単色陽電子線による金属ー半導体界面の電子状態・格子欠陥の研究

利用单色正电子束研究金属-半导体界面的电子态和晶格缺陷

• 批准号: 02232207
• 负责人: 谷川 庄一郎
• 金额: $ 2.05万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02232207/
• 关键词: 単色陽電子線; 金属ー半導体界面; 薄膜中の格子欠陥

陽電子消滅法による電子状態・格子欠陥の研究は、放射性同位元素からの0〜数100keVの白色陽電子をそのまま用いる方法で、バルクの分析法として非常な発展を逐げたが、本研究では、この方法を高度化して単色陽電子線を発生させ、そのエルネギ-を単色のままで可変とし、対象試料への深さの関数として、電子状態・格子欠陥分布を調べる方法とし、金属ー半導体界面の評価,界面反応過程の解明に応用した。エネルギ-分解能0.5eV,エネルギ-可変領域0.1〜50keV(陽電子の侵入深さ0.5nm〜5μmに対応)、陽電子電流10^5e^+/secの性能を有する単色エネルギ-可変陽電子ビ-ムラインを利用して、以下の項目の研究を行った。 (1)イオン注入したSi,GaAs中の原子空孔型欠陥の深さ分布および焼鈍過程の測定,(2)Si上に形成したTiN膜,ダイアモンド膜の欠陥評価(3)Si上の酸化膜,窒化膜の応力に誘起されたCZーSi中の酸素の再配列,(4)SiをMBEでド-プしたGaAs膜中のGa空孔の生成・移動の直接測定と不純物拡散機構との関連に関する研究,(5)GaAs中のpn接合の劣化とGa空孔の生成・移動,Ga格子間原子の生成・移動の関係に関する研究,(6)硫黄処理したIIIーV化合物半導体(GaAs,GaP etc)表面の欠陥形成抑制に関する研究,(7)イオン注入によりSiをド-プしたGaAsのRTAによる活性化機構の解明,(8)イオン注入によりSeをド-プしたGaAsの活性化機構の解明,(9)normalーHEMTおよびinverted HEMT中の欠陥解析と電子の移動度の関係に関する研究,(10)MOVPEおよびMBEにより形成したZnSe膜中の欠陥解析とGaド-プとの関係,(11)MOSFET中の電場勾配の測定、等である。以上の研究成果の一部は、既に、学術刊行誌に公表された。

The method of electron elimination is used in the study of the electronic state lattice, the number of radioactive isotopic elements is 0 ~ the number of 100keV, the number of radioactive isotopes is 0, the number of radioactive elements is 0, the number of radioactive isotopes is 0, the For example, the data of the material, the distribution of the electronic state lattice, and the interface of the metal semi-body. The interface reflects the process and explains how to use it. Thermal degradation-decomposition energy 0.5eV, thermal degradation-reachable domain 0.1~50keV (thermal power intrusion depth 0.5nm ~ 5 μ m microwave), thermal current 10 ^ 5e ^ +

项目成果

J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,T.Nakagawa and K.Ohta: "Characterization of column III vacancies in Al_xGa_<1ーx>As/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.29. L1763-L1765 (1990)

J.L.Lee、L.Wei、S.Tanikawa、T.Nakakawa 和 K.Ohta：“分子束外延生长的 Al_xGa_<1-x>As/GaAs 异质结构中第三列空位的表征”Jpn.J.Appl.Phys。 29.L1763-L1765 (1990)

A.Uedono,S.Tanigawa,J.Sugiura and M.Ogasawara: "Vacancyーtype defects in As^+ーimplanted SiO_2(43nm)/Si probed with slow positrons" Jpn.J.Appl.Phys.29. 1867-1871 (1990)

A.Uedono、S.Tanikawa、J.Sugiura 和 M.Ogasawara：“用慢正电子探测 As^+ 注入的 SiO_2(43nm)/Si 中的空位型缺陷”Jpn.J.Appl.Phys.29-。 1871 (1990)

J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,H.Oigawa and Y.Nannichi: "The effect of surface oxides on the creation of point defects in GaAs studied by slow positron beam" Jpm.J.Appl.Phys.30. L138-L140 (1991)

J.L.Lee、L.Wei、S.Tanikawa、H.Oikawa 和 Y.Nannichi：“通过慢正电子束研究表面氧化物对 GaAs 中点缺陷产生的影响”Jpm.J.Appl.Phys.30。

A.Uedono,L.Wei,C.Dosho,H.Kondo,S.Tanigawa,J.Sugiura and M.Ogasawara: "Defect production in phosphorus ionーimplanted SiO_2(43nm)/Si studied by a variableーenergy positron beam" Jpn.J.Appl.Phys.30. 201-206 (1991)

A.Uedono、L.Wei、C.Dosho、H.Kondo、S.Tanikawa、J.Sugiura 和 M.Ogasawara：“用可变能量正电子束研究磷离子注入 SiO_2(43nm)/Si 中的缺陷产生“ Jpn.J.Appl.Phys.30.201-206（1991）

谷川 庄一郎(共著): "最新「固体表面/微小領域の解析・評価技術」" リアライズ, (1991)

Shoichiro Tanikawa（合著者）：“最新的‘固体表面/微区域的分析和评估技术’”Realize，（1991）