14属元素で置換した充填スクッテルダイトおよびその関連化合物の高圧合成と物性評価
14属元素で置換した充填スクッテルダイトおよびその関連化合物の高圧合成と物性評価
批准号:
16037212
负责人:
福岡 宏
金额:
$4.99万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
中文摘要
スクッテルダイトCoAs_3はCo_4As_<12>式量あたり96個の価電子を持つ。一方充填スクッテルダイトのうち、LaFe_4P_<12>などの3-8-15族系化合物の価電子数は95eで、9-15系非充填スクッテルダイトに比べて骨格電子数が1個少ない。一般に超伝導などの興味深い電子物性はその構造で安定な基本電子数を少しずらした時に発現することが多いが、これは基本電子数がその系におけるelectron preciseな状態を反映することが多いためといえる。本研究では、15族元素によって造られるスクッテルダイトの基本骨格を14族元素によって置換した新しい物質群の創生と、類似構造を持った新規関連化合物の高温高圧合成を目的とした。当初、対象を3-8-15族系化合物に限っていたため、置換反応はまったく進行しなかったが、系を3-9-15族の組み合わせとし、その結果余ってくる骨格電子を14族元素で補償するという物質設計にしたところ、LaRh_4Sb_9Ge_3、CeRh_4Sb_9Ge_3などの新しい置換型充填スクッテルダイトの合成に成功した。合成法の概要は以下にまとめる。これらの化合物の骨格電子数は96eである。上記のロジウム化合物は当研究者が知る限りで、骨格を14族元素がはっきりと(比率的に充分多く)置換した初めての充填スクッテルダイト化合物である。これらの化合物の合成には高圧高温反応を利用した。各構成元素単体からの合成では希土類が反応前に酸化されて量論比が変化してしまうため、本研究者らが最近発見したLaGe_3,およびCeGe_3という定比化合物を出発化合物として使用することによって、良質な試料を得ることに成功した。同様の条件下で、Luの化合物の合成を試みたところ、充填スクッテルダイトは生成しなかったことから、希土類イオンの結晶額的サイズが、結晶の生成に影響を与えていることが示唆された。
英文摘要
スクッテルダイトCoAs_3はCo_4As_<12>式量あたり96個の価電子を持つ。一方充填スクッテルダイトのうち、LaFe_4P_<12>などの3-8-15族系化合物の価電子数は95eで、9-15系非充填スクッテルダイトに比べて骨格電子数が1個少ない。一般に超伝導などの興味深い電子物性はその構造で安定な基本電子数を少しずらした時に発現することが多いが、これは基本電子数がその系におけるelectron preciseな状態を反映することが多いためといえる。本研究では、15族元素によって造られるスクッテルダイトの基本骨格を14族元素によって置換した新しい物質群の創生と、類似構造を持った新規関連化合物の高温高圧合成を目的とした。当初、対象を3-8-15族系化合物に限っていたため、置換反応はまったく進行しなかったが、系を3-9-15族の組み合わせとし、その結果余ってくる骨格電子を14族元素で補償するという物質設計にしたところ、LaRh_4Sb_9Ge_3、CeRh_4Sb_9Ge_3などの新しい置換型充填スクッテルダイトの合成に成功した。合成法の概要は以下にまとめる。これらの化合物の骨格電子数は96eである。上記のロジウム化合物は当研究者が知る限りで、骨格を14族元素がはっきりと(比率的に充分多く)置換した初めての充填スクッテルダイト化合物である。これらの化合物の合成には高圧高温反応を利用した。各構成元素単体からの合成では希土類が反応前に酸化されて量論比が変化してしまうため、本研究者らが最近発見したLaGe_3,およびCeGe_3という定比化合物を出発化合物として使用することによって、良質な試料を得ることに成功した。同様の条件下で、Luの化合物の合成を試みたところ、充填スクッテルダイトは生成しなかったことから、希土類イオンの結晶額的サイズが、結晶の生成に影響を与えていることが示唆された。
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High-pressure synthesis and properties of a cerium germanide CeGe_3 with the cubic Cu_3Au type structure
立方Cu_3Au型结构锗化铈CeGe_3的高压合成及性能
DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
Chem. Lett. 33
影响因子:
--
作者:
[H.Fukuoka, S.Yamanaka]
通讯作者:
S.Yamanaka
High-pressure synthesis and transport properties of a new binary germanide, SrGe6-d (d=0.5), with a cagelike structure
具有笼状结构的新型二元锗化物SrGe6-d (d=0.5)的高压合成及其输运特性
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Inorganic Chemistry 44
影响因子:
--
作者:
[H.Fukuoka, S.Yamanaka, E.Matsuoka, T.Takabatake]
通讯作者:
T.Takabatake
High-pressure Raman study of the Ba-doped silicon clathrate Ba24Si100 up to 27 GPa
Ba 掺杂硅包合物 Ba24Si100 高达 27 GPa 的高压拉曼研究
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Phys. Rev. B 71
影响因子:
--
作者:
[T. Sato, Y. Genda, H. Kubotera, T. Mon, T. Hsrada, H.Shimizu]
通讯作者:
H.Shimizu
Structural, transport, and thermal properties of single crystalline type-VIII clathrate Ba8Ga16Sn30
单晶 VIII 型包合物 Ba8Ga16Sn30 的结构、输运和热性质
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Physical Review B 71
影响因子:
--
作者:
[T.Matsumoto, K.Tomisaka, H.Akita et al., A.Yamasaki et al., P.A.Alekseev et al., A.Sanchez et al., M.Nakayama et al., M.Nakayama et al., 古賀 幹人, 松本正茂, H.Hidaka et al., Y.Okada, D.Ishihara, S.Sako, T.Onaka, H.Kaneda, C.P.Pearson, T.Miyata, RS.Perry et al., K.Ishida et al., Y.Nishida, K.Hattori, K.Hattori, S.Yotsuhashi, Dexuan Huo]
通讯作者:
Dexuan Huo
骨格置換型充填スクッテルダイトの高圧合成
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批准号:18027010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2006
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负责人:福岡 宏
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依托单位:
半導体クラスレート骨格を持つ新規超伝導体の高圧合成と物性評価
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批准号:18750182
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:2006
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负责人:福岡 宏
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依托单位:
新規ナノネットワーク構造を持つゲルマニウム化合物の高圧合成と物性評価
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批准号:16750174
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2004
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负责人:福岡 宏
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依托单位:
ミクロポーラスリン酸ルテニウムの合成
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批准号:09750924
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:福岡 宏
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依托单位:
海外基金