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有機超伝導体における分子ダイマー化効果に関する理論の研究

有机超导体分子二聚效应理论研究

基本信息

批准号：
18028011
负责人：
黒木和彦
金额：
$ 1.22万
依托单位：
The University of Electro-Communications
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2007
项目状态：
已结题

项目摘要

1.(TMTSF)_2Xには弱いながら、分子のダイマー化がある。この効果がd波・f波超伝導競合と、密度波・超伝導の競合にどのような影響を及ぼすかについて調べた。2バンド系に対するRPA計算を行った結果、ダイマー化はd波・f波競合には影響を与えないこと、また、超伝導に対して密度波を有利にする働きがあることがわかった。さらに、d波・f波が拮抗していることから、磁場によるシングレット・トリプレット転移の可能性について微視的な立場から調べた。ゼーマン効果を考慮してRPAによる計算を行った結果、電荷揺らぎを引き起こすオフ・サイト斥力の効果が、磁場の方向にスピン1を持つトリプレットf波超伝導を強く増強することがわかった。このことは、最近、(TMTSF)_2C10_4のナイト・シフトの実験において低磁場でスピン・シングレット、高磁場でトリプレット(またはFFLO状態)が提唱されていることと関係がある可能性がある。2.θ-(ET)_2CsM'(SCN)_4(M'=Zn,Co)においては、(2/3,k,1/3)のX線強度の成長が低温で止まることが実験的にわかっているが、この起源を以下のように考えた。CsM'のフェルミ面のネスティングがあまりよくないため、温度の低下とともに既約感受率のピークの位置が移動していく。一方、2a-c, 2a+cの方向にX線のdiffuse sheetが高温から観測されている。これはこの方向に沿って電荷揺らぎを強くする効果があると考えられ、アニオンによる効果である可能性が指摘されている。既約感受率のピークが低温で(2/3,k,1/3)の位置からずれ、2a-c,2a+cから離れるにつれて、このアニオンの効果が薄れると考えれば、低温でのX線強度の成長停止が理解できる可能性がある。この効果を現象論的に電荷感受率に取り込んだところ、実験を理解できることがわかった。

1. (TMTSF)_2X is weak and weak. The results are d wave, f wave, superconductivity, density wave, superconductivity, and modulation. 2. RPA calculation results, polarization, d wave, f wave, interference, interference, interference. In addition, d wave and f wave are antagonistic to each other, and the magnetic field is the most likely to shift the position of Weishi app. The results of RPA calculations, the effects of repulsion, the direction of magnetic field, and the enhancement of wave superconductivity are considered. (TMTSF)_2C10_4 has a low magnetic field and a high magnetic field. 2.θ-(ET)_2CsM'(SCN)_4(M'=Zn,Co),(2/3,k,1/3) CsM's temperature is low, the sensitivity is low, and the position of the sensor is moving. The X-ray diffusion sheet in the direction of one side, 2a-c, 2a+c is measured at high temperature. The direction of the electric charge is opposite to the direction of the electric charge. The electric charge is opposite to the direction of the electric charge. It is possible to understand the growth of X-ray intensity at low temperature. This phenomenon theory of charge sensitivity is based on the following: