完全界面制御プロセスによる機能調和素子創成
完全界面制御プロセスによる機能調和素子創成
批准号:
13025228
负责人:
田畑 仁
金额:
$26.94万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2003
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英文摘要
(1)日本初のオリジナルのメモリデバイス作製:シリコンと強誘電体薄膜のインテグレーションを目指し実施中の研究により、従来の酸化物強誘電体材料の持つ欠点を克服する新材料として、スピングラス、双極子グラス、ワイドギャップ酸化物半導体(ZnO等)物質を選定し、シリコン半導体素子へのインテグレーションを実施した。さらにナノ電極^*間にDNA等の有機メモリ分子を組み込んだナノ構造制御メモリ素子も作製。(2)メモリデバイスの量子サイズ効果と集積化素子特性評価:(1)で選択したメモリ材料の素子サイズ(膜厚、パターン形状)の変化に伴う、メモリ特性(誘電率、磁化率)の変化を調べ、誘電体の電子分極および磁性体のスピンとの相関を明らかにし、デバイスとして動作する物理的な集積化の限界を明らかにした。特に、極限のサイズ領域(10-20nm膜厚)における、誘電物性の変化(量子効果)を評価するため、原子間力顕微鏡(AFM)に組み込んだ誘電物性評価装置を用いて、集積化時の素子特性を明らかにした。^<**>名取(筑波大)らの理論的予測と比較して考察を行った。また、ナノスケールへの集積化時に課題となる、完全界面制御を確立するため、これまでに構築してきたシリコン(100)および(111)表面上へ形成した強誘電体薄膜、およびバッファー層に使用する極薄(1nm程度)SiON形成技術を確立した。この為の界面評価は高分解能TEMを用いた^<***>。*、**、***については、堀池(東大)、一木(東洋大)、名取(筑波大)、田中(名大)らと共同して進めた。
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Y.Otsuka: "Influence of humidity on the electrical conductivity of synthesized DNA film on nanogap electrode"Jpn. J. Appl. Phys.. 41. 891-894 (2002)
Y.Otsuka:“湿度对纳米间隙电极上合成 DNA 膜电导率的影响”Jpn。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
J.H.Gu: "Self-assembled dye-DNA network and its photoinduced electrical conductivity"Appl. Phys. Lett.. 80. 688-690 (2002)
J.H.Gu:“自组装染料-DNA网络及其光诱导电导率”应用。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
J.H.Gu: "Electric conductivity of dye modified DNA films with and without light irradiation in various humidities"J. Appl. Phys.. 92. 2816-2820 (2002)
J.H.Gu:“不同湿度下有光照射和无光照射的染料修饰 DNA 薄膜的电导率”J.
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Nishikawa: "Preparation of directly stacked YBa_2Cu_3O_7-delta/oxide magnetic material thin films on Al_2O_3(0001)substrate"Supercond. Sci. & Tech.. 15. 170-173 (2002)
H.Nishikawa:“在Al_2O_3(0001)衬底上直接堆叠YBa_2Cu_3O_7-δ/氧化物磁性材料薄膜的制备”Supercond。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Masuda: "Transparent thin films transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties""J. Appl. Phys.. 93(in press). (2003)
S.Masuda:“使用 ZnO 作为有源沟道层的透明薄膜晶体管及其电性能”“J. Appl. Phys.. 93(印刷中)。(2003 年)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 64 条
Investigating the hybrid quantum magnonic system for next-generation quantum information processing
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批准号:23KF0139
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2023
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Ultra-sensitive biomagnetic sensor based on spin wave quantum interference and stochastic resonance information processing
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批准号:22K18804
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2022
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Ultra High Sensitive Electric Nose for Medical Engineering Applications
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批准号:20H05651
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$125.8万
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财政年份:2020
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
生体ゆらぎを模倣するリラクサー・スピングラス材料創製と情報処理デバイス研究
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批准号:21656158
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2009
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
自己組織化半導体ナノロッドを用いた非蛍光標識型遺伝子トランジスタ
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批准号:17651070
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2005
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
極限界面・結晶成長制御による室温スピントロニクスデバイスの研究
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批准号:16031208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.2万
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财政年份:2004
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーMBE法と基板方位制御による低次元量子スピン系人工格子の創製
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批准号:12046248
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2000
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーアブレーションによるぺブロスカイト型機能調和薄膜の形成
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批准号:99F00067
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学原子層エピタキシーによる分子認識機能界面の創成
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批准号:10131241
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1998
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学分子層エピタキシーによる分子認識機能界面の創成
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批准号:11118246
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学原子層エピタキシ-による分子認識機能界面の創成
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批准号:09237241
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による強誘電体極限材料の創成
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批准号:09224210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による強誘電体/強磁性体傾斜機能材料の創成
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批准号:09229237
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による強誘電体・強磁性体人工格子の創成と新規メモリ素子化研究
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批准号:09750357
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による強誘電体/強磁性体傾斜機能材料の創成
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批准号:08243236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による遷移金属酸化物人工格子の創成とその物性
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批准号:08750371
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による超強誘電体極限材料の創成
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批准号:08238210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による超強誘電体極限材料の創成
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批准号:07248209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1995
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーアブレーションによる機能性酸化物人工格子の創製と計算化学による予測-構造相転移および物性(電気特性)の予測-
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批准号:07750358
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
海外基金