Ultra High Sensitive Electric Nose for Medical Engineering Applications

用于医学工程应用的超高灵敏度电鼻

基本信息

  • 批准号:
    20H05651
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 125.8万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-08-31 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

ナノ構造制御形成された酸化物半導体による超高感度皮膚ガス検出を実施した。1)酸化物半導体ナノ構造の制御形成本研究の遂行には100nm以下のサイズのナノ構造制御形成技術が不可欠である。これまでにレーザーアブレーションを用いたVLS(Vapor Liquid Solid)成長法により、ガス検出機能を有する各種酸化物半導体(ZnO、ITO、Ga2O3やWO3、Fe3O4など)のナノ構造形成を報告した。これらの知見に加えて、基板種および結晶面方位を選択した薄膜技術およびナノ加工技術を併用することでナノパターンの位置、サイズ、形状等を精密かつ再現性良く制御形成できることを実証した。(Frontiers in Sensors, DOI 10.3389/fsens. 2023.1170289) さらに、中間審査で得た助言に基づき、検出ガスの選択性、濃縮特性の鍵となる機能性多孔質材料(ゼオライト、金属有機構造体等)の専門家である研究者との共同研究も開始した。2)センサデバイス作製および体ガスリモート検出の実証半導体式ガスセンサは固体表面とガスとの反応によって生じる抵抗の変化をモニタすることで、各種ガスの存在やその濃度を計測した。一般に酸化/還元性ガスに対する反応性に富むn型半導体であるWO3、ZnO、SnO2、TiO2と、アンモニア等の窒化性ガスへの反応性に富むp型半導体Cu2Oを組み合わせた半導体式ガスセンサ作製した。1)で得られた知見をもとに複数(4種)の半導体センサを組み合わせたマルチセンサを作製し、複数混合ガス(アセトン、アセトアルデヒド、エタノール、アンモニア)を対象とした検出ガス信号をデータ科学(機械学習の一つである主成分解析により、ppbレベルの濃度ガスを繰り返し検出可能であることを実証した。
The ultra-high sensitivity skin test was carried out in the formation of acid compound semiconductors. 1) Fabrication of acid semiconductor structures. The implementation of this study is aimed at the fabrication of structures below 100nm. This paper reports on the formation of structures of various acid semiconductors (ZnO, ITO, Ga2O3, WO3, Fe3O4, etc.) with VLS (Vapor Liquid Solid) growth method. This knowledge is added to the substrate type and orientation of the crystal plane. The thin film technology and processing technology are used together. The position, shape and shape of the substrate are precisely reproduced. The formation of the substrate is verified.(Frontiers in Sensors, DOI 10.3389/fsens. 2023.1170289 In the meantime, the joint research of researchers on functional porous materials (e.g., metal organic structures, etc.) has begun. 2) Measurement of the presence and concentration of various substances on the surface of a solid. In general, the oxidation/reduction properties of the semiconductor are related to the oxidation properties of the n-type semiconductor, such as WO3, ZnO, SnO2, TiO2, Al2O3, etc. The oxidation properties of the semiconductor are related to the oxidation properties of the p-type semiconductor, such as Cu2O. 1) To obtain the knowledge of a plurality (4 kinds) of semiconductor components, the combination of the components, the operation of a plurality of mixtures, the detection of signals, the scientific (mechanical learning) analysis of main components, the concentration of ppb components, the detection of possible components, the detection of possible components, the detection of possible

