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結晶成長の原子レベル制御

晶体生长的原子水平控制

基本信息

批准号：
04204009
负责人：
松本俊
金额：
$ 9.6万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.原子層レベルの成長制御が可能なALE法を用いてZnSe/CdSe超格子構造を作製した。RHEED反射強度のその場観察からZn面上に比較してCd面上ではSe原子が付着しにくいことを見いだした。井戸層のCdSeが1、2、3、4MLの多重量子井戸構造で超格子のX線回折サテライトピークと量子井戸準位からの発光を観測した。窒素ガス励起セルを開発し、p=1×10^<16>〜8×10^<17>cm^<-3>のp形ZnSeを成長した。(松本)2.光援助MBE法では、GaAs上のZnSeのエピタキシャル成長の臨界膜厚が厚くなり、自由励起子発光強度が増加した。これは表面吸着原子の泳動が促進された結果と考えられる。また光照射によって種々の不純物に束縛された励起子発光強度が変化した。これは不純物の光脱離とZnあるいはSe原子の光脱離との差による不純物取り込み量の変化で説明される。(更家、松村)3.ガスビームフロー形反応管を用いて、2インチサファイア基板上へAlNエピタキシャル成長を行い、さらにこのAlN膜を用いてGHz帯弾性表面波素子を試作した。従来、良好な結晶性並びにデバイス特性を有するAlN膜は、数mmの基板にしか成長できなかった。2インチ基板に成長したAlNを用いて、良好な遅延時間温度特性を有する1.4〜2.4GHzのSAWデバイスを再現性良く製作できるようになった。(坪内)4.毒性が低く、低温成長に適したTBPを用いたOMVPE成長において、平坦な清浄表面の得られる(NH_4)_2・Sx基板表面処理を組み合わせてAlP/GaP短周期超格子の成長を行った。この超格子層に対して動力学的X線回折シミュレーションを用いた構造解析を行った結果、本成長方法により平均揺らぎが1ML以下の原子レベルで急峻かつ平坦な短周期超格子が実現できることが分かった。(若原)

1. It is possible that the ALE method uses the superlattice of ZnSe/ CdSe to make the superlattice of atoms. The reflection strength of RHEED is different from that of the Zn surface. The Se atom on the Cd surface is different from that of the Se plane. Multiple quantum wells such as CdSe 1, 2, 3 and 4ML are used to create a super lattice X line to fold back the X line to prepare a quantum well to prepare the position. Asphyxiate stimulates the growth of p-shaped ZnSe, such as 1 × 10 ^ & lt;16>~8 × 10 ^ & lt;17> cm^ & lt;-3>. (Matsumoto) 2. With the aid of the MBE method, the growth of the ZnSe device on the GaAs, the thickness of the boundary film and the light intensity of the free exciter. The absorption of atoms on the surface of the copper surface promotes the detection of electrophoresis. the results show that there is a strong affinity for the absorption of atoms on the surface. The luminous light is used to illuminate the intensity of the light intensity of the exciter. Light separation of Zn atoms, Se atoms, light separation, differential light separation, light emission, light separation, light separation, light (Gengjia, Matsuura) 3. On the substrate of the reverse tube, the AlN film is grown and the AlN film is made with the GHz surface wave substrates. In recent years, good crystal properties and high temperature characteristics are very important for the growth of AlN film and the growth of mm substrate. 2. For the growth of the substrate, the AlN is used, and the temperature characteristic of the good delay time is 1.4 ~ 2.4GHz. The SAW alloy has good reproducibility, which is used as the temperature characteristic of the substrate. (ping Nei) 4. Low toxicity, low temperature growth temperature, low temperature growth temperature, low temperature The X-ray analysis of the dynamics of the superlattice is based on the analysis of the results of the computer simulation. The growth method is used to analyze the results of the analysis. The growth method is used to analyze the average temperature of the atoms below the 1ML. The short-period superlattice is flat and the superlattice is flat. (if original)