In-situ observation of the inner-potential at hetero-interfaces by electron holography

电子全息术原位观察异质界面内电势

• 批准号: 16079207
• 负责人: TANJI Takayoshi
• 金额: $ 30.78万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16079207/
• 关键词: 電子線ホログラフィー; その場観察; 燃料電池; 酸化物イオン伝導体; 電極電解質界面; レーザアブレーション; 内部電位; 電子線ホログラフィ; プロトン伝導体; 電気二重層; イオン濃度分布; ヘテロ接触界面; レーザ蒸着装置; 電圧導入加熱試料ホルダー; 電子顕微鏡観察; 8-YSZ; FIB加工

高温酸化物イオン伝導体をガス雰囲気中で電圧印加、加熱しながら、その内部の電位分布を観察し、ヘテロ接触界面における物理現象の解明することを目的に、電圧導入加熱試料ホルダーの試作と新観察技術の開発, 電子顕微鏡内ガス導入システムを試作し、試作薄膜の電解質-電極界面の高分解能観察、電子線ホログラフィーを行った。そして, 真空中, 室温にてPt電極をつけたGDCおよび YSZに電圧を印加し, 内部電位の変化を計測し、酸素イオンおよび酸素イオン欠陥の不均一分布を可視化した。また、加熱による界面近傍内部電位の変化を示すことができた。

High-temperature acidizing materials are used in electrical equipment, such as Inca, electrical equipment, internal electrical potential distribution monitoring, thermal contact interface monitoring, physical simulation, and electronic input processing. The introduction of new technology In the microphone, the power supply is used in the system, and the thin film dissociation-cathode interface is used to detect the high decomposition energy, and the power line is used to improve the performance. Temperature, vacuum, room temperature, Pt, GDC, YSZ, Inca, internal potential, temperature, temperature The interface of heating and heating is close to the internal electrical potential to show that it is not working.

项目成果

Separation of mean inner potential and built-in voltages in hetero-structures

异质结构中平均内电势和内建电压的分离

• 发表时间: 2008
• 作者: A. Unemoto;et. al.;T. Tanji
• 通讯作者: T. Tanji

Retrieval of Phase Image of Nano Materials by In-line Fresnel Electron Holography

在线菲涅尔电子全息术检索纳米材料的相图

• 发表时间: 2007
• 作者: S. Sugiyama;他
• 通讯作者: 他

Off-axis Electron Holography without Fresnel Fringes

无菲涅耳条纹的离轴电子全息术

• 发表时间: 2004
• 期刊: Ultramicroscopy 101
• 作者: K. Yamamoto;T. Hirayama and T. Tanji
• 通讯作者: T. Hirayama and T. Tanji

Iron Nanowire Formation in Si(110)

Si(110) 中铁纳米线的形成

• 发表时间: 2008
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys. 47 7B
• 作者: Y. Ohira;T. Tanji;M. Yoshimura;and K. Ueda
• 通讯作者: and K. Ueda

Iron Nanowire Formation in Si (110)

Si 中铁纳米线的形成 (110)

• 发表时间: 2008
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys 47
• 作者: Y. Ohira;et.al.
• 通讯作者: et.al.