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Control of Electronic Properties of Materials Using Ultrahigh Electric Field at Electrochemical Interfaces

利用电化学界面超高电场控制材料的电子性能

基本信息

批准号：
21224009
负责人：
IWASA Yoshihiro
金额：
$ 140.19万
依托单位：
The University of Tokyo (2010-2013)Tohoku University (2009)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009-05-11 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

We have developed electric double layer transistor (EDLT) devices, which allows us a high density carrier accumulation exceeding the limit of all solid field effect transistors, taking the advantage of the ultrahigh electric field generated at the electrochemical interfaces. We applied this technique to a wide range of materials including bulk crystals, thin films, and nanodevices fabricated by an exfoliation method combined with electron beam lithography. We succeeded in electrical phase control of superconductivity, ferromagnetism, and Mott-Hubbard transitions in various materials, among which we were able to encounter novel phenomena which are impossible in conventional all solid field effect transistors. We also found novel functions of EDLTs, such as electrical control of spin polarization and flexible devices, all of which indicates that EDLT is an extremely powerful technique to further broaden materials science.

我们开发了双电层晶体管（EDLT）器件，利用电化学界面处产生的超高电场，使我们能够获得超过所有固体场效应晶体管极限的高密度载流子积累。我们将这项技术应用于广泛的材料，包括大块晶体、薄膜和通过剥离方法与电子束光刻相结合制造的纳米器件。我们成功地控制了各种材料的超导性、铁磁性和莫特-哈伯德跃迁的电相，其中我们能够遇到传统的全固态场效应晶体管不可能出现的新现象。我们还发现了EDLT的新功能，如自旋极化的电气控制和柔性器件，这些都表明EDLT是一种非常强大的技术，可以进一步拓宽材料科学。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Liquid-gated electric-double-layer transistor on layered metal dichalcogenide, SnS2

DOI：
10.1063/1.3535613
发表时间：
2011-01
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Hongtao Yuan;M. Toh;K. Morimoto;W. L. Tan;F. Wei;H. Shimotani;C. Kloc;Y. Iwasa
通讯作者：
Hongtao Yuan;M. Toh;K. Morimoto;W. L. Tan;F. Wei;H. Shimotani;C. Kloc;Y. Iwasa

Liquid-gated interface superconductivity on an atomically flat film

DOI：
10.1038/nmat2587
发表时间：
2010-02-01
期刊：
NATURE MATERIALS
影响因子：
41.2
作者：
Ye, J. T.;Inoue, S.;Iwasa, Y.
通讯作者：
Iwasa, Y.

二硫化モリブデンを用いた電気二重層トランジスタ

使用二硫化钼的双电层晶体管

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
K.Yoshida;S.Torii;T.Tamura;et al.;白濱圭也;張変勁
通讯作者：
張変勁

フラーレン超伝導体の比熱

富勒烯超导体的比热

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Agusa;T.;Kunito;T.;Inoue;S.;Minh;T. B.;Tue;N. M.;Ha;N. N.;Tu;N. P C.;Trang;P. T. K.;Fujihara;J.;Takeshita;H.;Takahashi;S. Tuyen;B. C.;Viet;P. H.;Iwata;H. and Tanabe;S.;小林賢介;平田岳史;林　利憲，坂根祐人，竹内　隆，鈴木賢一;竹内裕紀
通讯作者：
竹内裕紀

Thermally and Environmentally Stable Carrier Doping Using a Solution Method in Carbon Nanotube Films

使用溶液法在碳纳米管薄膜中进行热和环境稳定的载流子掺杂