Interface control and carrier transport in molecular materials

分子材料中的界面控制和载流子传输

• 批准号: 17069003
• 负责人: IWASA Yoshihiro
• 金额: $ 50.37万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17069003/
• 关键词: 有機ゲート絶縁膜; 両極性トランジスタ; 自己組織化単分子膜; 発光トランジスタ; 有機トランジスタ; 有機半導体単結晶; ナノ界面; キャリア易動度; キャリア移動度; 有機電界効果トランジスタ; 有機分子性単結晶; 有機半導体; 金属界面; 仕事関数; 両極性伝導; 電荷注入; 電荷蓄積

By means of nanoscled interface control in organic field effect transistors (OFETs), we have achieved following four major achievements, all of which make important benchmarks. (1)The highest mobility of 40cm^2/Vs among organic FETs. (2)First measurement of Hall effect on OFETs. (3)First realization of ambipolar light emitting transistor of organic single crystals. (4)Highest transconductance among OFETs using the electric double layer configuration.

在有机场效应晶体管（ofet）的纳米级界面控制方面，我们已经取得了以下四项主要成果，这些成果都是重要的标杆。(1)有机场效应管中迁移率最高的为40cm^2/Vs。(2)首次测量了ofet的霍尔效应。(3)首次实现有机单晶双极发光晶体管。(4)采用双电层结构的ofet具有最高的跨导性。

项目成果

Suppression of the unconbentional metallic behavior by gate voltage in MWNT device

MWNT器件中栅极电压抑制非常规金属行为

• 发表时间: 2005
• 期刊: Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures 29(3-4)
• 作者: 馬場俊彦;佐々木弘和;足立淳;川崎俊史;森大祐;T.Kanbara et al.
• 通讯作者: T.Kanbara et al.

Hall effect and the charge transport mechanism in high-mobility organis thin-film transistors

高迁移率有机薄膜晶体管中的霍尔效应和电荷传输机制

• 发表时间: 2009
• 作者: T.Uemura;et al.
• 通讯作者: et al.

Study of solid/liquid interfaces in organic field-effect transistors with ionic liquids

离子液体有机场效应晶体管固/液界面研究

• 发表时间: 2009
• 作者: S.Ono;et al.
• 通讯作者: et al.

有機単結晶を用いた両極性および発光トランジスタの実現

使用有机单晶实现双极发光晶体管

• 发表时间: 2009
• 作者: 馬場俊彦;森大祐;川崎俊史;佐々木弘和;足立淳;竹延大志
• 通讯作者: 竹延大志

Optoelectronic Properties of Organic Single-Crystal Ambipolar Light Emitting Transistor

有机单晶双极发光晶体管的光电特性

• 发表时间: 2009
• 作者: S. Kubo;D. Mori and T. Baba;S.Z. Bisri
• 通讯作者: S.Z. Bisri