多波長面発光レーザアレイ
多波長面発光レーザアレイ
批准号:
13026208
负责人:
小山 二三夫
金额:
$37.12万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2003
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英文摘要
将来の大容量光通信ネットワークのために,発振波長の絶対値を安定化した半導体レーザの実現や大規模な多波長一括生成技術が望まれている.波長の安定化された多波長光源が集積できれば,大容量の光LANやクロスコネクトなどへの展開が期待できる.本研究は,微小共振器面発光レーザとマイクロマシン(MEMS)/ナノマシン(NEMS)技術を融合して,波長温度無依存の半導体レーザや,数百波規模の多波長一括生成技術,広範囲の波長可変動作などを実現するための学術的基盤と基礎技術を確立することを目指して,研究を進めた.具体的な研究成果は,以下の通りである.凹凸パターン基板上多波長面発光レーザアレイの高精度波長制御のために,境界層内の気相拡散モデルを用いてパターン基板上の多波長集積アレイの設計を行った.GaAsパターン基板上の単膜の膜厚分布測定と顕微PLマッピングから拡散係数などのパラメータを推定することにより,任意の凹凸基板上の多波長面発光レーザの波長シフト量を理論的に予測できるようになった.約200nmの広い波長スパンにわたり波長シフト量を理論的に見積もることができた.さらに,多波長アレイの波長等間隔化を可能とするパターンの形状を理論的に求め,150nmの広い波長域にわたりほぼ線形な傾斜で波長を変化させることを示した.実際に,このような設計に基づき,1次元多波長面発光レーザアレイの波長等間隔化を試み,波長間隔約20nmの多波長アレイを初めて実現した.波長集積の高密度化には,空間的な高密度面発光レーザアレイの構成が必要とされる.今回,新たなトレンチ構造の提案により,ピッチ20umまでの高密度集積面発光レーザアレイの試作に初めて成功し,通常の構造では困難な高密度集積化が可能となった.
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M.Arai, T.Kondo, A.Matsutani, T.Miyamoto, F.Koyama: "Growth of highly strained GaInAs-GaAs quantum wells on patterned substrate and its application for multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser array"IEEE J.Select.Top.Quantum Electron.. v
M.Arai、T.Kondo、A.Matsutani、T.Miyamoto、F.Koyama:“图案化衬底上高应变 GaInAs-GaAs 量子阱的生长及其在多波长垂直腔面发射激光阵列中的应用”IEEE
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
T.Kondo, M.Arai, M.Azuchi, T.Uchida, T.Miyamoto, F.Koyama: "Effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells"Jpn. J. Appl. Phys.. vol.41, no.6A. L612-L614 (2002)
T.Kondo、M.Arai、M.Azuchi、T.Uchida、T.Miyamoto、F.Koyama:“退火对高应变 GaInAs/GaAs 量子阱的影响”Jpn。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Takeru Amano, Fumio Koyama, Masakazu Arai, Akihiro Matsutani: "Micromachined GaAs/AlGaAs resonant-cavity light emitter with small temperature dependence of emission wavelength"Jpn.J.Appl.Phys.. vol.42, no.11B. L1377-L1379 (2003)
Takeru Amano、Fumio Koyama、Masakazu Arai、Akihiro Matsutani:“微机械加工的 GaAs/AlGaAs 谐振腔光发射器,发射波长的温度依赖性较小”Jpn.J.Appl.Phys.. vol.42,no.11B。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
T.Kondo, M.Arai, M.Azuchi, T.Uchida, A.Matsutani, T.Miyamoto, F.Koyama: "Singlemode fibre transmission using 1.2μm band GaInAs/GaAs surface emitting laser"Electron. Lett.. vol.38, no.16. 901-903 (2002)
T.Kondo、M.Arai、M.Azuchi、T.Uchida、A.Matsutani、T.Miyamoto、F.Koyama:“使用 1.2μm 波段 GaInAs/GaAs 表面发射激光器的单模光纤传输”Electron Lett.. vol。 38,第 901-903 号(2002)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Takashi Kondo, Masakazu Arai, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama: "Isolator-free 10 Gb/s single-mode fiber data transmission using 1.1 um GalnAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser"Electron.Lett.. Vol.40,no.1. 65-66 (2004)
Takashi Kondo、Masakazu Arai、Akihiro Matsutani、Tomoyuki Miyamoto、Fumio Koyama:“使用 1.1 um GalnAs/GaAs 垂直腔表面发射激光器的无隔离器 10 Gb/s 单模光纤数据传输”Electron.Lett.. Vol.40,
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
共 16 条
Developments of ultra-high-speed VCSELs using coupled cavities
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批准号:21H04554
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.96万
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财政年份:2021
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
面発光レーザ集積アレイの波長エンジニアリング
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批准号:22246047
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$8.24万
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财政年份:2010
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
スローライトを用いた光集積回路の創成
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批准号:21656091
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2009
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
超並列光リンク技術のためのナノ構造面発光レーザアレイ
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批准号:05F05332
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2005
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
マイクロマシン構造を用いた高速波長揮引可能な光フィルタアレイ
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批准号:13555011
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.45万
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财政年份:2001
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
波長温度無依存半導体レーザ
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批准号:11875078
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
半導体中不純物原子の吸収線を利用した集積形波長モニター
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批准号:10875012
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
半導体光増幅器の非線形飽和特性を用いた低雑音スペクトルスライス多波長光源の研究
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批准号:09875014
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
マイクロディスク光共振器の極限微小化とその光機能集積回路への応用
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批准号:06650386
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
面発光型半導体レーザフィルタに関する研究
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批准号:02750317
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1990
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
半導体微小光回路に関する研究
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批准号:01750362
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1989
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负责人:小山 二三夫
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依托单位:
海外基金