強磁性半導体ヘテロ構造-物性制御と応用
強磁性半導体ヘテロ構造-物性制御と応用
批准号:
07F07105
负责人:
田中 雅明
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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前年度に引き続き、3元および4元混晶のIII-V磁性半導体とヘテロ構造の形成と制御およびその応用につき、以下の研究を行った。1.3元混晶(GaMn)As,4元混晶(GaInMn)As磁性半導体、MnデルタドープGaAsの磁気特性(保持力、残留磁化、飽和磁化、磁気抵抗、ホール抵抗など)の最適化と制御の研究を行った。2.上記磁性半導体を含むヘテロ構造を作製した。3.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造については、強磁性とともに大きな磁気光学効果を示すことがわかった。そのスペクトル、磁場依存性の詳細な評価と解析を行った。4.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造の断面TEMによる詳細な構造評価を行い、閃亜鉛鉱型半導体構造を保っていることがわかった。5.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造のプレーナホール効果と磁気異方性を明らかにした。
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DOI:
10.1103/physrevb.75.155328
发表时间:
2006-08
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[S. Ohya;P. Hai;Y. Mizuno;M. Tanaka]
通讯作者:
S. Ohya;P. Hai;Y. Mizuno;M. Tanaka
Strong Magnetic Circular Dichroism in Mn Delta-doped GaAs
Mn Delta 掺杂 GaAs 的强磁圆二色性
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Ahsan M. Nazmul, Sanjukta Ghosh, Masaaki Tanaka]
通讯作者:
Masaaki Tanaka
Planar Hall effect and uniaxial in-plane magnetic anisotropy in a Mn delta-doped GaAs/p-AlGaAs heterostructure
Mn δ 掺杂 GaAs/p-AlGaAs 异质结构中的平面霍尔效应和单轴面内磁各向异性
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Phys. Rev. B 77
影响因子:
--
作者:
[A. M. Nazmul, H. T. Lin, S. N. Tran, S. Ohya, M. Tanaka]
通讯作者:
M. Tanaka
DOI:
10.1007/s10948-007-0238-3
发表时间:
2007-08
期刊:
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism
影响因子:
1.8
作者:
[K. Ohno;S. Ohya;Masaaki Tanaka]
通讯作者:
K. Ohno;S. Ohya;Masaaki Tanaka
Strong In-plane Uniaxial Magnetic Anisotropy of [(InyGal-y) 1-xMnx] As Characterized by Planar Hall Effect
以平面霍尔效应为特征的 [(InyGal-y) 1-xMnx] 强面内单轴磁各向异性
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Jpn. J. Appl. Phys. 48
影响因子:
--
作者:
[M. Yokoyama, S. Ohya, M. Tanaka]
通讯作者:
M. Tanaka
Semiconductor-based topological superconducting spintronics: Creation of next-generation quantum information infrastructure
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批准号:23K17324
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额:$16.56万
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财政年份:2023
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
Manipulation of spin-orbit torque in a spin-orbit ferromagnet single layer for future spin devices
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批准号:20F20366
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2020
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
Creation of New Spin-Functional Materials and Devices by Renaissance of Ferromagnetic Semiconductors
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批准号:20H05650
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$126.3万
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财政年份:2020
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
FeベースIII-V族強磁性半導体によるスピントロニクス材料とデバイスの研究
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批准号:15F15362
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2015
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
磁性体/半導体ハイブリッドナノ構造におけるスピン関連現象とデバイス応用
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批准号:23241044
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$10.73万
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财政年份:2011
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
スピン依存共鳴トンネル伝導現象とデバイスの研究
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批准号:17656104
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2005
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
電子スピントロニクスデバイス研究調整班
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批准号:14076101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$9.98万
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财政年份:2002
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
半導体トンネル磁気抵抗デバイスの基礎研究
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批准号:14655115
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2002
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
ErAs/III-V半導体量子ヘテロ構造におけるトンネル現象の解明と負性抵抗デバイス
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批准号:12875058
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2000
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
ErAs/III-V量子ヘテロ構造における電子伝導と負性抵抗デバイスへの応用
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批准号:10875067
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
半金属/半導体超薄膜ヘテロ構造における共鳴トンネル現象とそのデバイス応用
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批准号:08875062
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1996
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
分子線エピタキシー法による金属/半導体ヘテロ接合の形成
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批准号:03855051
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
分子線エピタキシー法による半導体-金属-半導体ヘテロ接合の形成
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批准号:02855060
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1990
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负责人:田中 雅明
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依托单位:
海外基金