極限界面・結晶成長制御による室温スピントロニクスデバイスの研究
極限界面・結晶成長制御による室温スピントロニクスデバイスの研究
批准号:
16031208
负责人:
田畑 仁
金额:
$3.2万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
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英文摘要
室温動作可能なスピン偏極素子作製を目指し、ZnOベースのホモエピ成長を行い極限界面・結晶成長制御によるスピン物性制御を実施した。これまでの研究により、現在実用化されているアモルファスシリコンTFTを凌ぐ良好な特性(増幅率(>10^6)と移動度(10cm^2/Vs))の薄膜トランジスタを多結晶ZnO/SiO_2系にて実現している。この電界によるキャリア数制御という、要素技術を単結晶上のホモエピタキシャル薄膜に適用した。特にZnO薄膜へのCoをドーピングによるワイドギャップ磁性半導体の実現が、極限界面・結晶成長制御により系統的制御が可能となった。特にZnO薄膜作製時の極性制御は結晶成長モードに密接に関係し、強磁性発現に極めて重要な因子であることが明らかになった。酸素極性、Zn極性共に明瞭なキャリア濃度と磁化率に正の相関があり、10^<19>cm^<-3>以上の電子キャリア領域で1ボーア磁子/Coを超える大きな強磁性が発現した。室温スピントロニクスデバイスのプロトタイプとしてTMR素子作製をドライエッチング処理によりメサ構造を形成することで実施した。このような接合型素子によるスピントンネル素子、あるいは異方性結晶成長特性を利用した量子細線構造形成による量子井戸型光素子を希薄磁性半導体をベースとして作製し、その動作の検証を行った。トンネルバリア層となるMgOあるいはAl_2O_3薄膜の品質がTMR特性を支配しており、今後のデバイス特性改善に必須であることが分かった。また、最適なクラッド材料を選択し、あらゆる希薄磁性半導体に対しても適用できるような汎用性をもった装置開発を行った。
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Photoemission study of poly(dA)-poly(dT) DNA : Experimental and theoretical approach to the electronic density of states
聚 (dA)-聚 (dT) DNA 的光电发射研究:电子态密度的实验和理论方法
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Appl.Phys.Lett. 86
影响因子:
--
作者:
[H.Matsui, K.Kotani, H.Matsui, M.Kobayashi, H.Matsui, I.Hirata, H.Matsui, H.Tabata, M.Seki, M.Seki, H.Wadati]
通讯作者:
H.Wadati
DOI:
10.1016/j.physb.2004.06.037
发表时间:
2004-09
期刊:
Physica B-condensed Matter
影响因子:
2.8
作者:
[Y. Ishida;J. I. Hwang;Michikazu Kobayashi;A. Fujimori;H. Saeki;H. Tabata;T. Kawai]
通讯作者:
Y. Ishida;J. I. Hwang;Michikazu Kobayashi;A. Fujimori;H. Saeki;H. Tabata;T. Kawai
DOI:
10.1088/0953-8984/16/48/008
发表时间:
2004-11
期刊:
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子:
--
作者:
[H. Saeki;H. Matsui;T. Kawai;H. Tabata]
通讯作者:
H. Saeki;H. Matsui;T. Kawai;H. Tabata
自己組織化材料または微粒子を基板上に固定化する方法、および当該方法を用いて作成した基板
一种将自组装材料或微粒固定在基板上的方法以及使用该方法制作的基板
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
バイオ関連材料のテラヘルツ分光
生物相关材料的太赫兹光谱
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
光学 34(9)
影响因子:
--
作者:
[H.Matsui, K.Kotani, H.Matsui, M.Kobayashi, H.Matsui, I.Hirata, H.Matsui, H.Tabata, M.Seki, M.Seki, H.Wadati, S.Choopun, 田畑 仁, 田畑 仁]
通讯作者:
田畑 仁
共 30 条
Investigating the hybrid quantum magnonic system for next-generation quantum information processing
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批准号:23KF0139
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2023
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Ultra-sensitive biomagnetic sensor based on spin wave quantum interference and stochastic resonance information processing
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批准号:22K18804
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2022
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Ultra High Sensitive Electric Nose for Medical Engineering Applications
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批准号:20H05651
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$125.8万
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财政年份:2020
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
生体ゆらぎを模倣するリラクサー・スピングラス材料創製と情報処理デバイス研究
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批准号:21656158
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2009
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
自己組織化半導体ナノロッドを用いた非蛍光標識型遺伝子トランジスタ
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批准号:17651070
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2005
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
完全界面制御プロセスによる機能調和素子創成
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批准号:13025228
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$26.94万
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财政年份:2001
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーMBE法と基板方位制御による低次元量子スピン系人工格子の創製
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批准号:12046248
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2000
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーアブレーションによるぺブロスカイト型機能調和薄膜の形成
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批准号:99F00067
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学原子層エピタキシーによる分子認識機能界面の創成
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批准号:10131241
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1998
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学分子層エピタキシーによる分子認識機能界面の創成
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批准号:11118246
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
電気化学原子層エピタキシ-による分子認識機能界面の創成
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批准号:09237241
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による強誘電体極限材料の創成
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批准号:09224210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による強誘電体/強磁性体傾斜機能材料の創成
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批准号:09229237
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による強誘電体・強磁性体人工格子の創成と新規メモリ素子化研究
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批准号:09750357
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1997
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による強誘電体/強磁性体傾斜機能材料の創成
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批准号:08243236
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザMBE法による遷移金属酸化物人工格子の創成とその物性
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批准号:08750371
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による超強誘電体極限材料の創成
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批准号:08238210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
Si素子上への強誘電体超格子のヘテロ成長による超強誘電体極限材料の創成
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批准号:07248209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1995
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
レーザーアブレーションによる機能性酸化物人工格子の創製と計算化学による予測-構造相転移および物性(電気特性)の予測-
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批准号:07750358
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:田畑 仁
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依托单位:
海外基金