项目成果

期刊论文数量(130)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Carrier injection behaviors from a band semiconductor to strongly correlated electron system in perovskite lanthanum vanadate/silicon junctions
  • DOI:
    10.1063/5.0094708
  • 发表时间:
    2022-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Y. Hotta;R. Nemoto;Keisuke Muranushi;Yujun Zhang;H. Wadati;Keita Muraoka;Hiroshi Sakanaga;H. Yoshida;K. Arafune;H. Tabata
  • 通讯作者:
    Y. Hotta;R. Nemoto;Keisuke Muranushi;Yujun Zhang;H. Wadati;Keita Muraoka;Hiroshi Sakanaga;H. Yoshida;K. Arafune;H. Tabata
Flexoelectric nanodomains in rare-earth iron garnet thin films under strain gradient
  • DOI:
    10.1038/s43246-021-00199-y
  • 发表时间:
    2021-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    7.8
  • 作者:
    H. Yamahara;B. Feng;M. Seki;Masaki Adachi;Md Shamim Sarker;T. Takeda;Masaki Kobayashi;R. Ishikawa;Y. Ikuhara;Yasuo Cho;H. Tabata
  • 通讯作者:
    H. Yamahara;B. Feng;M. Seki;Masaki Adachi;Md Shamim Sarker;T. Takeda;Masaki Kobayashi;R. Ishikawa;Y. Ikuhara;Yasuo Cho;H. Tabata
Control of Magnetic Properties of Barium Ferrite Thin Films With Unusual Valence Fe
异常价态Fe钡铁氧体薄膜磁性能的控制
  • DOI:
    10.3389/fmats.2021.732676
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Sakuda Masahiro;Yamahara Hiroyasu;Tabata Hitoshi;Seki Munetoshi
  • 通讯作者:
    Seki Munetoshi
Boosting learning ability of overdamped bistable stochastic resonance system based physical reservoir computing model by time-delayed feedback
  • DOI:
    10.1016/j.chaos.2022.112314
  • 发表时间:
    2022-08
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Zhuozheng Shi;Zhiqiang Liao;H. Tabata
  • 通讯作者:
    Zhuozheng Shi;Zhiqiang Liao;H. Tabata
傾斜歪み希土類鉄ガーネット薄膜における磁性と誘電物性
梯度应变稀土铁石榴石薄膜的磁性和介电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山原 弘靖;関 宗俊;小林正起 ; 田畑 仁
  • 通讯作者:
    田畑 仁
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Theoretical Study of Transition Metal Complexes: DFT vs. Post-Hartree-Fock Method.
过渡金属配合物的理论研究:DFT 与 Post-Hartree-Fock 方法。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
    肖 芝燕;松井裕章;田畑 仁;Shigeyoshi Sakaki
  • 通讯作者:
    Shigeyoshi Sakaki
表面極性の異なるZnOを用いたPNAの固体化と表面状態の解析
使用不同表面极性的ZnO固化PNA并分析表面状态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    野口 真路;宇野 毅;関 宗俊;田畑 仁
  • 通讯作者:
    田畑 仁
希土類鉄ガーネット薄膜ヘテロ構造における磁気特性制御
稀土铁石榴石薄膜异质结构磁性能的控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山原 弘靖;三橋 啓多;村田 哲也;関 宗俊;田畑 仁
  • 通讯作者:
    田畑 仁
応力センシングのための表面プラズモン励起の歪み場制御
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    倉永 康博;松井 裕章;池羽田 晶文;田畑 仁
  • 通讯作者:
    田畑 仁
バイオナノプロセスー溶液中でナノ構造を作るウェット・ナノテクノロジーの薦めー
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山下一郎;芝 清隆;河村秀樹;三浦篤志;金丸周司;鈴木治和;臼井健悟;林崎良英;岩場健治;安部 聡;上野隆史;小林未明;塚本里加子;杉本健二;柏木健司;佐野健一;梅津光央;芹澤 武;松野寿生;松浦和則;高谷 光;磯崎勝弘;芳賀祐輔;上杉 隆;中谷昭彦;直田 健;村田 智;齊藤博英;井上 丹;佐々木善浩;田 文杰;菊池純一;浦岡行治;桐村浩哉;冬木 隆;熊谷慎也;吉井重雄;寒川誠二;鈴木直毅;安立京一;李 奉局;川合知二;一木隆範;マニッシュ・ビヤニ;根本直人;松尾保孝;居城邦治;田畑 仁;松井 宏;松村幸
  • 通讯作者:
    松村幸

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Investigating the hybrid quantum magnonic system for next-generation quantum information processing
研究下一代量子信息处理的混合量子磁力系统
  • 批准号:
    23KF0139
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 125.8万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Ultra-sensitive biomagnetic sensor based on spin wave quantum interference and stochastic resonance information processing
基于自旋波量子干涉和随机共振信息处理的超灵敏生物磁传感器
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  • 批准号:
    13025228
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    2001
  • 资助金额:
    $ 125.8万
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  • 批准号:
    12046248
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 125.8万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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  • 批准号:
    99F00067
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 125.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
電気化学原子層エピタキシーによる分子認識機能界面の創成
电化学原子层外延创建分子识别功能界面
  • 批准号:
    10131241
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 125.8万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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  • 批准号:
    11118246
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 125.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)

相似海外基金

高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
  • 批准号:
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    2024
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    $ 125.8万
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酸化物半導体が駆動する次世代強誘電体メモリデバイスの大規模集積化に関する研究
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    24H00309
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    2024
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    2024
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    2024
  • 资助金额:
    $ 125.8万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    23K19123
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 125.8万
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  • 批准号:
    23KJ1590
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 125.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体レーザーによる酸化物半導体の単結晶帯成長と高性能フレキシブルデバイスの創出
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  • 批准号:
    22K14303
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 125.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 125.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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