加したInGaGdNの成長を試み、その成長を確認した。

In this study, the potential of InN asphyxiated hemispheres is active, long-wavelength photoluminescence, polarizing light, temperature, temperature, This year, we have encouraged the development of M3E InCrN, the low temperature growth of GaGdN, the fabrication of GaGdN/ gan superlattice, the research progress and secondary achievements of the Center for Crystal growth and Crystal growth of GaDyN and InGaGdN. The main results are as follows: (1) the transfer metal Cr is added to the growth temperature of InCrN, the growth temperature of 350C, the temperature of 350C, the temperature of InCrN, the temperature of In, the temperature of growth temperature, the temperature of growth temperature, the temperature of growth temperature and the temperature of growth temperature. (2) the strong magnetic hemispheres GaGdN, the non-magnetic hemispheres GaN grains, the GaGdN/ gan superlattices are fabricated into a long, thin, thin and thin GaGdN superlattice. (3) the growth temperature of GaGdN at 300 ℃ is high temperature, the temperature of Gd is 12.5%, and the temperature of temperature is 12.5%. In the growth of GaGdN at low temperature, a total of high temperature Si has been added, and the strong magnetic properties have been increased. (4) the rare earth atom Dy adds high temperature GaDyN, room temperature strong magnetism, PL photoluminescence, MCD measurement, and MCD measurement of the MCD signal at the end of the temperature range. (5) InGaN Gd to confirm that the growth of the InGaGdN is important.

项目成果

Annealing effect in GaDyN on optical and magnetic properties

GaDyN 的退火效应对光学和磁性能的影响

• 发表时间: 2008
• 作者: Y.K.Zhou;M.Takahashi;S.Kimura;S.Emura;S.Hasegawa;H.Asahi
• 通讯作者: H.Asahi

Growth and characterization of InCrN and(In, Ga, Cr)N

InCrN 和(In, Ga, Cr)N 的生长和表征

• 发表时间: 2008
• 期刊: Phys. Stat. Sol (c)5
• 作者: S. Kimura;S. Emura;K. Tokuda;Y. Hiromura;S. Hayakawa;Y.K. Zhou;S. Hasegawa and H. Asahi
• 通讯作者: S. Hasegawa and H. Asahi

Third magnetic phase of GaGdN detected by SX-MCD

SX-MCD 检测到 GaGdN 的第三磁相

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Takahashi;Y. Hiromura;S. Emura;T. Nakamura Y. K. Zhou;S. Hasegawa and H Asahi
• 通讯作者: S. Hasegawa and H Asahi

Si基板上GaCrNナノロッドの作製とその評価(2)

Si 衬底上 GaCrN 纳米棒的制备与评价 (2)

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. K. Zhou;S. Kimura;S. Emura;S. Hasegawa;H. Asahi;亀岡恒志;丹保浩行
• 通讯作者: 丹保浩行

Electronic structure of Gal-xCrxN and Si-doping effects studied by photoemission and X-ray absorption spectroscopy

光电发射和X射线吸收光谱研究Gal-xCrxN的电子结构和Si掺杂效应

• 发表时间: 2008
• 期刊: Phys. Rev. B 78
• 作者: G. S. Song;M. Kobayashi;J. I. Hwang;T. Kataoka;M. Takizawa;A. Fujimori;T. Ohkouchi;Y. Takeda;T. Okane;Y. Saitoh;Yamagami;F.-H. Chang;L. Lee;H-J. Lin;D. J. Huang;C. T. Chen;S. Kimura;M. Funakoshi;S. Hasegawa;and H. Asahi
• 通讯作者: and H. Asahi