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磁性イオン原子層ドープ量子構造の局在励起子による微小領域磁性の研究

磁性离子原子层掺杂量子结构中局域激子的微畴磁性研究

基本信息

批准号：
09236210
负责人：
松本俊
金额：
$ 1.22万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.ZuSe、MnSe、ZnMnSeのMBE成長量子構造の構成要素であるZnSe、MnSe、Zn_<0.79>Mn_<0.21>SeをGaAs(100)基板上にMBE成長させた。膜厚が1000Å以下と6200ÅのMnSe、Zn_<0.79>Mn_<0.21>Seエピタキシャル膜の格子定数はそれぞれ5.923Å、5.735Åであった。GaAs(100)基板上の臨界膜厚はそれぞれ8Å、75Åと計算された。以下に述べる超格子では井戸層にZnSeを、障壁層には結晶性・臨界膜厚・禁制帯幅を考慮してZn_<0.79>Mn_<0.21>Seを用いた。Zn_<0.79>Mn_<0.21>Seからは3.85eV(16K)にピークを持つ発光が観測され、自由励起子の結合エネルギーを24meV(ZnSeの値)として、以下の超格子の解析では障壁層の禁制帯幅を2.874eVとした。2.Zn_<0.79>Mn_<0.21>Se/ZnSe超格子のX線回折とPLスペクトルGaAs(100)基板上に厚み1000ÅのZnSeバッファ層を介して60周期のZn_<0.79>Mn_<0.21>Se/ZnSeからなる超格子をMBE法で作製した。Zn_<0.79>Mn_<0.21>Se層の厚みは36Åに固定してZnSe層の厚みを10、18、30Åと変化させた。X線回折の超格子サテライトピークの解析の結果、超格子の各層は格子緩和していることがわかった。量子準位間遷移発光が観測され、発光エネルギーは緩和成長量子井戸のクローニッヒ・ペニ-モデルで説明できた。ZnSe層が30Åと厚い試料のX線回折スペクトルには余分のピークが現れ、超格子構造の乱れが示唆された。

1. MBE growth of ZnSe, MnSe, ZnMnSe <0.79><0.21>on GaAs(100) substrate. The lattice number of MnSe and Zn_ Mn_ Se films with film thickness of less than 1000 and 6200 <0.79><0.21>is 5.923 and 5.735 respectively. The critical film thickness on GaAs(100) substrate was calculated by 8 and 75 respectively. In the following, the superlattice layer ZnSe, the barrier layer ZnSe, the critical film thickness ZnSe, and <0.79>the inhibition band ZnSe are considered<0.21>. Zn_<0.79>Mn_<0.21>Se: 3.85eV(16K): 1.874eV: 1.874eV: 1.875eV: 1.874eV: 1.875eV: 1.874eV: 1.874eV: 1.87eV: 1. 2. X-ray reflection <0.79><0.21>and PL spectra of Zn_Mn_Se/ZnSe superlattices on GaAs(100) substrates with a thickness of 1000 nm <0.79><0.21>were prepared by MBE method. The thickness of Zn_<0.79>Mn_<0.21>Se layer is fixed at 36 ℃, while the thickness of ZnSe layer is changed at 10 ℃, 18 ℃ and 30 ℃. X-ray folding of the super lattice, the results of the analysis, the layers of the super lattice, the lattice relaxation, the lattice relaxation. Quantum level migration light detection, light detection, and mitigation of quantum well growth The X-ray reflection of ZnSe layer with thickness of 30 μ m shows the residual structure and the disorder of superlattice structure.