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有機超伝導体におけるペアリング対称性間の競合に関する理論的研究

有机超导体配对对称性竞争的理论研究

基本信息

批准号：
16038214
负责人：
黒木和彦
金额：
$ 1.22万
依托单位：
The University of Electro-Communications
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

1.擬一次元有機導体(TMTSF)_2Xにおいてはスピン・トリプレット超伝導の可能性が実験的に指摘されているが、我々はそのペアリング機構として、スピン揺らぎと電荷揺らぎの共存に基づくスピン・トリプレットf波超伝導機構を提唱してきた。昨年度に引き続き、微視的な模型に基づいてf波超伝導の実現可能性を調べた。鎖内の第三隣接サイト間までの相互作用、および鎖間の第二隣接サイトまでの相互作用を考慮した拡張型ハバード模型を考え、乱雑位相近似によりトリプレット、およびシングレット超伝導のギャップ方程式を解いた。さらに磁気異方性についても考慮した。その結果、鎖間の第二隣接相互作用の効果、および磁気異方性の効果ともにトリプレットf波超伝導に有利にはたらき、現実的なパラメータ領域においてシングレットd波超伝導に勝つことがわかった。これは現実のTMTSF系においてf波超伝導が実現している可能性を強く示唆する結果といえる。2.θ-(BEDT-TTF)_2MM'(SCN)_4 (M=Rb,Cs,M'=Co,Zn)においては、金属状態において特徴的な電荷構造が実験的に観測され、このことがこの物質において観測される非線形伝導と関係がある可能性が指摘されている。今年度はこの起源について調べた。物質のバンド構造を考慮し、遠距離までの相互作用を考慮した模型において、乱雑位相近似によって電荷感受率を計算したところ、実験と整合する波数において電荷感受率がピークを持つためには、第二隣接までの斥力相互作用とフェルミ面のネスティングの両方が重要であることがわかった。

1. A quasi-dimensional organic conductor (TMTSF)_2X has been proposed as a possible waveguide mechanism for the transmission of light waves. The basic model of Weishi app was introduced in this paper, and the possibility of f wave superconduction was adjusted. Consider the interaction between the third and second adjacent elements in the lock, and solve the equations for the expansion model and chaotic phase approximation. Today, magnetic anisotropy is considered. The results of the interaction between locks and the second neighbor, the effects of magnetic anisotropy, and the effects of wave superconductivity are favorable. This results in a strong possibility that f-wave ultrasound can be realized in the current TMTSF system. 2.θ-(BEDT-TTF)_2MM'(SCN)_4 (M=Rb,Cs,M'=Co,Zn) is a non-linear conduction relationship between the charge structure characteristic of the metal state and the non-linear conduction relationship. This year, the origin of this year's. Consider the structure of the substance, the interaction of the long distance, the approximation of the chaotic phase, the calculation of the charge sensitivity, the integration of the wave number, the charge sensitivity, the repulsion interaction of the second adjacent surface, the generation of the surface, and the importance of the model.