電子スピントロニクスデバイス研究調整班
電子スピントロニクスデバイス研究調整班
批准号:
14076101
负责人:
田中 雅明
金额:
$9.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2002
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2002 至 2005
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平成17度には、前年に引き続きこれまでに開発したさまざまなスピントロニクス材料を用いて、スピンの生成、トンネル効果による輸送、注入に関する研究を行い、機能としては記憶と計測(+論理演算)を行う下記デバイスの調査研究、分析と研究開発を行った。8月に行われた国際会議(Spintech III)に関連して第1線で活躍中の外国人研究者を招聘し、研究討論を行った。次の項目に関し成果のとりまとめを行った。1月末に年度末成果報告会および公開シンポジウムを開催した。(1)強磁性トンネル接合デバイス・半導体と整合性のよいフルエピタキシャル強磁性トンネル接合の作製とTMRデバイス(田中)・スイッチイング機能付きMRAM素子(猪俣、田中)・共鳴トンネル型TMRデバイス(田中、山田)(2)磁性グラニュラー構造デバイス・磁気抵抗スイッチ効果の解明と高感度磁気センサへの応用(秋永)・半導体/強磁性金属グラニュラー構造の作製と磁気輸送特性の解明(田中)(3)スピンFETおよびスピンMOSFETの試作と動作原理の実証・半導体チャネル中へのスピン注入と伝導、スピンの検出(山田、田中)
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N.Tezuka, N.Koike, K.Inomata, S.Sugimoto: "Single domain observation for synthetic antiferromagnetically coupled bots with low aspect ratios"Applied Physics Letters. 82. 604-606 (2003)
N.Tezuka、N.Koike、K.Inomata、S.Sugimoto:“低纵横比合成反铁磁耦合机器人的单域观察”应用物理快报。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Sugahara, M.Tanaka: "Epitaxial Growth and Magnetic Properties of MnAs/AlAs/MnAs Magnetic Tunnel Junctions on Exact (lll)B GaAs Substrates : the Effect of a Ultrathin GaAs Buffer Layer"Journal of Crystal Growth. 251. 317-322 (2003)
S.Sugahara、M.Tanaka:“精确 (III)B GaAs 衬底上 MnAs/AlAs/MnAs 磁隧道结的外延生长和磁性特性:超薄 GaAs 缓冲层的影响”晶体生长杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Tanaka, Y.Higo: "Tunneling magnetoresistance in GaMnAs/AlAs/GaMnAs ferromagnetic semiconductor heterostructures"Physica E. Vol.13. 495-503 (2002)
M.Tanaka、Y.Higo:“GaMnAs/AlAs/GaMnAs 铁磁半导体异质结构中的隧道磁阻”Physica E. Vol.13。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Shimizu, M.Tanaka: "Quantum size effect and ferromagnetic ordering in ultrathin GaMnAs/AlAs heterostructures"Journal of Applied Physics. Vol.91. 7487-7489 (2002)
H.Shimizu、M.Tanaka:“超薄 GaMnAs/AlAs 异质结构中的量子尺寸效应和铁磁排序”应用物理学杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping
Mn Delta 掺杂 GaAs 基异质结构中的高温铁磁性
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Physical Review Letters 95
影响因子:
--
作者:
[A.M.Nazmul, T.Amemiya, Y.Shuto, S.Sugahara, M.Tanaka]
通讯作者:
M.Tanaka
共 20 条
Semiconductor-based topological superconducting spintronics: Creation of next-generation quantum information infrastructure
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批准号:23K17324
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额:$16.56万
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财政年份:2023
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
Manipulation of spin-orbit torque in a spin-orbit ferromagnet single layer for future spin devices
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批准号:20F20366
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2020
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
Creation of New Spin-Functional Materials and Devices by Renaissance of Ferromagnetic Semiconductors
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批准号:20H05650
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$126.3万
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财政年份:2020
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
FeベースIII-V族強磁性半導体によるスピントロニクス材料とデバイスの研究
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批准号:15F15362
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2015
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
磁性体/半導体ハイブリッドナノ構造におけるスピン関連現象とデバイス応用
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批准号:23241044
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$10.73万
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财政年份:2011
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
強磁性半導体ヘテロ構造-物性制御と応用
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批准号:07F07105
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2007
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
スピン依存共鳴トンネル伝導現象とデバイスの研究
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批准号:17656104
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2005
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
半導体トンネル磁気抵抗デバイスの基礎研究
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批准号:14655115
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2002
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
ErAs/III-V半導体量子ヘテロ構造におけるトンネル現象の解明と負性抵抗デバイス
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批准号:12875058
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2000
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
ErAs/III-V量子ヘテロ構造における電子伝導と負性抵抗デバイスへの応用
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批准号:10875067
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
半金属/半導体超薄膜ヘテロ構造における共鳴トンネル現象とそのデバイス応用
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批准号:08875062
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1996
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
分子線エピタキシー法による金属/半導体ヘテロ接合の形成
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批准号:03855051
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
分子線エピタキシー法による半導体-金属-半導体ヘテロ接合の形成
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批准号:02855060
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1990
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
海外基金