波長温度無依存半導体レーザ
波长与温度无关的半导体激光器
基本信息
- 批准号:11875078
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:1999
- 资助国家:日本
- 起止时间:1999 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は,共振波長の温度依存を零にするような温度無依存の光共振器を半導体で実現し,温度による波長変化を零とするような絶対波長安定化された面発光半導体レーザを実現を目指し,以下の研究成果を得た.(ア)マイクロマシーン構造で異なる半導体薄膜での熱膨張係数差を利用した,波長温度無依存の垂直光共振器を提案し,その波長温度無依存動作のための設計指針を明らかにし,同時に広範囲な波長トリミング動作の可能性も示した.(イ)有機金属気相成長法とマイクロマシーンニングにより,GaAs/GaAlAsの半導体多層膜反射鏡からなる垂直光共振器を形成し,構造設計により波長の温度係数を広範囲に制御できることを実証した.(ウ)光フィルタとして,その共振波長の温度依存性を評価して,温度無依存を可能とする構造設計を行い,実際に波長の温度特性として0.01nm/Kを得て,通常の半導体光共振器に比べて約1/10まで低減した.(エ)プロセス終了後に,表面層をドライエッチングにより除去することにより,20nmに及ぶ波長トリミングの可能性を実証した.以上の結果から,マイクロマシーン構造で波長が温度に依存しない新しい半導体レーザの基礎技術が確立された.
This study aims to realize the temperature dependence of resonance wavelength on semiconductor, and the temperature dependence of wavelength on semiconductor. The difference in thermal expansion coefficient of semiconductor thin films with different structures is utilized to propose wavelength-temperature-independent vertical optical resonators. The design guidelines for wavelength-temperature-independent operation are clearly defined, and the possibility of wavelength-independent operation is also demonstrated. Organic metal phase growth method for GaAs/GaAlAs semiconductor multilayer mirrors is used to form vertical optical resonators. The temperature dependence of the resonant wavelength of the semiconductor optical resonator is evaluated, and the temperature dependence is not possible. The temperature characteristic of the actual wavelength is obtained at 0.01 nm/K, and the average semiconductor optical resonator is about 1/10 lower than that of the wavelength. After the end of the film, the possibility of removing the surface layer from the film at 20nm and at a wavelength of less than 20nm has been demonstrated. As a result, the basic technology of semiconductor technology has been established.
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
F.Koyama,T.Amano,N.Furukawa: "Micromachined semiconductor vertical cavity for temperature insensitive surface emitting lasers and optical filters"Jpn. J. Appl. Phys. vol39・no.3B. 542-545 (2000)
F.Koyama、T.Amano、N.Furukawa:“用于温度不敏感的表面发射激光器和光学滤波器的微加工半导体垂直腔”J.Appl.vol39·no.3B(2000)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Amano,F.Koyama,N.Nishiyama: "Temperature insensitive micromachined AlGaAs/GaAs vertical cavity filter"IEEE Photon.Technol. Lett. (掲載予定). (2000)
T.Amano、F.Koyama、N.Nishiyama:“温度不敏感的微机械 AlGaAs/GaAs 垂直腔滤波器”IEEE Photon.Technol(即将出版)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Amano,F.Koyama,N.Furukawa: "Micromachined AlGaAs/GaAs vertical cavity filter with adjustable temperature dependence and wavelength trimming ability"IEE Electronics Letters. vol36・no.1. 74-76 (2000)
T. Amano、F. Koyama、N. Furukawa:“具有可调温度依赖性和波长微调能力的微机械 AlGaAs/GaAs 垂直腔滤波器”,IEE 电子快报 vol36·no.1 (2000)。
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- 作者:
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