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In-situ observation of the inner-potential at hetero-interfaces by electron holography
电子全息术原位观察异质界面内电势
基本信息
- 批准号：16079207
- 负责人：
- 金额：$ 30.78万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份：2004
- 资助国家：日本
- 起止时间：2004 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
高温酸化物イオン伝導体をガス雰囲気中で電圧印加、加熱しながら、その内部の電位分布を観察し、ヘテロ接触界面における物理現象の解明することを目的に、電圧導入加熱試料ホルダーの試作と新観察技術の開発, 電子顕微鏡内ガス導入システムを試作し、試作薄膜の電解質-電極界面の高分解能観察、電子線ホログラフィーを行った。そして, 真空中, 室温にてPt電極をつけたGDCおよび YSZに電圧を印加し, 内部電位の変化を計測し、酸素イオンおよび酸素イオン欠陥の不均一分布を可視化した。また、加熱による界面近傍内部電位の変化を示すことができた。
With the aim of observing the potential distribution inside the high-temperature oxide ion conductor while applying and heating the voltage in a gas atmosphere, the aim was to elucidate the physical phenomenon at the heterocontact interface by conducting prototypes of a voltage-introducing heating sample holder and developing new observation techniques, a gas introduction system in an electron microscope was produced, and high-resolution observation of the进行了原型薄膜和电子束全息图的电解质电极界面。然后将电压施加到GDC和YSZ上，并在室温下将PT电极连接在真空中，并测量内部电势的变化，并可视化氧离子和氧离子缺陷的不均匀分布。此外，由于加热而导致界面附近的内部电势的变化是可能的。
项目成果
期刊论文数量（131）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electron Holography Study of a GaN/AlGaN Interface and a GaN Crystal on Si Substrates.
Si 衬底上 GaN/AlGaN 界面和 GaN 晶体的电子全息研究。
- DOI：
- 发表时间：2004
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Mitsutoshi Ueda;Kenichi Kawamura and Toshio Maruyama;T.Tanji ほか4名
- 通讯作者：T.Tanji ほか4名
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- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Ishikawa;et.al.
- 通讯作者：et.al.
Carrier Profiling in Semiconductor Devices by Electron Holography
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- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Tanaka;他;T. Hirayama
- 通讯作者：T. Hirayama
Direct Observation of Electrostatic Microfields by Four-Electron-Wave Interference Using Two Electron Biprisms.
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- DOI：
- 发表时间：2004
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Tanji ほか3名
- 通讯作者：T.Tanji ほか3名
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- 资助金额：
$ 30.78万 - 项目类别：
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