Control of Electronic Properties of Materials Using Ultrahigh Electric Field at Electrochemical Interfaces

利用电化学界面超高电场控制材料的电子性能

• 批准号: 21224009
• 负责人: IWASA Yoshihiro
• 金额: $ 140.19万
• 依托单位: The University of Tokyo (2010-2013)Tohoku University (2009)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009-05-11 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21224009/
• 关键词: 低温物性; 超伝導材料・素子; 表面・界面物性; 電界効果トランジスタ; 自己組織化; 電気二重層; キャパシタ; 金属薄膜; 半導体; 層状物質; イオン液体; 超伝導

We have developed electric double layer transistor (EDLT) devices, which allows us a high density carrier accumulation exceeding the limit of all solid field effect transistors, taking the advantage of the ultrahigh electric field generated at the electrochemical interfaces. We applied this technique to a wide range of materials including bulk crystals, thin films, and nanodevices fabricated by an exfoliation method combined with electron beam lithography. We succeeded in electrical phase control of superconductivity, ferromagnetism, and Mott-Hubbard transitions in various materials, among which we were able to encounter novel phenomena which are impossible in conventional all solid field effect transistors. We also found novel functions of EDLTs, such as electrical control of spin polarization and flexible devices, all of which indicates that EDLT is an extremely powerful technique to further broaden materials science.

我们已经开发了电动双层晶体管（EDLT）设备，它使我们的高密度载体积累超过了所有固体效应晶体管的极限，从而利用了在电化学接口处产生的超高电场。我们将此技术应用于各种材料，包括大量晶体，薄膜和通过剥落方法与电子束光刻相结合的纳米构造。我们成功地控制了超导性，铁磁性和各种材料中的莫特 - 哈伯德转变，其中我们能够遇到新型现象，而在常规所有固体效应晶体管中，这是不可能的。我们还发现了EDLT的新功能，例如自旋极化和柔性设备的电控制，所有这些都表明EDLT是进一步扩展材料科学的极其强大的技术。

项目成果

イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ

使用离子凝胶的单晶双极双电层晶体管

• 发表时间: 2012
• 作者: 蒲江;蓬田陽平;下谷秀和;山雄健史;堀田収;岩佐義宏;竹延大志
• 通讯作者: 竹延大志

分子性超伝導体の比熱

分子超导体的比热

• 发表时间: 2012
• 作者: 竹内裕紀;笠原裕一;Kosmas Prassides;Xianhui Chen;岩佐義宏
• 通讯作者: 岩佐義宏

層状窒化物の電界誘起超伝導

层状氮化物中的电场诱导超导

• 发表时间: 2010
• 期刊: 固体物理 45
• 作者: 春山成子;岩佐義宏
• 通讯作者: 岩佐義宏

発光トランジスタにおけるキャリア閉じ込め構造の導入

发光晶体管中载流子限制结构的介绍

• 发表时间: 2012
• 作者: 牛膓翔太;丸山健一;高木勇樹;澤部宏輔;今川雅貴;山雄健史;堀田収;岩佐義宏;竹延大志
• 通讯作者: 竹延大志

High-pressure Raman study of peapod- and CVD-grown double-wall carbon nanotubes

豆荚生长和 CVD 生长的双壁碳纳米管的高压拉曼研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: High Pressure Research 29
• 作者: J.Arvanitidis;et al.
• 通讯作者: et al.