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III-V族半導体におけるプロセス誘起欠陥の電子スピン共鳴法による新評価方法

III-V族半導体におけるプロセス誘起欠陥の電子スピン共鳴法による新評価方法
一种利用电子自旋共振评估 III-V 族半导体中工艺引起的缺陷的新方法
批准号:
57750003
负责人:
村上 浩一
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1982
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1982 至 --
关键词:

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光デバイスとしてサイズ選択したシリコンナノ微粒子薄膜のパルスレーザーを用いた堆積
  • 批准号:
    97F00502
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $0.77万
  • 财政年份:
    1998
  • 负责人:
    村上 浩一
  • 依托单位:
半導体結晶中の水素分子の制御と分子メモリー
  • 批准号:
    10875066
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1998
  • 负责人:
    村上 浩一
  • 依托单位:
時間分解測定によるシリコンクラスターの表面反応と光ルミネッセンス
  • 批准号:
    09216202
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.02万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    村上 浩一
  • 依托单位:
時間分解分光測定によるIV族元素クラスターの表面反応と相転移の研究
  • 批准号:
    08230204
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    村上 浩一
  • 依托单位: