強誘電体の電気特性の発現機構の基礎的解明
強誘電体の電気特性の発現機構の基礎的解明
批准号:
12134208
负责人:
石橋 善弘
金额:
$25.98万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2002
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2002 至 2003
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強誘電体薄膜のモデルとしては、Tilley-Zeksモデルが数学的に最もよく定義されているので、同モデルの徹底的な解析を行った。非対称表面の場合にも拡張できることを見出し、相転移点の外挿長依存性を求めた。特に2つの外挿長が異符号の場合、仮想的な秩序変数を導入することにより、相転移点や分極プロファイルが簡単に求められることを示した。Tilley-ZekSモデルの特徴は外挿長の導入であるが、その物理的根拠に不明確な点がある。そのため、界面近傍にある双極子間の相互作用の結果として、自然に外挿長が得られるようなモデルを考案し、提案した。このモデルは層状構造強誘電体に適用できる。解析の結果、分極が相互に浸透していることが分かった。現在このモデルにより層状構造強誘電体における電場効果を検討している。強誘電体の伝導現象や膜厚依存性を解明するためには、強誘電体表面の電子状態を知ることが重要であると考え、この理想モデルとして、十分制御された清浄で欠陥の少ない強誘電体と他物質界面の基本特性を解明している。今年度は、強誘電体を半導体の界面の特性を再検討し、強誘電体/絶縁体界面の電子状態の理解のため、(1)Pb(Zr, Ti)O_3/SrTiO_3:Nbの極低温でのトンネル電流の真偽と光照射効果,(2)Pb(Zr, Ti)O_3はn型であるという説の吟味((1)に付随),(3)BaTiO_3/La_2CuO_4の抵抗の温度依存性異常,(4)BaTiO_3単結晶の分域伝導,(5)BaTiO_3単結晶表面のAFM観察を行った。特に、(1)では、低温での光起電力と伝導性のパルス制御を初めて示した。(4)では、BaTiO_3単結晶の内部伝導が相転移温度に向けて急増し、また、分域状態に強くよることを見出し、この原因を様々な測定により検討している。
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Y.Watanabe, M.Okano: "PHOTORESPONSE OF TUNNELING CONDUCTION THROUGH Pb(Ti, Zr)O_3/SrTiO_3 JUNCTION AT LOW TEMPERATURE"Integrated Ferroelectrics. (2004)
Y.Watanabe、M.Okano:“低温下通过 Pb(Ti, Zr)O_3/SrTiO_3 结的隧道传导的光响应”集成铁电体。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
K.-H.Chew, Y.Ishibashi et al.: "Theory of Interface Structures in Double Layered Ferroelectrics"J.Phys.Soc.Jpn.. 72-9. 2364-2368 (2003)
K.-H.Chew、Y.Ishibashi 等人:“双层铁电体中的界面结构理论”J.Phys.Soc.Jpn.. 72-9。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Watanabe 他: "Novel current transport phenomena in ferroelectric"J.Mat.Res.Soc.Jpn. 25-1. 201-204 (2000)
Y. Watanabe 等人:“铁电体中的新型电流传输现象”J. Soc. 201-204 (2000)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Ishibashi, E.Saije: "Theory of Ferroelectric 90゜Domain Walls"J.Phys.Soc.Jpn.. 71-11. 2800-2803 (2002)
Y.Ishibashi,E.Saije:“铁电 90°畴壁理论”J.Phys.Soc.Jpn.. 71-11 (2002)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Ishibashi: "Theory of the Morphotropic Phase Boundary"Ferroelectrics. 267. 191-199 (2002)
Y.Ishibashi:“同形相界理论”铁电体。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 25 条
強誘電体薄膜の諸機能の発現機構の解明と新デバイスへの展開
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批准号:09595001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$4.1万
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财政年份:1997
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负责人:石橋 善弘
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依托单位:
超イオン導電体の非線型導電スペクトロスコピー
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批准号:07239222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1995
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负责人:石橋 善弘
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依托单位:
強誘電体の強制状態遷移に伴う安定化過程における揺ぎの研究
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批准号:58540178
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1983
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负责人:石橋 善弘
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依托单位:
誘電体における相間または状態間の遷移機構
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批准号:57540166
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1982
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负责人:石橋 善弘
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依托单位:
誘電体の無秩序相における格子振動の研究
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批准号:X00070----942027
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$6.59万
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财政年份:1974
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负责人:石橋 善弘
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依托单位:
熱雑音測定による強誘体の臨界揺動の研究
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批准号:X44095-----84536
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.12万
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财政年份:1969
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负责人:石橋 善弘
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依托单位:
国内基金
海外基金
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高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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依托单位:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:林改
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依托单位:
基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
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批准号:JCZRMS202600414
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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批准号:2026JJ50456
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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批准号:2026JJ50114
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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(BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
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批准号:2026JJ50115
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批准年份:2026
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基于光交联的高稳定性图案化电致变色薄膜及其多色显示器件
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批准年份:2026
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用于粉体农药包装PVA薄膜的研发
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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智能化柔性光电薄膜材料精准制备平台
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批准号:JCZRMS202601078
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
钙钛矿准单晶薄膜的原子级气相沉积及其太阳能电池研究
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批准号:JCZRQNA202600009
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位: