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電子スピントロニクスデバイス研究調整班

电子自旋电子器件研究协调组

基本信息

批准号：
14076101
负责人：
田中雅明
金额：
$ 9.98万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至 2005
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14076101/
关键词：
スピントロニクス電子デバイスヘテロ構造トンネル磁気抵抗効果磁気抵抗スイッチ効果スピンFET スピンMOSFET MRAM スピン依存伝導ハーフメタル磁気抵抗効果ハーフメタヘテロ構造電子デバイス強磁性トンネル接合キャリアスピン電子スピントロニクスデバイススピン注入グラニュラー構造

项目摘要

平成17度には、前年に引き続きこれまでに開発したさまざまなスピントロニクス材料を用いて、スピンの生成、トンネル効果による輸送、注入に関する研究を行い、機能としては記憶と計測(+論理演算)を行う下記デバイスの調査研究、分析と研究開発を行った。8月に行われた国際会議(Spintech III)に関連して第1線で活躍中の外国人研究者を招聘し、研究討論を行った。次の項目に関し成果のとりまとめを行った。1月末に年度末成果報告会および公開シンポジウムを開催した。(1)強磁性トンネル接合デバイス・半導体と整合性のよいフルエピタキシャル強磁性トンネル接合の作製とTMRデバイス(田中)・スイッチイング機能付きMRAM素子(猪俣、田中)・共鳴トンネル型TMRデバイス(田中、山田)(2)磁性グラニュラー構造デバイス・磁気抵抗スイッチ効果の解明と高感度磁気センサへの応用(秋永)・半導体/強磁性金属グラニュラー構造の作製と磁気輸送特性の解明(田中)(3)スピンFETおよびスピンMOSFETの試作と動作原理の実証・半導体チャネル中へのスピン注入と伝導、スピンの検出(山田、田中)

In the past 17 years, the development of materials, production of materials, production of results, transportation, injection, research, function, memory, measurement (+ logical calculation), research, analysis and development of materials have been carried out. August International Conference (Spintech III) was held on the 1st line to actively recruit and discuss foreign researchers. The next project is related to the results. At the end of January, the year-end results report will be held in public. (1)Ferromagnetic junction, semiconductor and integration, ferromagnetic junction, operation, TMR junction (Tanaka), function, MRAM element (Tanaka), resonance, semiconductor type TMR junction (Tanaka), resonance type TMR junction (Tanaka) Yamada)(2) Explanation of Magnetic Transport Characteristics of Magnetic Field Structure (Akinaga)·Semiconductor/Ferromagnetic Metal Field Structure (Tanaka)(3) Demonstration of Test Operation and Operation Principle of FET·Semiconductor Field Structure (Yamada, Tanaka)