不均一電子系における近接効果

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不均一電子系に関する近接効果ということで,これまで行ってきた超伝導近接効果の研究ばかりでなく,CDWを含んだ不均一系,常伝導/絶縁体/CDW接合系(N/I/C接合系)の研究も行った.現在こうした系はデルフト大学の実験のグループで実際作り始められていて,これからの問題である.我々はすでによく研究されている,常伝導/絶縁体/超伝導接合系とのアナロジーをつけながら,この系の持っている基本的な物性を検討した.ここでは,N/I/C接合系の微分コンダクタンスを計算することで,微分コンダクタンスは直接CDWのマクロな位相に依存することを明らかにした.バリアーが大きいときにトンネルコンダクタンスは界面における局所状態密度に一致するが,それは決してバルクの状態密度とは一致しない.同様のことは異方的な超伝導体でも成り立つ.最近我々は,常伝導/絶縁体/異方的超伝導の接合系において,バリアーが大きいときにトンネルコンダクタンスは界面における局所状態密度に一致するが,それは決してバルクの状態密度とは一致しないということを明らかにした.さらに実際の接合では位相の平均が必要となる.平均化されたコンダクタンスも求められた.特徴的なこととして,バリアーが十分に高い極限においてもバルクのBCS的なCDWの状態密度とは異なったものとなる.さらにコンダクタンスのゆらぎも計算した.この研究とは別に,異常なマイスナー効果に関する研究も検討している.この問題は,最近非常に細い超伝導体Nbの回りを,Cu,Agで包んだ系で特に極低温において,異常な温度依存性を示すというものである.超伝導近接効果の観点からこの問題の検討を行い,理論的解析に必要なグリーン関数を導出した。