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ワイドギャップII-VI族およびI-III-VI_2族化合物反動体の伝導特性の制御

宽禁带II-VI和I-III-VI_2复合反应体导电性能的控制

基本信息

批准号：
62604554
负责人：
松本俊
金额：
$ 2.05万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1987
资助国家：
日本
起止时间：
1987 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.Znseのドーピングと評価減圧気相成長系の圧力を水素ガス0.1Torrに固定し, ドナー不純物としてIn, アクセプタ不純物としてNのドーピングを行った. Inは金属Inを原料にして抵抗加熱方式で蒸気を供給した. Nは, NH_3ガスを原料にしてH_2ガスで希釈して成長系内に導入した. In蒸発源温度T_<In>を350〜550°Cの範囲で変化させることにより, ZnSeエピタキシアル結晶の室温におけるキャリア密度を10^6〜10^<18>cm^<-3>の範囲で制御できた. 成長温度は280°C, 成長層の厚みは1.8μmである. アンドープの試料は高抵抗であるが, T_<In>が400°C以上で抵抗率の低下が認められ, 550°Cでn=1.3×10^<18>cm^<-3>, ζ=2.4×10^<-2>Ω・cmが得られた. T_<In>>500°Cの場合はキャリヤ密度, 移動度の温度依存性が小さく, 縮退半導体の特徴を示す. 一方, NH_3混合ガス中で成長した試料には, 2.793eVに浅いアクセプタに束縛された励起子の発光が, 2.70eVにドナーアクセプタ対発光が現れ, NH_3濃度とともに強度が増加する. ホトルミネセンスの温度依存性の解析から, NH_3を導入すると100meV程度のアクセプタ準位が発生することがわかった.2.CuGaS_2の気相成長と評価化合物半導体の3構成元素すなわちCu, Ga, Sの供給量を独立制御しながら結晶成長を行うために, 塩化銅(CuCl), 塩化ガリウム(CaCl_3), 単体のイオウ(S)を原料として採用した. キャリヤガスとしてN_2ガスを用いた. 各原料の蒸気圧が10Torr程度になるように原料部温度を設定し, 成長部温度は600〜700°C, 反応管内圧力は1気圧とした, カルコパイライト構造のCuGaS_2が合成されることをX線回折法で確認した. GaAs基板上に成長丘パターンを示す成長層が得られ, 4.2Kで2.299eVにピークをもつドナーアクセプタ対発光が観測された.

1. The pressure of ZnSe phase growth system is 0.1 Torr. In metal In raw material is resistant to heating and evaporation. N, NH_3, H_2, NH_3, NH_2, NH_3, NH_3, NH_2, NH_3, NH_3 In the range of evaporation source temperature T_<In>from 350 °C to 550°C, ZnSe crystallizes at room temperature and has a density of 10^6 ~ 10^<18>cm<-3>. Growth temperature 280°C, growth layer thickness 1.8μm. The resistance of the sample is high, T_g above <In>400°C is low, n=1.3×10^<18>cm^<-3>, z =2.4×10^<-2>Ω·cm ^is 550°C. T_<In>>500°C, the temperature dependence of density, mobility and shrinkage of semiconductor characteristics are shown. On the other hand, NH_3 mixed medium growth sample at 2.793 eV, the light emission from the excitation source at shallow level, the light emission from the excitation source at 2.70 eV, the concentration and intensity of NH_3 increased. 2. Evaluation of the Phase Growth of CuGaS_2. Independent Control of the Supply of Cu, Ga, S in Compound Semiconductors for the Crystallization Growth of Cu, Ga, S in Compound Semiconductors. The monomer and its (S) raw materials are adopted. The first time I saw him was when I was a kid. The vapor pressure of each raw material is set to 10Torr, the temperature of the raw material part is set to 600 ~ 700°C, the pressure in the reaction tube is 1 Torr, and the synthesis of CuGaS_2 with the structure of CuGaS_2 is confirmed by X-ray reflection method. The growth layer on the GaAs substrate was obtained at 4.2K and 2.299eV.