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シリコン中のプロセス誘起点欠陥の検出による欠陥制御法の探索

通过检测硅中工艺引起的点缺陷来寻找缺陷控制方法

基本信息

批准号：
09224204
负责人：
谷川庄一郎
金额：
$ 1.54万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

無転位化を実現し、重金属等の有害不純物を徹底的に低減化することに成功したシリコン結晶において、未だに残留し続ける「究極の不純物」とも言うべきは、結晶自身が含有する点欠陥、特に結晶成長時に凍結された点欠陥および種々のプロセスによって導入された点欠陥である。最近、デバイス製造プロセスにおいて、出発結晶中に内在する固有点欠陥に起因すると想像される種々の問題が顕在化してきた。点欠陥、特に原子空孔型の点欠陥を高感度で検出するための実験手法として、陽電子消滅法が唯一の方法であることが、本研究代表者の過去10年以上に亘る研究成果が明らかにしてきた。本研究では、原子空孔型欠陥の唯一の検出プローブである陽電子を利用して、シリコン中の結晶成長誘起欠陥およびイオン注入誘起欠陥の性状を明らかにした。FZ成長シリコンは、重力下で要請される急速な液化・固化条件のために、不可避的に原子空孔型欠陥が残留することを実証した。一方、Czシリコンは、熱平衡点欠陥と固溶酸素原子との間の反応を制御することにより、原子空孔型欠陥の残留を低減化できることを実証した。イオン注入により発生する原子空孔型欠陥の存在深さは、注入イオンの質量とシリコン原子の質量の比に強く依存することを直接的に観測することに成功した。また、シリコン自身をクリーンな状態に保つために用いられるシリコン酸化膜の存在が、シリコン中の原子空孔型欠陥の熱的安定性に重大な影響を及ぼすことを明らかにした。この現象の主因は酸化膜中の酸素原子のリコイル注入であり、シリコン基板を清浄化しても、この影響を免れることはできないことを明らかにした。

The chemical reaction of hazardous substances such as heavy metals and other hazardous substances at the bottom of the temperature has been successfully tested. The results show that the temperature is low, heavy metals and other harmful substances are present, heavy metals and other harmful substances, such as heavy metals, heavy metals and other harmful substances. Recently, there has been a shortage of internal stress in the production system, which is caused by a variety of problems. The point deficiency, the special atomic hole type, the high sensitivity, the electronic elimination method, the only method, and the representative of this study have studied the results of the research over the past 10 years. In this study, the atomic hole deficient electron microscope is the only one to show that the mechanical properties are affected by the growth of the crystal in the middle of the electron microscope and the formation of the crystal. For the growth of FZ, rapid liquefaction and curing conditions are required under gravity, and the unavoidable atomic void type residual temperature is not available. On the one hand, the balance point is low, the solid acid atom is low, the solid acid atom is low, the atomic void type is low, and the atomic void type is low. In the absence of atomic holes, there is a deep hole in the atom, and the atomic quantity is stronger than the dependence on the atom. The stability of the acidified film, the stability of the atomic void type and the stability of the acidified film are significantly affected by the presence of the acidified film and the stability of the acid film. The main reason is that the acid atoms in the acidizing film are injected into the acid film, the substrate is clear, and the substrate is clean.