次元制御配列金属錯体の配列構造決定法の開発

确定尺寸受控阵列金属配合物阵列结构的方法的开发

基本信息

  • 批准号:
    17036073
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

金属錯体分子を界面に制御配列することによって電子機能空間をつくり,その中で特異な電子移動化学現象を発現させたり,その機構の解明を行うためには,界面に金属錯体分子がどのように配列しているのかを決定することが非常に重要である.本研究ではSPring-8の高輝度なシンクロトロン放射光を使用し,界面に次元制御配列された金属錯体分子の構造を基板上に成膜された状態のまま構造解析することを目的とし,以下の研究開発項目を実行した.1)薄膜構造解析用アタッチメントの作製:薄膜からの回折パターンを迅速に測定するために,SPring-8 BL02B2大型デバイシェラーカメラに取り付け可能な薄膜構造解析用アタッチメントを開発した.このアタッチメントは3軸(X,Y,Z軸)の並進ステージと2軸(RY, RZ軸)の回転ステージを備えている.これを用いることにより2次元検出器であるイメージングプレートに薄膜からの良質な回折データを記録することが可能になった.2)微小角入射測定法の開発:1)で開発したアタッチメントを利用して,微小角入射測定法,および,試料面内反射測定法の開発を行った.これらの手法により,薄膜界面に垂直および平行な方向の積層に関する情報を得ることができる。また,これらの測定法を行うために,一連のコンピューター制御プログラムをLabVIEWで開発した.3)配列構造解析法の確立:金属錯体薄膜の結晶性,配向性,グレインサイズ,エピタキシャル性の評価,および配列構造の決定を行う手法を確立した.
It is very important to determine the coordination of metal complex molecules at the interface. In this study, SPring-8 high-luminance emission light is used, and the structure of metal complex molecules on the substrate is analyzed by the structural analysis of the film formation state. The following research and development projects are carried out. 1) The structure analysis of thin film: the rapid measurement of the film folding,SPring-8BL02B2 large-scale structure analysis of metal complex molecules. 3-axis (X,Y,Z axis) and 2-axis (RY, RZ axis) and 3-axis (Y,Z axis) and 2-axis (RY, RZ axis) and 3-axis (Y, Z axis). 2) Development of micro-angle incidence measurement method:1) Development of micro-angle incidence measurement method; 2) Development of sample in-plane reflection measurement method. The film interface is perpendicular to and parallel to the direction of lamination. 3) Establishment of the analytical method of the alignment structure: Crystallization, alignment, transition, evaluation of the crystallinity, determination of the alignment structure of metal complex thin films.

项目成果

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  • 通讯作者:
    H.Soyama

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