次元制御配列金属錯体の配列構造決定法の開発

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金属錯体分子を界面に制御配列することによって電子機能空間をつくり,その中で特異な電子移動化学現象を発現させたり,その機構の解明を行うためには,界面に金属錯体分子がどのように配列しているのかを決定することが非常に重要である.本研究ではSPring-8の高輝度なシンクロトロン放射光を使用し,界面に次元制御配列された金属錯体分子の構造を基板上に成膜された状態のまま構造解析することを目的とし,以下の研究開発項目を実行した.1)薄膜構造解析用アタッチメントの作製:薄膜からの回折パターンを迅速に測定するために,SPring-8 BL02B2大型デバイシェラーカメラに取り付け可能な薄膜構造解析用アタッチメントを開発した.このアタッチメントは3軸(X,Y,Z軸)の並進ステージと2軸(RY, RZ軸)の回転ステージを備えている.これを用いることにより2次元検出器であるイメージングプレートに薄膜からの良質な回折データを記録することが可能になった.2)微小角入射測定法の開発:1)で開発したアタッチメントを利用して,微小角入射測定法,および,試料面内反射測定法の開発を行った.これらの手法により,薄膜界面に垂直および平行な方向の積層に関する情報を得ることができる。また,これらの測定法を行うために,一連のコンピューター制御プログラムをLabVIEWで開発した.3)配列構造解析法の確立:金属錯体薄膜の結晶性,配向性,グレインサイズ,エピタキシャル性の評価,および配列構造の決定を行う手法を確立した.